Wien bridge电流模式正弦波振荡器的AOA实现

以传统的Wien bridge电压模振荡器为原型,根据网络与其伴随网络传输函数相同的特点,用伴随运算放大器(AOA)和分立电阻及电容设计出Wien bridge电流模式振荡器,该电路不仅具有速度高、频率高、电压低及功耗小等电流模电路的特点,而且振荡频率和输出幅度可独立的调谐;振荡频率和输出幅度与负载大小无关;振荡频率受寄生电容影响小,输出频率的精确度、稳定度高,电路比较简单,既适合分立电路使用,亦适合VLSI单片集成。计算机仿真证明该设计正确.     

Ka波段相对论契仑柯夫器件研究

在采用通用线性理论分析的基础上,提出采用具有大口径、浅褶皱及短周期分段式慢波结构的绕射辐射振荡器来产生8mm波段的电磁辐射。在PIC模拟基础上,完成器件的设计加工,成功地对器件进行了实验研究,检测到8毫米波段的高功率微波输出。     

向内发射同轴虚阴极振荡器的优化

为提高虚阴极振荡器微波能量转换效率,使用2.5维全电磁P IC(particle in ce ll)软件对向内发射同轴虚阴极振荡器进行数值模拟,优化设计了阳极反射板与阴极发射区之间距离D,并研究了阳极网透射区宽度B对能量转换效率的影响。模拟发现:选取适当的D值可提高效率,同时随着B的增大,能量转换效率逐渐增大并趋近一稳定值。模拟所得微波振荡主频与理论值符合较好。优化结果为:在阴、阳极半径分别为7 cm和5.5 cm,二极管电压250 kV,电流20 kA条件下,得到主频3.45 GH z,3 dB带宽约3%,微波功率310MW,能量转换效率6.8%的窄带微波输出。     

用于波束扫描的二维圆形耦合振荡器阵列

提出了基于相邻耦合的圆形耦合压控振荡器相位阵列。从阵列独立单元的非线性动力学方程出发,建立了该相位阵的连续相位数学模型,分析了阵列相位分布函数,对称地调节圆域边界振荡器的自由谐振频率时,阵列的稳定工作频率不变,相位在阵列中实现了线性分布,加上辐射单元后该圆形阵列可用于空间波束扫描。     

双层结构微波纳米振荡器件的振荡特性调控

针对由垂直磁化和面内磁化的CoPtCr合金组成的双层结构微波纳米振荡器件,本文利用微磁模拟软件OOMMF研究了其在电流驱动下的振荡特性,并提出了不同的纳米柱阵列结构以提高振荡器整体的功率输出。结果表明,纳米柱截面尺寸保持不变,当面内磁化区域的厚度超过20 nm时,其对双层纳米柱产生的振荡频率不再影响,振荡振幅则随厚度的增加而继续增大。本文提出了平行四边形结构排列的双层纳米柱阵列,各纳米柱之间锁相情况较好,在电流密度为3.89×10~(11) A/m~2的驱动下,纳米柱阵列整体产生的振荡振幅为单个纳米柱产生振幅的3.6倍左右。     

可修调高稳定性RC振荡器设计

设计了一种广泛应用于开关电源的可修调高稳定性单边锯齿波RC振荡器。采用芯片内部5 V线性稳压电源供电,用外部电阻电容确定振荡频率,加入电阻修条技术以调整由于工艺容差引起的振荡电路放电时间的变化。在输入电压为4.9～5.1 V,温度范围为-55℃～125℃,以及三个电阻工艺容差的情况下,进行了HSpice仿真,结果表明,同一工艺条件下振荡器周期的最大偏差为2.8。使用1μm双极工艺流片,振荡电路测试结果表明,频率偏差仅为1.8。     

基于变压器耦合的互补型LC压控振荡器

设计了一个基于变压器(transformer)耦合的互补型全集成CMOS LC压控振荡器(VCO).与传统结构相比,利用变压器耦合形成正反馈环路,增大输出振幅,使得电路更加易于起振;同时,采用电流复用技术,有效降低功耗.VCO采用65nm CMOS工艺设计,利用开关电容阵列(SCA,switched capacitor array)进行频率调谐,调谐范围18%(3.0~3.6GHz),相位噪声-118dBc/Hz@1MHz频率偏移,品质因数FoM(figure-of-merit)188dBc/Hz,直流功耗0.96mW.     

应用粒子成像测速技术测量压力振荡器的瞬态流场

利用以两台大功率脉冲激光器为双脉冲光源的粒子成像测速 (PIV)技术 ,测定了驻波管型正弦压力振荡器二维振荡射流瞬态流场 ,对示踪粒子的跟随性进行了比较 ,分析了示踪粒子在流场中的浓度分布对成像质量的影响。实验结果表明 ,环形喷嘴射流与尖劈之间存在交错的、方向相反的旋涡是使整个系统产生流体自激振荡的原因 ,环形喷嘴与尖劈之间的距离对瞬态流场有明显的影响。由双脉冲激光作光源的PIV系统具有脉冲间隔调节范围宽、测量精度高等特点 ,非常适合于从低速到高速全范围的流场测量     

35GHz高线性VCO的研制

讨论了毫米波ＶＣＯ电调特性的开环线性校正原理，采用模拟断点式线性校正器对３５ＧＨｚ ＶＣＯ电调特性进行了开环线性校正。实验结果表明，该３５ＧＨｚ高线性ＶＣＯ在１２０ＭＨｚ电调带宽内电调非线性度小于１％，输出功率大于６０ｍＷ，频谱质量良好，满足系统指标。