如何应用价电子对互斥理论确定分子(或离子)的空间构型

在无机化学和普通化学中，通常用杂化轨道理论阐述分子或离子的形成。采用VSEPR法（价层电子对互斥理论）可以预测分子或离子的空间结构，此方法既简单又快捷。具有较好的实际意义。     

一种salen镍配合物的合成与晶体结构

合成和表征了一种新的salen镍配合物,并报道了其单晶衍射数据.化合物4:[NiC28H20Cl2N2O2]·CH2Cl2,M=631.00,单斜,P21/c,a=1.1086(2)nm,b=1.7521(4)nm,c=1.4819(3)nm,β=105.06(3)°,Z=4,V=2.779 5(10)nm3,Dc=1.508 g/cm3,R1=0.0531,R2=0.1136.     

二聚体HX-ClF(X=F,Cl,Br)的结构及其双卤键X...Cl性质的理论研究

使用从头计算方法,以二聚体HX-ClF(X=F,Cl,Br)作为卤键的摸型进行了研究.几何优化计算使用了高精度的CP(counterpoise)修正的分子间势能面(PES)方法,在MP2/6-311++G(3df,3pd)水平,得到了二聚体HX-ClF,(X=F,Cl,Br)的三个稳定结构.在三个二聚体HF-ClF,HCl-ClF和HBr-ClF的结构中存在着两种分子间相互作用--双卤键X...Cl和氢键H...Cl.二聚体HX-ClF的X...Cl键长顺序是2.758A(HF-ClF)＜3.145A(HCl-ClF)＜3.212A(HBr-ClF),它们的H...Cl键长分别是3.301A(HF-ClF)、 3.471 A(HCl-ClF)和3.554A(HBr-ClF).用高水平的CCSD(T)/6-311++G(3df,3pd)计算的相互作用能分别是-2.15 kcal/mol(HF-ClF)、-1.54 kcal/mol(HCl-ClF)和-1.64 kcal/mol(HBr-ClF).计算结果表明,相互作用能的电子相关效应是重要的.由于相互作用能的电子相关效应随着电子给予体原子F、Cl、Br的顺序增大,从而,二聚体HBr-ClF的X...Cl相互作用能也相应地被增大.     

重主族累积多烯分子中的非经典多重键

综述了重主族累积多烯化合物的最新研究进展和非经典多重键的理论研究方面的成果.使用abinitio和密度泛函法对磷杂硫烯酮、硅杂磷杂丙二烯及其相关分子进行了量子化学计算,计算结果表明,这些分子都具有弯曲几何构型.     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

过渡金属表面反应能量学计算系统的开发

利用VB6．0和Access7．0开发了过渡金属表面反应能量学的计算系统．该软件基于UBI-QEP的理论方法．采用模块化设计．其功能模块有3个：(1)数据库模块．利用该模块可以实现气相解离能以及小吸附基团在各种过渡金属表面吸附热的查询、添加与修改；(2)化学吸附热计算模块，利用该模块可以调用数据库中的数据对吸附基团在不同吸附方式的吸附热进行计算；(3)基元反应的活化能垒计算模块．利用该模块可以对基元反应的活化内能进行计算，进而分析其反应的难易与历程．该系统实现了UBI-QEP的理论方法计算的程序化，可用于多相催化反应的催化剂优选和机理探讨．     

静电键合用微晶玻璃的研究

采用传统熔体冷却方法,研究以TiO2为成核剂、以Li2O Al2O3 SiO2为基础组成的玻璃的制备工艺;根据差热分析(DTA)的结果确定玻璃的核化与晶化温度,然后针对基础玻璃组成,采用二步热处理方法获得透明的微晶玻璃;用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化试样的物相和显微结构进行研究;用热膨胀仪测定玻璃在热处理前、后的热膨胀系数;用绝缘电阻测试仪测试该微晶玻璃的电阻率.研究结果表明:微晶玻璃的主晶相为Al2O3·TiO2微晶体,次晶相为ZnSiO3;微晶玻璃与硅片有相近的热膨胀系数,约为32.5×10-7/℃;微晶玻璃晶化后的电阻率较低,为6.8×1010Ω·cm.     

一类制备超高分子量聚合物的碳—碳键引发剂

报道了多取代乙烷类Ｃ－Ｃ键引发剂在乙烯类单体聚合反应中形成超高分子量聚合物的反应特性，以及与过氧键、偶氮键引发剂聚合性能的差别，其聚反应结果。     

应用Raman光谱方法研究玻璃炭纳米晶体的键距畸变特征

键距(或晶格)畸变与晶粒尺寸、晶界结构一样都是纳米晶体结构研究的重要方面.有关晶格畸变对纳米晶体性能的影响已有较多研究工作发表,但关于纳米晶体的键距(或晶格)畸变特征则未见专门报道.本文从Fitzer炭键键距公式出发,建立一种键距畸变的Raman光谱分析方法.应用这种方法可以测量玻璃炭纳米晶体sp~2杂化键的最可几键距b_g、平均键距(?)_g、键距畸变△b_g以及键距膨胀率α等参量.指出,畸变可能主要存在于晶粒边界附近形成畸变键距过渡层,并对过渡层中的键距膨胀现象从电子结构角度进行了初步探讨.1 实验过程通过控制炭化温度制备具有不同晶粒尺寸的玻璃炭试样.试样的X射线分析在D/max-rA衍射仪上进行.分析结果表明经800℃至2300℃炭化得到的玻璃炭均具有乱层石墨微晶结构.试样晶粒尺寸(六元环炭原子面大小)L_a的X射线测试结果列于表1,L_a的测量误差为0.04nm.Raman光谱分析在Spex-1403型谱仪上完成.Ar~+激光器的波长为488nm、功率为500mW.试样环境为室温大气环境.测试结果如图1所示.由于玻璃炭Raman谱中G线与D线略有重叠,故图中的G线谱形已经过计算机分峰处理.     

醚键催化断裂的反应

本文根据电子效应、空间效应、杂化轨道理论，阐明了醚的结构、性质．着重介绍各类开链醚在强酸催化下断键反应的活性及取向