脉冲宽度对短脉冲激光诱导材料损伤研究

多光子离化和雪崩离化是激光诱导薄膜材料损伤的主要机理,但足其各自起到的作用随激光脉宽的变化是不同的.本文基于Stuart等人的电子密度演化方程,运用数值模拟方法,研究了单脉冲激光作用下熔融石英中电子密度的演化过程;讨论了脉宽对阈值功率密度和薄膜损伤阈值的影响,脉宽对多光子离化和雪崩离化的影响.     

满足k阶严格雪崩准则的多值逻辑函数的谱特征

给出了剩余类环Zm上逻辑函数的k阶严格雪崩准则(SAC)的概念, 用概率方法证明了m值逻辑函数满足高阶严格雪崩准则时一定满足低阶严格雪崩准则, 并借助Chrestenson谱给出了m值逻辑函数满足k阶严格雪崩准则的一个充分必要条件。     

雪崩光电二极管APD直流偏压源设计

文章介绍了雪崩光电二极管APD的特性,设计了一种APD工作时的直流偏压源电路,提出了温度变化时偏压源的修正方案.     

MRPC性能参数拟合分析研究

根据带电粒子在薄层气隙中能量沉积的原理,用Landau函数拟合MRPC信号幅度谱比用高斯拟合可以给出更准确的幅度谱峰位,对所有pad的雪崩信号上限采用了统一的标准.通过研究pad的幅度谱峰位和雪崩信号比例与时间分辨的关系,给出了在测量时间有限的情况下MRPC的时间分辨要达到合格标准时MRPC雪崩信号幅度谱必须达到的指标.     

漏雪崩热载流子应力MOSFET的1/f噪声产生机理研究

研究了DAHC(漏雪崩热载流子)应力下MOSFEF的1/f噪声特性.从各种热载流子与缺陷相互作用的角度,进一步研究了DAHC应力MOSFEF的1/f噪声产生机理,合理解释其作为器件最大损伤应力.基于噪声机理明确了DAHC应力下MOSFEF的1/f噪声模型中各系数的物理意义,给出一个较明晰的各种热载流子与缺陷相互作用产生噪声的物理图像.进行了MOSFEF的DAHC应力实验,得到了其电参数和噪声参数.实验结果和本文模型符合良好.     

单光子雪崩二极管行为性仿真建模

提出了一种精确的单光子雪崩二极管(SPAD)行为性仿真模型.解决了SPAD模型仿真雪崩电流时难收敛的问题,建立了SPAD器件直流和交流特性基本功能的仿真模型.进行了模型功能的拓展,根据后脉冲与暗计数的产生机理,实现了对这两种最重要的统计效应的模拟.模型使用模拟硬件描述语言Verilog-A实现,具有很强的移植性和通用性.模型的基本功能仿真结果与实测结果达到90％以上的一致性,验证了该模型具有较高的仿真精度和很好的仿真收敛性,而暗计数和后脉冲的仿真功能增加进一步提高了模型的实用性.     

砷化镓光导开关中的电子雪崩域

分析了高增益砷化镓光导开关中载流子的碰撞电离现象,阐明了光致电离效应和转移电子效应高场畴的意义,揭示了电子雪崩域形成的充分必要条件和载流子的局域雪崩生长特性,理论分析与实验观察一致.     

固体激光器的快速电光Q开关驱动电路的实验研究

比较了三种不同的电光调Q驱动电路。电子管式调Q电路工作稳定,退压沿70ns左右,但空间体积大,激光脉冲能量较低;雪崩管串联武调Q电路退压时间大约为20ns,输出激光脉冲能量高,脉宽窄;MOSFET管串联调Q电路,简单可靠,单管耐压高,退压时间为50ns。     

P—N结器件模拟参数的确定

在给出半导体器件模拟基本方程的基础上,为减少模拟过程中的运算量,对模拟中所需的参数在何种状态下才开始起作用加以讨论,如载流子的雪崩系数,只有当电场强度达到某一值时才会考虑由于碰撞电离而引起的电子和空穴的产生,即载流子的雪崩系数,从而影响载流子的产生率。同时还给出了载流子的复合率,迁移率,本征载流子浓度,能带宽度,热传导系数随电场或温度的变化规律。     

基于神经网络的雪崩光电二极管SPICE模型构建

针对雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode， APD）雪崩前后电流数量级相差大、I-V特性曲线变化剧烈的特点，在对I-V特性数据进行对数化、归一化预处理的基础上，采用浅层神经网络完成I-V函数拟合，并进一步优化神经网络结构以提升模型准确性. 在此基础上，使用Verilog-A硬件描述语言实现APD的SPICE模型，并应用Cadence软件设计电路验证模型的有效性和准确性，引入相对误差评估模型的准确度.结果表明：优化后的神经网络学习的I-V特性函数与TCAD仿真数据的均方误差损失为2.544×10-7，SPICE模型验证电路采样数据与TCAD仿真数据的最大相对误差为3.448%，平均相对误差为0.630%，构建SPICE模型用时约50 h，实现了高精度、高效率的器件SPICE模型构建，对新型APD的设计与应用具有重要指导意义.