全文获取类型
收费全文 | 163篇 |
免费 | 10篇 |
国内免费 | 11篇 |
专业分类
系统科学 | 5篇 |
丛书文集 | 4篇 |
教育与普及 | 12篇 |
理论与方法论 | 5篇 |
现状及发展 | 3篇 |
综合类 | 155篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 12篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 11篇 |
2008年 | 9篇 |
2007年 | 7篇 |
2006年 | 10篇 |
2005年 | 19篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
排序方式: 共有184条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
当高功率激光在克尔介质中传输时,低频随机位相噪声可以用高斯函数来描述,应用BT理论对低频随机位相噪声对光传输的影响进行了研究,低频随机位相噪声使功率增益谱低频部分的曲线产生了起伏,使中高频的振荡峰值明显增高,并且峰值向高频方向移动. 相似文献
12.
在高功率钕玻璃激光系统中,使用三程放大技术,从一级钕玻璃放大器(钕玻璃棒φ20×500,双灯泵浦)中获得了约230倍的增益,同时实现了准确的光路延时。 相似文献
13.
在激光聚变需求牵引下,高功率固体激光技术走过了30多年的发展历程。在世界范围内,美、日、法、中、英、俄等国先后建造了20多台大型装置,输出能量初期仅百焦耳级,后来增大到数万焦耳,固体激光技术得到长足发展。近几年来,几个大国都在建造巨型激光装置,如美国和法国正分别建造国家点火装置NIF和兆焦耳激光器LMJ,我国在研制神光-Ⅲ激光装置,俄国也在计划建造Iskra-6激光装置。这一代激光装置的研制不但在科学技术上提出了许多新需求,从而把激光科学技术发展推向新的历史阶段,而且就其规模、投入、周期和风险而言,是前所未有的大光学科学工程。从工程科学的角度去研究如何才能建造出性能优良和效费比高的巨型激光装置是需要回答的具有挑战性的新课题。 相似文献
14.
<正>形形色色的新概念武器开辟了战争的全新领域,代表了未来武器装备的发展方向。它们陆续实用化,并将在未来信息化战争中发挥重要作用。除了激光武器之外,电磁炮、动能拦截弹、粒子束武器和微波武器都是新概念武器中的典型代表。 相似文献
15.
16.
采用尖晶石LiMn2O4材料制作了18650型锂离子电池, 分析了影响锂离子电池大电流放电性能的主要因素如极耳、极片、电解质溶液等。又采用新型正极材料LiMnxNiyCozO2开发出性能更优越的18650型高功率锂离子电池, 该电池可10C连续放电和8C快速充电, 并具有优秀的循环性能和搁置性能。18650型高功率锂离子电池的开发, 为研制混合电动车(HEV)用高功率锂离子电池提供了实验依据。 相似文献
17.
全国产化掺镱双包层高功率光纤激光器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的大模面积双包层光纤和光学耦合系统以及国产的LD泵源,研制开发出一种便携式掺Yb3 双包层光纤激光器,最大激光输出功率达到了12.73W,斜率效率为76.9%,激光器的光-光转换效率为45%.实现了全国产化的、高功率、高转换效率的稳定激光输出,而且具有较高的光束质量.给出了该激光器的实验结果,并对其主要特性进行了简要的分析. 相似文献
18.
19.
高功率短脉冲激光照射下生物组织内的热传导研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用响应时间为1μs的超小型薄膜铂热电阻温度计及日本YOKOGAWA DL2700高速数字示波器,对微秒量级脉冲激光照射下离体动物组织内的热传导进行了实验研究,结果发现:在激光脉宽较短时,组织内出现了非傅时叶导热现象,脉宽越短,组织厚度越薄,非傅时叶导热特征越明显,功率密度和光斑直径只影响温度上升的高低,对是否会出现非傅里叶导热没有影响。 相似文献
20.
通过采用时域有限差分方法 (FDTD)和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组 ,建立PN结半导体器件在高功率微波 (HightPowerMicrowave)激励下瞬态响应的一维模型 ,并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算 ,从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究 .计算表明 ,二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近 ,器件的热击穿应发生在信号的正半周期内 ,10GHz应可视为该二极管对微波信号响应的截止频率 相似文献