离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布，因而简单实用。     

CL256型MOS图象传感器的研制

CL256型MOS图象传感器是一种新型的固体图象传感器,国外又称为自扫描光电二极管列阵(Self Scanned Photodiode Array,简称SSPD器件)。该器件采用了硅栅P-MOS工艺,而作为扫描电路的移位寄存器是采用的一种带变容管自举电路的三管动态无比电路。这是一种高速度低功耗电路,对研制高位数的SSPD器件尤为重要。 文中叙述了CL256型MOS图象传感器的电路工作原理,工艺实验及实验结果。     

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．     

电流提升CMOS运算跨导放大器

提出了一种设计CMOS运算跨导放大器(OTA)的新电路结构,这种结构是在基本OTA中引入偏置电流提升电路,故称为电流提升OTA。讨论了电路设计方法,并用3μmP阱CMOS工艺制出了器件样品。测试结果表明,这种新结构OTA在输入信号允许范围、—3dB带宽、转换速率等方面均优于基本OTA。作为一个应用实例,用两个电流提升OTA及两个分立电容组成了二阶高通滤波器,该滤波器的截止频率f_O可由电信号连续调节,其可调范围是从10KHz至300KHz。     

用于非均匀掺杂MOS器件开启电压计算的改进方法

提出一种改进了的计算衬底非均匀掺杂ＭＯＳ器件开启电压的算法。这种算法对增强 （Ｅ－）和耗尽（Ｄ－）型 ＭＯＳ器件都适用，且避免了对泊松方程的严格数值求解。所需 计算时间短，而精度足以满足计算机工艺模拟的一需要。本算法巳在ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ中实 现，取代了原程序中不正确的部分。模拟和测试结果相比较得到的一致性证实了该算法 是有效的。本文还对算法的理论基础进行了讨论。     

基于NetFlow的VoIP性能仿真研究

NetFlow是一种能够获取实际网络中数据流统计信息的技术,本文通过在OPNET中导入NetFlow格式所表示的实际企业网的流量模式,以测试新增VoIP业务的性能指标。仿真实验对企业网使用最多的G.711和G.729两种压缩技术进行了对比,证明了哪种压缩技术更加适合当前实际网络状况。     

多值逻辑在传输门组合中的应用研究

提出了一种不同阈值电压反相器控制的传输门组合结构。同时利用多位逻辑,提出了描述这种电路构造的函数表达式、算法以及设计方法。最后列举了一个实例,讨论了一个实际系统的设计全过程。     

催化金属薄膜对MOS结构MEMS氨敏传感器性能的影响

利用MEMS技术,在硅平面上经过热氧化、掺杂、溅射、光刻、清洗等工艺,制成MOS结构的氨敏传感器,并将双加热器和测温器集成于一体.该传感器的栅极是以Pd栅为主,同时修饰多种金属薄膜.通过研究修饰催化金属薄膜的种类以及薄膜的厚度对传感器的灵敏度和选择性的影响,结果表明:采用多种金属薄膜混合修饰栅极表面的传感器对氨气有较好的选择性和稳定性;催化金属薄膜厚度在10～30nm时,该传感器对氨气最敏感.     

高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路的设计

设计了一种高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路,能有效抑制开关转换过程中产生的dv/dt噪声,消除高压电路工作过程中可能出现的误触发,提高系统的稳定性和可靠性.采用共模反馈从而使电路结构简单,同时采用窄脉冲触发式控制降低了功耗.本电路可以集成在高压集成电路(HVIC)中.采用某公司高压600V0.5μm BCD工艺模型,通过Cadence仿真验证表明:本电路可有效滤除dv/dt噪声,被消除的dv/dt噪声最高可以达到60V/ns,同时被消除的失调噪声可以达到20%,保证了高压栅驱动电路稳定、可靠地工作.     

基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路.利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能.该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个N...