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131.
田彤 《西安交通大学学报》1998,32(5):14-17
采用负阻电路以及由作者自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管,应用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器.该滤波器具有200MHz的3dB带宽,其中心频率调频范围约600MHz,从1.0~1.64GHz,并具有足够的带外抑制比.全部偏置电路均在芯片上,芯片占用面积1.6mm×1.8mm. 相似文献
132.
Room temperature irradiation effect of GaAs compound semiconductor by 100 keV Ar+ ions has been systematically studied by means of transmission electron microscopy. The dose dependenceoof the Ar+ ion irradiation and room temperature annealing effects have been investigated. The experimental results show that the structure
of GaAs transforms from perfect crystalline through weakly and severely damaged crystalline to amorphous states with the increase
of the irradiation dose and the damaged states are changed during room temperature annealing.
Yang Xiangxiu: born in 1968, Doctor 相似文献
133.
本文描述了用GaAs作衬底,集成肖特基势垒裂缝和类指数天线作为瞬态电磁脉冲的发射器和接收器,用超短光脉冲照射其裂缝,我们得到了高达55GHz的宽带电磁辐射冲。 相似文献
134.
用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)~10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10~20V,该结构在600℃以下是稳定的. 相似文献
135.
本文通过低压MOCVD方法,采用改进的两步法工艺,即基片表面的高温处理一生长过渡层-退火-外延生长-退火工艺,在向[011]方向偏3°的Si(100)衬底上生长了GaAs膜,并对外延膜进行了X射线衍射,喇曼散射和光致发光分析.发现X射线衍射曲线光滑尖锐,无杂峰,(400)峰的摇摆曲线很锐,喇曼散射谱中TO峰与LO峰的强度比lTO/lLO很小,光致发光谱的半峰宽只有12.4meV,说明在Si上异质外延的GaAs单晶膜具有相当好的质量. 相似文献
136.
探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。 相似文献
137.
138.
GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13156cm-1和ν=12289cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关.由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度.理论计算值与实验结果符合得很好. 相似文献
139.
根据VGF结晶技术的特点,建立了结晶炉内的辐射换热模型。并利用有限差分法对变温条件下砷化镓晶体表面的辐射换热进行了数值求解,模拟结果得出了晶体表面平衡温度的变化规律。与设定值比较具有良好的一致性,所得结果确定了晶体生长过程数值模拟的热边界条件,并对实际的温度控制提供了重要的理论依据。 相似文献
140.
粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷 总被引:2,自引:0,他引:2
作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料,分别使用电子束或质子束辐照.电子束辐照能量为0.4~1.8MeV,辐照注量为1×1013cm-2~1×1016cm-2,质子束辐照能量为20~130keV,辐照注量为1×1011cm-2~1×1014cm-2.辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱(DLTS)的测试.测试结果表明,电子束辐照引入了新缺陷,其能级位置为E3=Ec-0.65eV,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷Dx中心E2=Ec-0.40eV也有影响,即浓度发生改变,峰形亦不对称,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献.DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数. 相似文献