GaAs薄膜的瞬态光致折射率变化研究

利用飞秒瞬态反射谱和透射谱，研究了ＧａＡｓ薄膜的瞬态光致折射率变化，观察到光致折射率的一个超快弛豫过程和一定激发浓度下的瞬态光致吸收增加现象，用受激载流子引起的带填充和能隙收缩解释了这些现象。     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

激光辐照GaAs膜和GaAs多量子阱反射光强的观测

实验观测了Ｈｅ－Ｎｅ激光辐照不掺杂ＧａＡｓ膜和ＧａＡｓ多量子阱的反射光强，对比研究了实验的结果。     

N型GaAs少子扩散长度的温度特性

根据 Sturge 和Hwang 的实验数据,通过计算机拟合、内插方法获得了所需能量范围内 13种温度的 GaAs 吸收谱。在此基础上,采用表面光伏方法在 21～320 K 温度范围内测试了不同掺杂浓度的 N型 GaAs样品的少子扩散长度。得到了一组反映少子扩散长度温度特性的实验曲线,并由实验曲线得到可用于计算不同温度下少子扩散长度Lp(T)的经验公式。     

GaAsFET 4GHz电调振荡器的设计与制作

比较了共源、共栅、共漏3种电路,并组合场效应管外延,设计出采用反沟道接法的共漏电路。分析了FET场效应管的特征频率、最大输出功率、单向功率增益和最大振荡频率等主要特性参数。通过制作和调试,完成的GaAsFET振荡器达到频带输出功率>100 mW,频率 4~4.3 GHz的设计性能要求。所设计的电调振荡器误差小,性能稳定,具有良好的实际应用价值。     

Recent Advances in High Efficiency Solar Cells

1 Results The conversion efficiency of sunlight to electricity is limited around 25%,when we use single junction solar cells. In the single junction cells,the major energy losses arise from the spectrum mismatching. When the photons excite carriers with energy well in excess of the bandgap,these excess energies were converted to heat by the rapid thermalization. On the other hand,the light with lower energy than that of the bandgap cannot be absorbed by the semiconductor,resulting in the losses. One way...     

有限势垒量子阱中极化子结合能的压力效应

计入流体静压力效应,同时考虑量子阱中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子模)对单电子基态能量的影响,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中自由极化子的结合能.得到了压力下三类光学声子模对极化子结合能影响随阱宽的变化关系.结果表明:极化子结合能随外加压力增加.     

砷化镓场效应管的潜在性失效

为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。     

应用Auger电子能谱仪研究清除GaAs表面碳沾污的有效方法

在制作ＧａＡｓ负亲和势光电阴极中。ＧａＡｓ表面碳的沾污往往严重地降低其光电产额。为了去 除ＧａＡｓ表面碳的污染，我们用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪对采用不同化学腐蚀处理的ＧａＡｓ表面进行分析 研究，证明在ＧａＡｓ表面有意形成一氧化膜并装进超高真空系统中加热到－５８０℃，对去除ＧａＡｓ 表面碳污染非常有效。     

GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs量子阱的Type-II特性

研究了分子束外延生长的不同含量的GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性.分析表明,利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应,实验结果说明了GaAs1-xSbx/GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16%￣26%时是Type-II结构.