全氟磺酸树脂中空纤维膜的离子交换性能的研究

本文采用静态和动态离子交换两种方法,对全氟磺酸树脂中空纤维膜的离子交换性能进行了研究。结果表明在静态离子交换过程中,膜的交换能力随着时间增加而增加,最后趋于一平衡值;金属离子的种类对膜的交换能力有很大的影响。在动态离子交换过程中,膜的交换能力随温度升高而增加。并测定了静态和动态交换过程中的各扩散系数。     

分子间作用力对制备含有机废弃之水泥浆体影响研究

研究以水泥处理固体有机物时，有机物对水泥水化的影响。以膜流模式说明水份在水泥浆体内传输的现象。水膜存在半干之水泥浆体，其厚度小于100nm，膜流由离分压所驱动，而离分压来自分子间作用力。膜拟结果发现，水泥浆体内局部位置可用以进行水化之水量为Q=-Aslv／6vπ。当有机物添加在水泥浆体内时，会影响Hamaker常数，Aslv因此可能使膜流不稳定或完全抑制膜流，因而使水泥浆体内局部缺水，影响水化进行，造成成品强度降低，影响品质。     

膜生物反应器在污水处理中的研究进展

概述了膜生物反应器在国内外的发展历程和应用现状，并提出了膜生物反应器存在的问题和改进措施。     

夏秋（麦茬）黄瓜一架一膜两茬两用栽培技术

1．播期安排。夏秋苗瓜一架一膜两茬两用的关键是安排好育苗时间。第一茬5月中下旬育苗，6月上中旬移栽，7～8月上旬采收，此茬播种不能过晚，过晚温度高，对生长不利。第二茬7月上中旬育苗，8月初移栽，9～10月上旬采收，该茬播种不能过迟，以免后期气温低，影响产量。播种后插支架覆盖遮阳网，防高温暴雨影响全苗。     

高效有机吸附膜吸附数学模型的建立

本文建立了高效有机吸附膜吸附数学模型，并与实验数据进行了比较，发现模型的数值计算结果与实验值基本相符，本模型具有较高的实用价值。     

水滴在撞击不同厚度水膜条件下产生的二次液滴特性

采用高速相机对水滴撞击水膜的飞溅过程进行了详细测量,分析了水滴撞击水膜的飞溅临界值、二次液滴的直径分布和二次液滴的速率等飞溅特性。结果表明,在实验参数范围内,当韦伯数增大时发生飞溅现象。此外,可以使用量纲为一参数K 来描述飞溅临界值,K=We·Oh^-0.4。当K值大于2 100时发生飞溅现象,二次液滴的量纲为一直径和二次液滴的量纲为一速率随着K值的增大而增大。水膜量纲为一厚度对二次液滴直径分布的影响不明显,但由冠状水花产生的二次液滴的平均量纲为一速率随水膜量纲为一厚度的增加而减小。     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

等离子体窗密封性能实验研究

等离子体窗具有高真空密封性和良好的束流通过性,在电子束焊接、加速器等领域有很大的应用前景. 针对传统等离子体窗应用孔径小的问题,本文在优化的三阴极源基础上研究了通道直径为7 mm和8 mm等离子体窗的密封特性,以及Ar、He、H2三种等离子窗压降系数随输入电流和气流量的变化关系. 结果显示,在输入电流120~210 A、气流量1000~5000 sccm范围内,Ar等离子体窗的压降系数随输入电流、气流量的增加呈先上升后下降的变化趋势,He、H2等离子体窗的压降系数随输入电流的增加逐渐上升,但随着气流量的增加,He等离子体窗的压降系数先上升后下降,H2等离子体窗的压降系数逐渐下降. 本实验获得的等离子体窗最大压降系数为2550,可隔绝的最大高压为1 atm,与已报道文献相比具备较好的竞争优势,展现了良好的密封性,在未来加速器等领域有很大的应用潜力.     

常压射流等离子体处理PET膜诱导自由基研究

为了考察常压射流等离子体(APPJ)处理对PET膜表面诱导自由基及其引发接枝共聚反应的效能,采用电子自旋共振技术(ESR)对APPJ处理前后PET膜表面生成的自由基及其衰变行为进行测试分析,并与接枝率测试结果进行对比。结果表明:纯He气体的APPJ处理更易引发PET膜表面生成自由基,处理时间越长,膜表面自由基浓度越高,自由基产物的稳定性受存储条件影响显著,自由基浓度越高的样品对应的接枝率也越高。     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。