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81.
考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的~族GaAs和~族ZnSe极化子的性质.在中间耦合极限下,数值计算得到了这两种极化子的耦合常数、自陷能、有效质量和围绕电子的平均虚声子数随外加压力的变化关系.结果表明:压力对~族材料的影响比较大. 相似文献
82.
采用低温(21K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si—GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的物理分析。 相似文献
83.
采用磁控溅射方法在硅片上,成功制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜.结合AFM和光谱仪等手段对样品进行了表征,结果表明:随着氮气的引入,α-GaAs薄膜的球状颗粒转变为针状颗粒;并且随着氮偏压的升高,针状颗粒密度逐渐增大,薄膜表面的粗糙度逐渐减小;随着氮偏压的升高,a-GaAs1-xNx薄膜的光吸收边明显蓝移. 相似文献
84.
陈贵宾 《淮阴师范学院学报(自然科学版)》2007,6(2):118-121
通过常规的透射光谱测量,提供一种获取GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用. 相似文献
85.
基于密度泛函理论,运用非平衡格林函数对(GaAs)_4原子链耦合石墨烯纳米条带的电子输运性质进行了第一性原理计算,结果发现通过改变原子链与石墨烯之间的距离可以有效调制系统的电子传输行为.当(GaAs)_4原子链与石墨烯之间的距离d在0.10~0.28nm的范围内变化时,石墨烯、原子链上各自的电子传输要相互影响,且系统的平衡电导在2G_0~7G_0之间发生G_0(G_0=2e~2/h)整数倍的变化,即表现出量子化电导现象;当d0.28nm时,总的电导等于各自的电导之和,此时(GaAs)_4原子链与石墨烯之间的耦合很弱,各自的电子输运相互影响很小. 相似文献
86.
文章从理论和实验上分析了Si太阳电池和GaAs太阳电池各自背场结构特点,指出它们之间的异同。 相似文献
87.
用半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料制备了太赫兹(THz)光导天线和天线阵列,其电极间隙分别为50μm、100μm、150μm。用THz时域光谱系统(THz-Time domain system)测试和比较了三种不同电极间隙天线的THz辐射性能,研究了电极间隙的大小对光导天线辐射THz性能影响。实验表明相同衬底材料、几何结构和制作工艺的天线,辐射出的THz电磁波的频谱基本相同,与电极间隙无关;光导天线THz电磁波远场辐射强度与外加偏置电场和天线的有效辐射面积成正比。光导天线阵列在相同的偏置电场以及相同激光光源的情况下比常规光导天线有更强的辐射THz波的能力。 相似文献
88.
常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs 总被引:1,自引:0,他引:1
采用自己发展的HF化学预处理技术和常压MOCVD法在多孔硅(PS)上首次生长出了基本上是单晶的GaAs膜,研究了GaAs膜的结构和光学特性.通过对Si、PS、GaAs/Si和GaAs/PS的Raman散射分析,初步论述了PS的Raman散射谱的峰肩起源可能与表面氧化有关. 相似文献
89.
GaAs霍尔器件γ和β射线辐照研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用γ和β射线分别对GaAs霍尔器件进行不同时间的辐照,测定了辐照前后器件的输入电阻、输出电阻、霍尔灵敏度等电磁参数。结果表明:γ和β射线辐照使器件的输入、输出电阻增加,但霍尔灵敏度可能增加也可能减小,其与射线种类、辐照时间密切相关。具体分析认为,射线辐照使材料表面及内部结构改变,进而引起载流子浓度、迁移率等的变化,最终导致器件的宏观电磁参数发生变化。 相似文献
90.
程玉梅 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2014,(5):497-500
论文研究了InAs量子点的生长条件,通过实验得到了生长温度、沉积厚度不同下的量子点生长情况。引入Sb表面活化剂进行实验,优化了制备尺寸不同、密度相近的两种量子点的生长条件。 相似文献