一种片上可配置安全网络适配器的设计与实现

 为了满足当前高速网络传输处理中安全性与实时性的要求,以AES-128/192/256算法为基础,设计了一种采用流水可重构技术的AES加/解密IP核,并通过SOPC技术将该IP核、Nios II处理器、网络控制器等功能模块与外围设备进行集成,实现了一个可根据具体应用资源多少与安全系数要求而灵活配置的片上网络适配器.本设计采用硬件描述语言VHDL设计,利用Quartus Ⅱ8.0进行了综合与布线,最后在DE2实验平台上进行下载测试验证.整个设计硬件结构简单、安全性高、运行速度快、灵活性强,可被广泛应用于网络信息安全领域.     

新的加密标准AES的研究和实践

AES是一种新的加密标准,本文介绍了5种AES的候选加密算法,然后对中选AES标准算法Rijndael的加密原理、加密过程、函数定义、密匙扩展过程、解密过程进行研究并作了具体的实践.     

AMT及其复合物在青铜表面形成保护膜的耐蚀性研究

经AMT复合物处理的青铜表面上形成的保护膜,通过电化学方法、盐雾试验、湿热试验和盐水浸渍试验结果表明其耐蚀性优于AMT和BTA 在青铜上形成的膜. AMT复合物已应用于战国时期青铜文物保护中,使青铜文物呈现"不改变文物原貌"的要求,并将此青铜文物置于冷热和干湿的环境下,历经4 a观察,未发现任何变化.此外,通过XPS、AES和STM分析表明AMT及其复合物在青铜表面上形成保护膜的结构为Cu|Cu2O|Cu+AMT,并由STM分析观察得到膜的微观结构特征是由一种结构单元呈线性,各线型结构单元之间是相互平行或呈一定角度排列在青铜表面上,且层与层之间是交错排列的致密的有机络合聚合物膜,揭示青铜上形成保护膜具有优良的耐蚀性的机理.     

一种将AES和SSL结合的数据加密算法

分别介绍了高级数据加密标准AES与网络通信加密协议SSL的原理,基于AES算法的性能分析,结合SSL协议身份鉴别、授权认证的优势,将AES与SSL相结合,提出了一种适合于网络实时数据传输安全的新的数据加密算法.最后,重点阐述了该算法的原理及实现过程,并通过测量数据加密传输的网络延时证实:AES与 SSL相结合的混合加密算法在实现授权认证功能、安全密钥传输的基础上,仍继承了 AES算法的实时性,是远程实时数据安全传送的理想算法.     

Rijndael算法及其性能分析

首先介绍了Rijndael算法的设计方法，它主要由三个函数变换层构成，线性混合层，非线性变换层和密钥加层，然后分析了Rijndael算法的性能和安全性，最后得出结论：Rijndael算法是一个安全性好，运算效率高，灵活性强，存储要求低的算法，该算法对当前的各种威胁是免疫的。     

原子发射光谱法测定中药材微量元素的研究

在中药材中 ,除含有机成份外 ,还含多种对生命机体有特殊作用的无机微量元素[1] ,它们都以络合物形态进入人体细胞组织内 ,以补充调节人体微量元素的不足与平衡 ,达到治病的目的[2 ] .因此对中药材中微量元素的分析 ,具有重要的意义 .关于中药材中微量元素对人体健康的影响 ,已引起许多研究者的重视 ,亦有不少对中药材中微量元素测定研究的报道 .其中以ＩＣＰ /ＡＥＳ法在党参与连翘标准物质研究中作为定值方法[3 ] .我们在已有研究的基础上 ,采用如下方法研究中药材中的微量元素 ,即通过干法、湿法预处理样品的对比试验 ,选择ＨＮＯ3 /Ｈ2 …     

Rijndael加密算法的已知答案测试

详细介绍了Rijndael算法的工作原理,指出Rijndael的优缺点,说明了在AES算法征集中Rijndael算法最终获胜的原因.在完整实现Rijndael算法的基础上,采用已知答案测试,进行了可变密钥测试,可变明文测试,已知表数据测试,中间过程变量测试,验证了Rijndael算法的正确性和稳定性.RAM容量有限情况下,通过使用缓冲器计算轮密钥,几乎不出现计算负荷.图3,表2,参6.     

Rijndael加密算法及其实现

对Rijndael加密算法的数学基础和设计原理进行了简要介绍 ,并就该算法的实现提出了技巧性的意见。     

钢铁表面Cu—Sn—P／Ni—Sn—P合金复合镀层的结构和性能

钢铁表面浸镀Cu-Sn-P合金，得到金黄色仿金镀层．在金黄色镀层上化学镀法Ni—Sn—P合金，形成Cu-Sn-P／Ni-Sn-P合金复合镀层，确定了镀液的最佳组成和工艺，用盐水浸泡测定复合镀层的防腐蚀性，用SEM，XPS和AES谱分析镀层的表面形貌、组成、结构和性能．结果表明，合金复合镀层使钢铁耐腐蚀性得以改善，Cu—Sn—P镀层可表示为Cu—Sn—P／CuxOy／SnxOy；Ni—Sn—P镀层可表示为Ni—Sn—P／NixOy／SnxOy，各元素的相对原子百分浓度分别为Ni52．2％，O6．9％，Sn18．7％，P12．9％，Fe9．3％．     

SiO_2/GaAs界面的AES深度分析

利用 AES 和离子溅射剥离技术,对 SiO_2/GaAs 界面进行了深度分布测量.SiO_2膜是采用 CVD 方法在400℃下淀积在 GaAs 衬底上的.结果表明,在界面区中存在 Ga的氧化物(可能是 Ga_2O_3)和自由元素 As,即这种界面实际上是 SiO_2/Ga 的氧化物十元素As/GaAs 系统.