从Si到快速热氮化SiO_2膜的雪崩热电子注入

本文报道了MIS电容从Si到快速热氮化SiO_2膜的雪崩注入电流、平带电压漂移和雪崩注入技术所使用的驱动信号参数三者关系的实验结果,同时结合电子陷阱、氮化工艺、界面陷阱和少子寿命等因素对实验结果作了解释和讨论。     

吸收倍增分离式雪崩光电二极管的噪声模型研究

针对雪崩光电二极管吸收区与倍增分离的特点及其噪声特性,在已经存在的SAM-APD的电路模型的基础上,应用载流子的速率方程,建立SAM-APD的噪声电路模型.仿真结果表明,该模型的输出特性与实际器件的实验数据基本相符.该模型也为APD器件的工艺制造奠定了一定基础.     

InGaAs/InP SAGCM APD的电流响应模型研究

从吸收、渐变、电荷和倍增层分离型(SAGCM) InGaAs/InP APD的器件结构和工作原理出发,分析了载流子扩散、产生-复合等影响暗电流的主要因素,推导了光电流响应和碰撞电离倍增因子的表达式,同时考虑了温度和高偏压下隧穿效应的影响,构建了完整的电流响应模型．模型使用与通用电路仿真器完全兼容的Verilog-A语言进行描述,适用于Cadence电路设计平台中与外围电路进行协同仿真．结果表明：在300 K下模型仿真结果与实验数据在60 V偏置电压范围内均处于同一数量级,验证了所构建的APD器件模型的精确度,为光电探测系统的协同设计与整体优化提供了参考．     

与CMOS相容的嵌入式NVM技术

嵌入式NVM增强片上系统的功能和灵活性。对只需有限密度有限性能的嵌入式NVM的应用,传统的浮栅/SONOSNVM成本昂贵。与CMOS相容的嵌入式NVM技术是当前工业界的成功解决方案,并在诸如模拟技术微调应用中的位元级一直到数据或代码储存的千位元等级取得越来越广泛的应用。本文描述了与CMOS相容的嵌入式NVM技术的基本原理及特性,并简要介绍了工业界几种具代表性的与CMOS相容的嵌入式NVM技术。本文重点分析了我们在技术研发中遇到的独特的挑战及其解决方案。实验结果证明我们的方案有效地解决了面临的问题。     

APD光子计数图像的蒙特卡洛仿真与实现

该文应用统计光学理论研究微光成像;结合雪崩光电二极管(APD)光子探测器件的工作特点,采用蒙特卡洛方法模拟光子计数图像的成像过程。结果表明,通过基于器件特性和光子运动统计规律的仿真实验可以获得光子计数图像。以仿真流程为依据搭建了固态APD光子计数成像实验系统。在10-5lx环境照度下,通过对目标扫描得到一系列光子计数值。将光子计数数据进行存储和运算,恢复了光子计数图像。实验证明,基于APD的成像系统可以实现微光环境下目标的二维探测成像。     

埃尔莫火球和千岛火

远在2000多年以前，北非的迦太基军队，在著名的统帅加尼巴尔的指挥下，要穿越阿尔卑斯山。幽深的谷地，陡峭的悬崖，突发的雪崩，无情地夺去了许多士兵的生命，一时间，军心涣散，士气大减。就在这关键时刻，一种神秘的自扰现象帮了加尼巴尔的大忙，使他得以重振军威。     

雪崩的震撼

从波密县城扎木镇乘车前往南面的嘎隆拉山口,是1998年4月我们这支科学探险队春季考察雅鲁藏布大峡谷预定项目之一,也是我格外神往的地方.我对嘎隆拉的美好印象,最早来自于有关画报.     

具雪崩项的半导体方程的稳态解

本文研究具雪崩项的半导体方程的稳态模型，经过逼近过程和先验估计，在一定条件下，证明了该问题稳态弱解的存在性。     

激光连续探测系统虚警数控偏压源的设计

基于偏压的虚警控制原理，设计了一种自动跟踪雪崩管击穿电压的数控偏压电路，该电路不仅使假压的建立速度和控制精度得到较大提高，而且适用于背景光强和环境温度大幅度变化的连续探测的光电系统。     

带雪崩项的半导体方程弱解的惟一性

研究带雪崩项的半导体漂移－扩散模型方程弱解的惟一性问题，通过利用方程的结构条件和解的性质，经过细致的估计，最后利用Ｇｒｏｎｗａｌｌ不等式，证明了弱解的惟一性。