铁铝原子在金属间化合物形成中的扩散

采用铁铝扩散偶,研究铁铝原子在化合反应中的扩散和金属间化合物的形成机理,扩散偶在铁铝低共熔反应温度上下进行热处理,结果表明,扩散偶在低于共熔反应温度处理时,在扩散偶铁－铝界面铁的一侧,通过铝原子的扩散,形成了富铝相金属间化合物ＦｅＡｌ２;而在高于共熔反应温度处理时,则在铁－铝界面上,通过铁、铝原子的互扩散形成了金属间化合物Ｆｅ３Ａｌ５,并随时间向两旁生长,两种化合物均为多孔体。研究发现铁、铝原子的     

砷酸钛氧钾铁电薄膜的研制

ＫＴｉＯＡｓＯ４（ＫＴＡ）晶体是一种新型的性能优良的铁电晶体,它的电光效应和非线性光学效应尤为突出,使得它在光电子技术及非线性光学领域有一系列重要应用［１］．ＫＴＡ与另一种已知的性能出众的非线性光学材料ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）相比,具有更高的非线性光...     

软磁Fe基纳米微晶的穆斯堡尔谱研究

对纳米软磁合金Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ２ｓＩ１２．５Ｂ１０的制备态和各退火态的室温Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱研究,发现非晶相的超精细内场存在高场和低场两部分,     

FeⅡ-TPPS_3配合物光谱电化学研究

用吸收光谱、单扫描极谱及光谱电化学方法研究Ｆｅ２＋三磺基四苯基卟啉（简写为ＴＰＰＳ３）的水溶性配合物在ｐＨ～４．０的ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲体系中的性质。实验证明Ｆｅ２＋与ＴＰＰＳ３在９０℃下加热８０ｍｉｎ可以反应完全,配合物主要以ＴＰＰＳ３二聚体和ＴｅⅢ－ＴＰＰＳ３单体的形态存在于该介质中,Ｈ＋参与了配合物的电极反应,Ｆｅ－ＴＰＰＳ３体系中配合物的组成比为１∶１,ＦｅⅢ－ＴＰＰＳ３在电极上还原为ＦｅⅡ－ＴＰＰＳ２为不可逆过程。     

分次根NG（R）和δG（R）的刻划

对一般Ｍｏｎｏｉｄ分次环Ｒ（未必有１）,给出了其分次素根ＮＧ（Ｒ）和分次Ｂｒｏｗｎ－ＭｃＣｏｙ根的元素特征刻划。     

用非对称零标架研究Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞Dirac粒子的热辐射

用一种非对称零标架研究了Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞的Dirac方程，对所得方程的各项系数进行了讨论，得出了黑体谱、Hawking温度与视界表面引力．     

Fe3+离子在低品位铜矿生物浸出中的行为分析

生物浸出中容易产生铁矾而影响目的矿物的浸出速度。文中就这一问题，围绕与Fe^3 有关的各种因素进行了详细分析，旨在充分发挥Fe^3 离子的氧化作用，又尽量减少其产生的负面影响。分析表明，在驯化适应低酸条件下浸矿细菌的基础上，合理调配酸性介质pH值、铁浓度、细菌氧化活性、氧化还原电位Ek值之间的关系，能使铁产生的沉淀降到最小化。     

(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电性能研究

用静态法对不同制备工艺和不同PZT掺杂量的(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电系数进行了测试,发现随着PZT掺入量的增加逐渐降低PSTZT陶瓷的热释电系数.采用两步法工艺制备的PSTZT陶瓷和在较高烧结温度下制备的PSTZT陶瓷的热释电系数较大.     

MgO掺杂对Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3陶瓷结构和性能的影响

用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14℃时测量的电滞回线表明MgO掺杂后陶瓷的自发极化和矫顽场均减小,说明陶瓷的铁电性能减弱.     

铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.