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182.
以NaBrO3/NaHSO4.H2O为氧化体系在固态条件下,通过对二芳基卡巴肼的单侧脱氢快速高效合成了十种二芳基卡巴腙.该方法操作简便、产率高、无溶剂、对环境友好. 相似文献
183.
采用在线化学气相沉积(CVD)法对全硅MFI型分子筛膜进行晶内孔道修饰,考察晶间缺陷对膜晶内孔道修饰效果的影响。采用硅烷水解法对缺陷较多的膜进行缺陷孔的修补,结合扫描电子显微(SEM),观察膜微结构的变化。结果表明:分子筛膜表面缺陷显著影响晶内孔道调变效果。500℃时,缺陷较少的膜经晶内修饰后H2/CO2分离因子由修饰前的2.7提高到42.3,H2渗透性由2.25×10-7mol/(m2.s.Pa)降至1.52×10-7mol/(m2.s.Pa)。经缺陷修补后的分子筛膜,其晶内修饰后的H2/CO2分离因子比未修补的膜有一定幅度的提高。 相似文献
184.
文章以矩阵的范数为基础建立了块矩阵与严格对角占优矩阵的关系,并由此得到了块严格对角占优矩阵,Π型块严格对角占优矩阵,块广义对角占优矩阵,块广义双对角占优矩阵,弱块严格对角占优矩阵在Hadamard积下的封闭性。 相似文献
185.
186.
廉海平 《科技情报开发与经济》2012,22(4):142-144
简要介绍了地下连续墙的接头分类,结合工程实例,针对地下连续墙施工中出现的问题,提出了预防绕流的措施。 相似文献
187.
在对传统呼叫中心弱点进行分析的基础上,实现了基于H.323协议以Call Manager服务器为主的呼叫中心主要部件的设计工作,从而集成了数据库系统以及后台管理系统,具有理论意义和实践价值。 相似文献
188.
189.
提出了一种新的方法为具有不确定性的实际电力系统设计分散鲁棒H∞阻尼控制器。采用多胞型模型将系统运行状态的各种变化描述为以若干个典型运行参数为顶点的凸集。分散H∞控制器的设计可以归结为基于同伦参数法的两个线性矩阵不等式的求解问题。所提的方法可以得出较低阶的鲁棒控制器,具有工程实用性。将其与系统模型降阶法相结合,可进一步减轻计算负担,进而适用于实际电力系统的控制器求解。算法分别用于SVC的分散附加阻尼控制器和19机IEEE标准测试系统的PSS设计。算例结果表明,分散控制器相互协调,不但显著地提升系统的阻尼比,使其具有良好的抗干扰能力,且对于严重故障后产生的持续振荡具有很好的抑制作用。 相似文献
190.