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101.
利用在国家同步辐射实验室建立的光电子衍射技术 ,采集了GaAs(0 0 1 )面能量扫描的光电子衍射谱。通过对光电子衍射谱的傅立叶变换分析给出了各个发射体近邻原子的正确位置 .经过多重散射模型计算并对实验曲线的拟合验证了Biegelsen提出的Ga双层模型的正确性 .结果显示 ,最外层构成二聚体的两个Ga原子沿 [1 1 0 ]方向移动聚拢 ,偏离体材料格位 8.3% .同时最外层的Ga原子向内收缩 2 .1 % . 相似文献
102.
采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P~+(3MeV,1×10~(14)~3×10~(14)cm~(-2))与MeV能量的Si~+(3MeV,1×10~(14)cm~(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P~+与Si~+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si~+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n~+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm~2/(V·s),激活率可达95%以上。 相似文献
103.
用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。 相似文献
104.
本文采用等光强表面光伏法对掺锡的n/n~ GaAS液相外延层空穴扩散长度Lp和施主浓度N_D。关系作了测量,求得可供器件设计参考的经验公式.把Lp换算为空穴寿命τ_p后,用公式τ_p~(-1)=τ_(HSP)~(-1) Brn Cn n~2拟合了τ_p和电子浓度n的关系曲线,算出由带隙内复合中心所决定的少子寿命τHSR、带间辐射复合系数Br和带间俄歇复合系数Cn。 相似文献
105.
本文采用三甲基镓(TMG)和砷烷(AsH_3)作为源气体,用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在常压600~750°的温度范围内进行了GaAs薄膜的生长。研究了源气体流量和衬底温度对生长速率的影响。用扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱和Vanderauw法测量表明,这套系统生长的GaAs薄膜具有很高的质量。 相似文献
106.
我们采用自行设计制造的热壁外延(HWE)装置在GaAs(100)衬底上生长了CdTe晶膜。分析测试表明,该膜为(100)单晶膜。HWE技术生长的CdTe/GaAs结构为外延生长HgCdTe提供了十分合适的衬底。 外延源是用99.999%的cd和Te,在10~(-4)Pa真空,800~1000℃温度下煅烧100h而获得的CdTe多晶。衬底采用(100)GaAs单晶片,解理成6×6 mm~2方块。清洁处理 相似文献
107.
本文叙述反射式GaAs负电子亲和势(NEA)光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为440~1177μA/lm的光电阴极。文中讨论了对NEA光电阴极稳定性的影响因素,铯和氧的作用,以及NEA的形成机理。 相似文献
108.
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料,并对材料进行Raman、光致发光(PL)谱的测试分析,结果表明在GaAs/InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移;PL谱峰较强,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰,表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属-半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。 相似文献
109.
GaAsFET的散射参数与工作状态有关,采用散射参数不能直接求出混频增益.本文介绍一种GaAsFET的混频参数的计算方法.由散射参数求得混频参数,从而求得GaAsFET的混频增益. 相似文献
110.
采用低雷诺数κ-ε模型,计算分析了Cz法大型砷化镓单晶生长中熔体内的热量、动量输运特性。结果表明:适当的坩埚旋转能有效抑制晶体旋转产生的对流和浮力对流,增大晶体转速能使晶体/熔体界面附近等温线更加平直,适当的坩埚、晶体转速匹配能够抑止晶体/熔体界面附近的温度波动,热毛细力对强烈熔体流动的影响可以忽略不计,但对较弱的熔体流动影响较大。文中还给出了较为适宜的坩埚、晶体转速匹配方式。研究结果为生长高质量大型砷化镓单晶提供了有重要价值的数值依据。 相似文献