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421.
本文报导了Na4〔HgⅡ(nta)2〕·7H2O(nta3-=氨基三乙酸根)配合物的合成并测定了它的分子结构和晶体结构.具体结果如下:单斜晶系,Cc空间群,a=17.980(4),b=8.929(2),c=15.754(2),β=92.78(3)°,V=2526.2(9)3,单位晶胞中的分子数为4,Dc=2.107g·cm-3,μ=6.250mm-1,F(000)=1528,对于2450个独立的衍射点,它的R和Rw值分别为0.0487和0.1434.从最终分析结果来看,〔HgⅡ(nta)2〕4-是一个八配位的变形立方体结构.由此可知具有对称电子结构(d10)的HgⅡ由于有着较大的离子半径,即使与易形成低配位数配合物的配体nta3-,也仍然形成了1∶2这样高配位数的配合物  相似文献   
422.
研究了1000℃(1#)和450℃(2#)条件下烧结的PbTiO纳米晶,在外电场处理前后的表面光电特性.结果表明,外电场的处理对PbTiO3纳米晶表面光电特性的影响具有明显的尺寸效应:经外电场处理后1#PbTiO3纳米晶表面光优响应没有变化;2#PbTiO3纳米晶变化明显.  相似文献   
423.
简述了磁翻牌显示屏工作原理、特点及其扫描器改进设计功能要求,介绍了单片机扫描器改进设计的硬件、软件组成,及其使用方法和效果.  相似文献   
424.
合成了2_甲基_3_三氯锡基丙酸甲(乙)酯与吡啶.二正丁基亚砜及水扬醛缩邻甲基苯胺等单齿配体的配合物,并通过元素分析,IR.NMR等进行了表征,结果表明配合物为六配位的有机锡化合物.  相似文献   
425.
ε-六硝基六氮杂异伍兹烷结构的理论计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文用PM3方法优化ε-HNIW的几何构型,在理论上讨论了它的高爆炸性能  相似文献   
426.
本文研究了Ni2+离子在LiNbO3晶体中的占位.采用完全对角化哈密顿矩阵方法,计算了Ni2+:LiNbO3的零场分裂和光谱结构,计算值与实验观测值一致.研究表明,Ni2+离子占Li+位并且沿C3轴向氧八面体中心移动约0.22  相似文献   
427.
研究了以奔腾系列微机和Mapinfo软件系统为主要手段构建北京山区资源管理空间信息系统的过程,包括系统的结构化设计、实施、研建等,最后分析了本系统在资源管理、分析评价、资源开发规划等领域的应用.  相似文献   
428.
用胶体化学方法制备了稀土铕(Eu)二苯甲酰甲烷(DBM)和氯化十六烷基吡啶(CPC)超微粒水溶胶[Eu(DBM)3]·CPC,通过光谱性质的测定,结合透射电镜(TEM)观测,研究了[Eu(DBM)3]·CPC超微粒的粒径对光谱的影响.结果表明:由于[Eu(DBM)3]·CPC超微粒的小尺寸效应,其光谱性质明显不同于体相材料.并初步地讨论了微粒的尺寸效应对分子内能量传递的影响  相似文献   
429.
邱晓燕 《漳州师院学报》1996,10(2):62-64,12
使用CCED5.0软件编制企业统计、经营报表及应用技巧。  相似文献   
430.
c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.  相似文献   
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