硅罗丹明荧光探针的研究进展

近年来,罗丹明染料因其良好的荧光性能,在化学和生物化学领域倍受关注。但罗丹明染料的荧光波长通常都小于600 nm,具有较强的生物背景荧光的干扰,很大程度上限制了其在生物成像等领域的实际应用。将罗丹明母核的氧原子替换为硅原子,所发展的硅罗丹明不仅具备传统罗丹明荧光染料的优点,还可将荧光波长红移至近红外波段,很好地解决了罗丹明荧光波长较短的问题。本文主要综述了硅罗丹明荧光探针的研究进展,重点聚焦该荧光团波长红移原理、荧光波长和荧光量子产率的调控,以及硅罗丹明探针的设计机理与应用。     

测定ClO~-的水溶性荧光探针的合成及应用

生物体内存在的大量活性氧(ROS)等小分子物质在生命活动过程中起着抗肿瘤、抗炎、抗衰老等极为重要的作用。其中ClO~-是一类重要的活性氧,适量的ClO~-可以产生有效的抗菌作用;但生物体内ClO~-过度积累可导致组织损伤,引发多种疾病。因此,快速灵敏、原位检测生物体内ClO~-的浓度具有重要的研究意义。该论文设计并合成了以对甲氧基苯酚为识别基团的基于香豆素骨架的新型荧光探针HMAT。探针HMAT本身在500nm处有微弱的荧光信号,加入ClO~-后,探针在500 nm处的荧光信号显著增强,反应体系的荧光强度与ClO~-浓度在1. 0～9. 0μmol/L内呈现良好的线性关系(R2=0. 993 2),最低检出限为1. 3 nmol/L,在神经母瘤细胞SH-SY5Y中具有良好的荧光成像效果。     

熔凝玻璃钝化的研究和应用

本文介绍了以电泳涂敷法制成的较薄玻璃膜为介质膜的金属—玻璃—半导体(MGs)结构的C—V特性测量,介绍了离子探针(IMA)测量玻璃膜的性质以及运用计算机进行曲线拟合。结果表明,Zn系玻璃膜的负电荷密度和其热成型过程的气氛和温度处理有关。Na~+离子主要聚集在玻璃膜内靠表面一侧,其随深度分布趋势接近指数函数。作者研制了内层玻璃钝化高压PN结器件,测量得到了良好的电特性。     

测量松散颗粒物料局部湿含量的电容探针

本文利用水的介电常数远大于一般介质介电常数的特点，发展了一种测量松散颗粒物料局部湿含量的电容探针。由于采用误差补偿电路和针型传感器探头，并在结构上采用了减小损耗的措施，提高了探针的灵敏度、稳定性和空间分辨率，可以用于松散颗粒物料局部湿含量的测量。     

程序控温动态分析对聚醚醚酮结构特征的研究：Ⅰ探针…

采用程序控温动态分析方法，并辅之以红外分析手段，探讨了不同合成工艺所得聚醚醚酮样品的结构特征。考察了探针分子苯在不同样品上的程序升温解吸（ＴＰＤ）行为。并与红外分析结果相比较。结果发现：对于不同合成工艺所得的ＰＥＥＫ样品，虽然其红外谱图极为相似，但在分子结构方面仍有一定差异；利用程序控温动态分析方法，可针对这一差异给出有意义的信息，而这些具有理论和实用价值的信息是红外分析方法无法或很难得到的。     

rDNA指纹图的建立及其在细菌分类鉴定中的应用

应用PCR技术,从大肠杆菌中分别扩增出16S、23S核糖体RNA基因(rDNA),以[a-32P]bATP经缺口平移法标记rDNA后作为广谱探针.选用BamhⅠ、EcoRⅠ、HndⅢ等不同限制酶,对肠杆菌科细菌及一起沙门氏菌食物中毒暴发分离株进行染色体DNA酶切,凝胶电泳分离各片段后,通过Southem杂交,获得各菌株rDNA指纹图.每个细菌都可以从rDNA的限制性片段长度多态性(RFLP)得到鉴定,rDNA指纹图显示出种特异性,明确地区分出引起食物中毒的可疑传染源.该法特异性强、重复性好,既可用于细菌的分类鉴定,也可作为分子流行病学调查的工具.     

ECR放电中电子能量分布函数的确定

在ECR放电实验中，我们测量了简单镜中捕获的电子能量分布函数，通过测量双延迟势，可获得ECR放电中电子在磁镜装置镜喉区域的电子能量分布函数，利用光谱变分和朗缪尔探针可以确定电子分布函数的某些参数，放电是在氩气中进行的，实验中发现，不同的等离子体态有不同的分布函数，它们呈现出指数分布与幂分布。     

酵母ZDNA重复顺序的分子克隆研究

为了对酵母分子生物学理论研究及实际应用的探讨,进行了酵母DNA分子克隆。采用重组DNA技术及放射性分子探针杂交法从克隆库中检测出两大类含有ZDNA重复顺序的重组子。第一类是含有端粒区ZDNA重复顺序及自主复制顺序的重组子。这些重组子对端粒区灼整合转化研究对开拓基因工程的应用具有重要意义。第二类是含有染色体内部分散的ZDNA重复顺序的重组子。这些重组子对研究内在ZDNA的结构和功能有重要的理论价值。按实验结果计算,在酵母基因组中大约存在有100个ZDNA重复顺序片段。     

F_e~+注入Si中的研究

本文的工作以内转换电子穆斯堡尔谱为主,并结合离子探针以及电学和光学等参数的测量,对硅中注入的F_e~+进行综合研究。根据实验结果我们认为在低温退火前后,高剂量注入的铁不是均匀地分布在注入层中,而是处在高浓度集中的微区中,并处在替位位置。低温退火后尽管晶体电学特性已基本恢复,但多数铁仍处于非电活性状态。高温退火后在注入层中形成铁硅化合物相的观点进一步由离子探针的实验结果得到证实。高温退火后晶体电阻率较大可能是由于铁硅化合物的析出在晶体中产生了大量的缺陷。