三种特殊农用地膜效果简介

<正>随着科学技术的日新月异,地膜覆盖技术亦呈现出蓬勃发展的良好势头。据资料介绍,自1981年我区试验推广地膜栽培技术的九年间,我区地膜覆盖面积就达400～500万亩,覆盖作物种类达八种之多。同时,地膜本身亦由单一型向多功能型转变,呈现出良好的发展前景。本文仅就我团近几年来引进试验的三种特殊农用地膜新品种逐一进行简介,以供参考。 1、光敏降解膜:简称光解膜,由石河子塑料制品总厂提供,分别为“91—2#”、“91—3#”、“91—4#”、“91—5#”四个型号。膜厚0.008毫米,膜宽60厘米。设普通膜为对照,共设5个处理,随机排列,重复三次,共15个小区,小区面积36平方米。试验设在148团6连68号棉田,供试品种为新陆早一号。播种铺膜时间为4月25日。观察项目分始裂期、初裂期、大裂期及崩解期四个时期。观察结果表明:四种型号地膜均能光解,且都是先横向裂解,后随裂口增多破裂呈     

硫酸盐还原菌对碳钢腐蚀的影响研究

研究了ＳＲＢ在无氧气氛下对碳钢的腐蚀作用，以ＡＰＩ培养基为基础的腐蚀失重试验表明，在接种ＳＲＢ后，碳钢腐蚀速度明显下降，而当加入Ｆｅ２＋离子后，ＳＲＢ的繁殖速度明显加快，且腐蚀速度的增加幅度更大，进一步的研究结果显示，碳钢在此条件下的腐蚀速度与ＳＲＢ的数量和活性并无直接的关系，而主要在于细菌繁殖过程和钢铁腐蚀过程中，在金属表面所产生的铁硫化物膜的性质     

新型纳米纤维膜对地下水中重金属的过滤去除研究

采用扫描电镜表征了氯化聚氯乙烯静电纺丝纳米纤维膜的微观结构特征，并进行了去除地下水中铜、铅、镉等重金属阳离子的过滤试验，包括直接过滤、加土壤过滤、加硅藻土过滤和胶束强化过滤。结果表明，最佳的过滤工艺是胶束强化过滤，其最佳试验条件是10层膜过滤和5mmol／L的SDBS浓度，对铜、铅、镉的去除率分别超过73％，82％和91％。     

图纹结构Co／Pt多层膜的制备及研究

先采用自组装技术制备大面积有序聚苯乙烯微球模板,在此基础上,制备Co／Pt多层膜纳米碗和纳米点列阵样品．利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对制备样品的表面形貌进行了分析．结果表明：溅射方法和刻蚀处理对纳米碗和纳米点的形貌存在影响,磁滞回线的结果表明倾斜溅射条件下制备的纳米点阵具有明显的方向取向性．     

凋亡细胞线粒体膜电势与物理参数变化的可视化研究

目的: 通过放线菌酮(CHX)诱导HL-60细胞凋亡模型,探讨线粒体膜电势与细胞物理参数的变化.方法:建立CHX诱导HL-60细胞凋亡模型.于6和18 h时点,利用Annexin V-FITC/PI双染流式细胞术检测凋亡和晚期凋亡细胞及坏死细胞比率;利用JC-1染色流式细胞术,通过对对照组和CHX组FL1/FL2散点图上具有不同荧光强度的细胞群划分为R2,R3,R4 3个细胞群,并分别对这些细胞群在FSC/SSC二维散点图上进行反向设门,分析细胞凋亡过程中线粒体膜电势变化与细胞物理参数间的关系.通过透射电镜观察凋亡细胞形态结构改变.结果:CHX可引起HL-60细胞凋亡;与对照组相比,CHX组R2和R3细胞群物理参数为FSC和SSC均显著增高,但线粒体膜电势无显著性差异,P>0.05;R4细胞群则为FSC降低,SSC增高,P<0.05,且线粒体膜电势降低.CHX可诱导HL-60细胞体积变小,皱缩,并出现凋亡特征,如核固缩形成新月体和质膜"出芽"现象.结论:流式细胞仪FSC/SSC图可视为细胞指纹图谱.本模型中线粒体膜电势降低的细胞变小,且颗粒程度增加,可能与细胞凋亡过程中的结构改变有关.     

基于磁控溅射技术沉积光伏电池用硅基薄膜材料的研究

硅基薄膜太阳能电池是光伏电池领域最具有发展前景的组件.采用非平衡磁控溅射技术制备氢化硅薄膜和SiNx/Si纳米多层膜,并对其结构与性能进行了分析.结果表明,Si∶ H薄膜呈现出非晶硅和硅纳米晶颗粒复合结构;随着溅射混合气中氢气含量的增加,Si∶ H薄膜的晶化程度增强;Si∶ H薄膜的光学带隙均高于2.0eV.利用交替磁控溅射方法沉积的SiNx/Si纳米多层膜结构,其呈现出非晶相.     

调制比对TiB2/TiAlN纳米多层膜结构和机械性能的影响

利用射频磁控溅射技术在室温下合成了具有纳米调制周期的TiB2/TiAlN多层膜.分别采用X射线衍射仪(XRD)、表面轮廓仪、纳米力学测试系统和多功能材料表面性能实验仪分析了调制比对TiB2/TiAlN纳米多层膜结构和机械性能的影响.结果表明:大部分多层膜的纳米硬度和弹性模量值均高于两种个体材料混合相的值,在调制比为t ...     

层间有反铁磁交换相互作用的磁性超晶格的推迟模式

我们用等效介质理论计算了层间有反铁磁交换的侧向晶格。当外场垂直于磁性或非磁性层时,在这种超晶格中存在两种磁序：反转自旋（flop)和平行自旋磁序。我们发现,这两种磁序的表面模的频率随外场和层间耦合的变化情况很不同。前一种磁序中,模式的频率对层间耦合非常敏感,我们还发现使表面模存在的两个外场临界值。