PCVD过程中的等离子体诊断2

本文了ＰＣＶＤ过程中等离子体种种粒子和基团的诊断技术和方法，结合我们的研究工作，着重分析了诊断技术在发展过程中所碰到的难题及其解决办法和仍待解决的     

真空蒸发法制备聚酯衬底ITO透明导电膜及其光电特性

采用真空反应蒸发技术，在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性及制备条件对薄膜性能的影响进行了研究     

ZnO,SnO2及其复合UPF的工作温度对表面电阻的影响

本文介绍了ＺｎＯ，ＳｎＯ２及其复合ＵＰＲ的工作温度对其薄膜表面电阻的影响，并根据表面吸附模型和理论对其结果加以分析。研究的薄膜样品采用直流气体放电活化反应蒸化沉积技术制备。     

钯锗薄膜中分形结构的研究

利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动材料科学研究的深入.本文利用透射电子显微镜(TEM)首次系统地对由化合物(PdGe和Pd_2Ge等)生成的把锗薄膜体系中分形结构进行了研究.有关钯锗薄膜体系中的分形结构还未见文献报道.     

Sm─FeCo─N合金薄膜的磁性与微观结构

采用离子注入方法制备Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性合金薄膜，研究少量Ｃｏ部分取代Ｆｅ对薄膜磁性能的影响，探索研究Ｓｍ－ＦｅＭ－Ｎ磁性材料的新途径．实验发现：Ｃｏ＋注入使样品的饱和磁化强度明显增加，Ｓｍ－ＦｅＣｏ－Ｎ薄膜的饱和磁化强度是Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ薄膜的１．６倍．经ＴＥＭ分析，Ｃｏ＋没有与Ｓｍ或Ｆｅ形成化合物     

Rs测试方法的研究与进展

介绍了国内采用蓝宝石介质谐振器法测试Rs的几种不同的结构,该方法由低损耗高介电常数的蓝宝石构成,工作在TE011+δ谐振模式的介质谐振器,在温度为77 K时,利用它对高温超导薄膜的微波表面电阻Rs进行测试.并且对目前国际和国内正在制定的Rs测试标准进行了讨论.     

二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状

黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.