交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术。它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度(?)等SPICE模拟程序中的模型参数。对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段。     

N 沟硅栅集成开关电容滤波器设计分析

本文给出了低通、带通、带阻型 MOS 开关电容滤波器单片 IC 电路设计方法。并用通用电路分析程序进行了模拟分析。本文还提出了一种新型双层多晶 N 沟硅栅 E/DMOS 工艺,它能使电路设计有很大灵活性和高集成度。测试结果表明这种电路具有输出电压幅度大(≥14V_(?))、通带平坦、纹波小(≤0.1～0.2dB)、动态范围大(≥75dB)之特点。     

电流模式MOS A／D转换神经网络的研究

从Ａ／Ｄ转换基本规则出发，提出了一种电流模式ＭＯＳＡ／Ｄ转换神经网络，并对该网络进行了分析研究，导出确定权值的公式。网络权值易存贮且调节简单。用ＰＳＰＩＣＥ对４－ｂｉｔＡ／Ｄ转换网络进行仿真，并对采用分立元件的构成的３－ｂｉｔＡ／’Ｄ转换网络进行了实验。     

高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性

提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ.cm)衬底MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz～40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果,以及在-40V～+40V直流偏压下散射参数的变化。结果表明,随着偏压的变化,回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移,插入损耗极值点的频率基本没有偏移,只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与MOS结构的Si-SiO2界面效应有关,在凸起式共面波导损耗的偏压实验中,观察到与传统MOS结构共面波导相反的曲线,并尝试给出了理论解释。该文设计的共面波导在35GHz下实现了小于-0.010dB/mm的损耗,优于Ka频段硅衬底共面波导已报道的结果。     

基于开关电容的10阶Butterworth滤波器的设计和仿真

用开关电容电路在模拟集成电路的设计中取代电阻,具有电路规模小、功耗低、工艺过程比较简单、易于大规模集成等优势,本文应用开关电容电路技术对10阶Butterworth滤波器进行变换和简化,计算机模拟说明,其结果与理论计算值相符,更利于集成.     

基于FPGA的数字幅频均衡器的设计

本系统利用FFT快速傅里叶变换技术,完成20Hz～20kHz信号从时域到频域的变换.系统采用FPGA＋MSP430单片机的双核协同工作方式;其中,FPGA作为核心处理器完成FFT快速傅里叶变换,包括各个频点的峰值取样及幅频均衡和处理后的信号重建;而超低功耗单片机MSP430作为协处理器提供友好的人机显示界面,两个处理器能够相互结合工作,各发挥其优点,因此较出色地完成了数字幅频均衡功能.经调试并实测,效果良好.     

Dog Bone栅型MOS场效应晶体管的等效宽长比计算

Dog Bone栅型MOS场效应晶体管是一种对称性的、防辐射总剂量效应的版图结构。为了计算其等效宽长比,把它划分为常规结构的主MOS晶体管和非常规结构的边缘MOS晶体管2种类型的并联。借助Silvaco TCAD工艺与器件仿真工具构建了它的模型,分析了主MOS晶体管的宽度、长度和边缘MOS晶体管的多晶硅与有源区的交叠宽度对边缘MOS等效宽长比的影响,得到拟合的Dog Bone栅型MOS晶体管等效宽长比的计算公式。采用CSMC 0.5μm DPTMCMOS混合信号工艺制作了样管,对实验测量值和公式计算值进行比较,Dog Bone栅型MOS场效应晶体管的等效宽长比的计算公式与实验能够较好地吻合。     

改进型多输出端差动差分电流传送器及其应用

提出了一种新颖的改进型多输出端差动差分电流传送器(MDDCC)及其CMOS实现电路,用计算机仿真方法比较了MDDCC和第二代电流传送器(CCⅡ)的特性;以MDDCC构成了全差分式连续时间电流模式低通及带通滤波器,分析并模拟了所提出的滤波器的特性。仿真结果表明,MDDCC电路兼有差动差分放大器(DDA)和CCⅡ两者的优点,适于实现全集成连续时间滤波器。     

RASTA滤波在语音通信质量客观评价中应用的研究

介绍了在语音通信质量客观评价中使用RASTA（Relative Spectra）滤波的研究结果。通过分别将RASTA滤波与感知线性预测（PLP,Perceptually Linear Prediction)方法和美倒谱（MFCC,Mel Frequency Cepstral Coefficient)方法相结合对通过短波或超短波信道的男女生文件进行拟合研究,均取得了比较好的效果。与PLP方法结合关系数提高了12％,与MFCC方法结合相关系数提高了4％。说明RASTA滤波对信道噪声的低频成分中人耳听不到的部分进行过滤的方法在语音通信质量客观评价中是有效的。     

MOS器件的热载流子效应

热载流子效应产生的原因，首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子，然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子，或者穿透氧化层，或者造成随时间而增加的界面态，或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向，一是在沟道两侧制作轻掺杂区，以降低沟道电场强度；二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度，以改善氧化层的质量，增强抗热载流子效应的能力。