在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法.用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜,能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体,光学椭偏测定氧化层的膜厚.探讨了氧在薄膜中的扩散,在Wagner理论基础上,用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系.     

准经典轨迹法研究Ni(3F4)+H2(X1Σ+g)反应

基于多体展式方法所导出的NiH2(3Δg)解析势能函数,用准经典的Monte-Carlo轨迹法对Ni(3F4)+H2(X1Σ+g,v=j=0)的分子反应动力学过程进行了计算.结果表明此反应的主产物为交换反应Ni(3F4)+H2(X1Σ+g,v=j=0)→NiH(X2Σ+,v′,j′)+H(2Sg)的NiH(X2Σ+,v′,j′),没有发现NiH2(3Δg)络合物,从反应截面σr与相对平动能Et的关系发现该反应为有阈能反应,阈能值为33.87 kJ/mol.同时,由于Ni的质量比氢的大,发生的是直接碰撞,产物散射角分布是向前的.     

铑(Ⅲ)与5-NO2-PADAT配合物催化氢波及其应用

在pH4．5的HAc-NaAc缓冲介质中，铑(Ⅲ)与5-(5-NO2-2-吡啶偶氮)-2，4-二氨基甲苯(简称5-NO2-PADAT)生成稳定的紫红色配合物，并在适量的HClO4底液中于-1．03V(vs SCE)处产生灵敏的催化波，据此建立了一种催化极谱法测定痕量铑的新方法。测定铑的线性范围为4．0～130ng／L，检出限为1．4ng／L。     

干燥控制化学添加剂在制备硅气凝胶中的应用

以硅溶胶为主要原料,通过硅溶胶体系的凝胶过程中添加干燥控制化学添加剂(DCCA),并结合非超临界干燥技术制备了硅气凝胶,研究了DCCA对凝胶过程和最终所得气凝胶品质的影响。DCCA能使凝胶的生成时间增加,凝胶结构均匀化,构成凝胶的基本微粒的粒径有所减小。在一定的DCCA添加量范围内,随着DCCA添加量的增加,所得气凝胶样品的密度有所减小,比表面积增加,微观结构变得更加完善,孔分布也更加集中。不同DCCA对气凝胶品质的影响规律不尽相同,气凝胶的品质就有可能通过调节添加DCCA的种类和量得到控制。     

60Si2CrVA弹簧钢热处理工艺及性能研究

主要研究了 60Si2 CrVA弹簧钢的热处理工艺与性能的关系 ,通过采用不同加热时间淬火和不同温度下回火实验 ,测定其硬度和机械性指标并观察其金相组织 ,从而找出该钢种最佳热处理工艺以及最佳综合机械性能并得到回火系列金相图谱 .     

MPEG-2传输流再复用器的设计

提出一套MPEG—2传输流再复用器的设计方案。该方案采用CAM RAM组合代替简单的RAM结构用于构造PID信息表，在保证速度的基础上，大大节约了资源；提出了“两步法”PCR校正算法，在保证节目时钟基准(PCR)校正精度的基础上，大大减小了硬件设计的复杂度；基于该再复用器，提出了MPEG—2传输流、纯数据、主控机插入等几种实用的数据插入方式，以适应不同的应用环境。     

椭圆偏振谱学法研究Ni(OH)2/NiOOH电极的性质

应用现场椭圆偏振光谱技术并结合循环伏安法。研究了镍电极表面Ni(OH)2与NiOOH的相互转化，以均匀膜模型拟合实验数据获得表面膜厚度的变化规律，采用以光学参量变化速率(Vop)为参数的椭圆偏振光谱方法能直接反映出体系的特征．Vop参量与表面膜厚度的变化率间存在密切关系,Vop反映了电极表面表面膜厚度的变化率．     

多模相关的两种RD理论特点和应用分析

以轴和弹簧的多种失效模式的可靠性求解为实例，主要介绍并分析了在多种失效模式相关时，O．Ditlevsen可靠性理论和零件多模相关可靠性理论的区别，并比较后得出它们各自不同的特点。相对于O．Ditlevsen可靠性理论，零件多模相关可靠性理论计算方法简单、计算精度提高、使用范围扩大。     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。