基于氧化铝薄膜的压电水听器的研制

提出了基于AlN压电薄膜结构的单电极水听器,将A1N的压电特性与MEMS微加工技术相结合。采用COMSOL对器件在20~100Hz低频范围内谐振特性进行分析和仿真,得出压电薄膜优化厚度0.8~1.0μm,振动薄膜直径100μm。给出了器件制备工艺流程,采用ICP精准刻蚀A1N薄膜提高成品率,并对实际样品进行高静水压等环境适应性测试。单个水听器阵列结构是40×40,实际尺寸为7×7mm,可以用来制备高性能的水听器集成系统。     

基于FPGA的小车自动行驶控制系统的设计与实现

设计了一个小车自动行驶控制系统.该系统以一个基于流水线结构CORDIC算法设计的双核FFT处理器为基础,实现语音信号的频谱分析,并通过提取MFCC语音特征,与模板库中数据指令进行对比,进而产生控制信号,最终由FPGA控制的无线通讯模块来实现对小车常用基本操作的语音控制.系统在DE2实验开发平台上进行下载测试,结果表明该系统可实时地完成对语音指令的响应,同时系统具有硬件结构简单、实时性好、可靠性高等特点,可广泛应用于语音识别控制领域.     

液相芯片快速检测结核耐药基因方法建立

基于Luminex100^TM技术平台,结合多重PCR技术,以5’生物素标记引物为信号指示,在H₉37)RV结核标准株做对照下,对104株结核分枝杆菌分离株的LFP耐药rpoB基因和INH耐药的katG,inhA基因进行检测,并与药敏试验绝对浓度法和测序结果比较.结果表明:液相芯片检出结果与药敏法比较,104株分离株中LFP、INH、多重耐药的检出结果分别为:液态芯片检测73株、50株、48株;药敏检测结果为74株、58株、53株;对比检出率98.6%,86.2%,90.6%.液相基因芯片技术对耐药,耐多药结核的检测,具有特异性高,敏感性强的特点,是检测结核分枝杆菌耐药基因的有效方法,可用于临床检测.     

用阵列电极研究不同阴离子介质中有机涂层/铁电极界面腐蚀行为

应用阵列电极测量不同阴离子介质中有机涂层／铁电极界面电位分布图，研究腐蚀发生、发展过程．实验结果表明：腐蚀优先发生在有机涂层／铁电极界面边缘．涂层一旦破裂，在Ｃｌ－介质中腐蚀很快发生并不断发展，在ＮＯ－３介质中腐蚀也很快发生，一段时间后就逐渐受抑制，而在ＣＯ２－３介质中腐蚀不发生．与常规电极相比，阵列电极能给出更详细的腐蚀界面的电化学参数．     

单指向性水听器的研究

对二元基阵经电子移相形成单指向性的原理进行了理论分析。并采用三种形状不同的压电材料作为基阵的基元，制作了三种水听器，实验测定结果与理论结果一致，获得较好的单指向性。     

一种超声回波信号的数字正交检波方法及FPGA实现

数字正交检波技术能够较好地提取信号的幅度和相位参数,保留信号包络中的所有信息。提出了将现场可编程门阵列(FPGA)运用在超声系统的波束形成器中实现超声回波信号的数字正交检波方法,并给出了主要模块在FPGA内的具体实现和系统仿真结果。仿真和实际运用证明,该检波方法能够明显提高超声图像的空间分辨率和对比度。     

用对偶变换矩阵和同一性条件进行空间机构的位移分析

本文利用3×3对偶变换矩阵进行旋量的坐标变换,根据机构的同一性条件建立位移方程,并在求解过程中引进旋量的直角坐标进行旋量的乘法运算。这种方法既发扬了用同一性条件可较直接地建立位移方程[4]的优点,又避免了用对偶矩阵环形方程式建立位移方程[1]时比较累赘的缺点;并使得某些空间连杆机构的位移分析过程具有建立方程较直接、思路明晰、求解简单等特点。     

ALGEBRAICALLY CONSTRUCTED COSTAS ARRAYS WITH SMALL NUMBER OF CROSS-COINCIDENCES

1.IntroductionAproblemofconsiderableinterestistofindaclassoftransmitwaveformswithnearlyidealrange-DopplerautthambigUityandcross-ambiguitycharacteristics.Theauto-aInbightyfunctionshouldbe``thumbtack-like",whilethecross-a-Inbiguityfunctionshouldbesmallev-eryWhere.Aclassoffrequencyhopwaveforms,calledCostasaxraystwhichsatisfiesidealauto-ambightyfunctionpropertieswerefirstintroducedbyJ.Costas[1].Unfortunately,notw0Costasarraysofsizenxn)n24possesstheidealcross-ambiguityfuncti0npropertiesI'].How…     

65nm FPGA中基于位宽选择的高速Block RAM设计

针对高性能现场可编程门阵列(FPGA)应用中数据存储交换的高速、多种位宽配置需求,本文设计了一种基于数据位宽可调整的高速Block RAM,并将其嵌入自主研发的FPGA芯片中.在该FDP15芯片中,Block RAM采用65nm的1P10M层金属,核电压1.2VCMOS工艺技术,可以实现1bit×16k,2bits×8k,4bits×4k不带校验位和9bits×2k,18bits×1k,36bits×512带有校验位的6种位宽选择模式,3种写入模式的双端口独立工作.文中针对位宽配置选择功能提出了一种单元可重复的电路结构,同时采用模拟位线延迟反馈机制实现了Block RAM较高的工作频率.流片测试的结果表明Block RAM可以实现真正的双端口独立工作,其6种位宽模式和3种写入模式功能正确,开关参数延迟可以达到2.25ns,与Xilinx同等功能、规模的芯片Virtex-4中内嵌Block RAM相比,性能接近.