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101.
基于广大极值分布的高频极值条件VaR模型 总被引:3,自引:0,他引:3
在考虑当前预期和波动性条件下,为了有效地捕获极端条件下收益率时间序列动态特征,提高VaR的度量精度,建立了基于高频数据的条件极值VaR模型.应用智能优化算法对条件极值分布的时变参数进行估计,考察了在不同样本容量分块下的条件极值VaR,并对VaR计算结果的精度进行了Kupiec-LR检验和动态分位数检验.研究结果表明,基于高频数据的条件极值分布较好地拟合了极端条件下的收益率特征,与McNeil提出的传统条件极值VaR相比,应用高频数据建立在条件广义极值分布基础上的条件极值vaR的Kupiec检验DQ检验值都较为理想,表明该模型能够捕捉到我国市场风险特征,提高极端情况下风险测度能力. 相似文献
102.
电磁兼容性是指设备在规定的电磁环境中,不因受电磁干扰而降低工作性能,以及它本身的电磁发射不应大于规定的极限值,以免影响其它设备的正常工作。电磁干扰可通过传导、辐射(或感应)的途径传播。电磁兼容性用电磁发射(传导、辐射)和敏感度来衡量。由于开关模式电源的高效电能转换能力,已广泛应用于工业与民用的电力变换与传动控制中。随着开关模式电源器件的实用化和大容量化,采用高频开关模式解决电能变换和传输已成为必然趋势。但也不可避免地带来开关换流过程所衍生的电磁干扰问题。本文给出了其难以抑制的原因及解决难点的措施。 相似文献
103.
在川西拗陷中三叠统雷口坡组沉积背景研究基础上,通过岩心、薄片观察和测井、地震资料分析,运用层序地层学原理,研究雷四3亚段高频层序发育特征,对雷四3亚段进行精细层序地层对比,落实层序地层在研究区展布情况,探讨其发育控制因素及与储层发育的关系.雷口坡组可划分出2个Ⅲ级层序,雷四3亚段发育于第2个Ⅲ级旋回sQ2高水位体系域,进一步可识别出2个Ⅳ级层序和7个Ⅴ级层序.在高频层序划分的基础上,建立了雷四3亚段高频层序地层格架,以Ⅴ级层序为单元,对研究区雷四3亚段地层进行精细对比发现,层序地层横向具有较好的对比性,XS1井、DS1井、TS1井缺失顶部地层,分析认为与印支期地层剥蚀有关.川西拗陷雷四3亚段层序发育主要受海平面升降、构造运动及气候影响,Ⅴ级层序以向上变浅的旋回为主,溶蚀作用主要发育在Ⅴ级层序中上部,易形成优质溶蚀型储层. 相似文献
104.
针对电可擦除编程存储器(EEPROM)存储单元的读出电流需要被精确检测的问题,该文提出了一种对EEP-ROM存储单元进行工作电流检测的电路,该电路主要用电流镜来搭建,和读出电路中的灵敏放大器相连。在检测时用电流镜电路把灵放的读出电流镜像到电流检测的输出端。模拟结果显示,用这种检测电路来检测读出电流可以取得较高的精度(98.5%)。同时,电路本身结构简单,在实际中易实现。 相似文献
105.
利用晶体管的雪崩特性,本文设计制作可以按需要改变输出脉冲宽度的毫微秒脉冲发生器,可获得上升时间Ins、50Ω负载下最大输出脉冲幅度35V、脉冲成形宽度20ns、最大重复频率60kHz的毫微秒脉冲。 相似文献
106.
在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明,晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关,而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。 相似文献
107.
美国加州理工学院的工程师团队首次开发出一种可在微秒之间,对智能手机和电脑中从电池到总晶体管等故障自行修复的集成芯片。加州理工学院工程和应用科学部高速集成电路实验室的研究团队,在小功率放大器里证明了这种集成芯片的自愈能力。容纳了76个芯片的该放大器尽管非常小但拥有却包括自我修复所需要 相似文献
108.
109.
本文以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础,推导出RG-MOSFET一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。 相似文献
110.
Nonsynchronous trading is one of the hot issues in financial high-frequency data processing. This paper extends the nonsynchronous trading model studied in [1] and [2] for the financial security, and considers the moment functions of the observable return series for the extended model. At last. the estimators of parameters are obtained. 相似文献