影响α-β不饱和醛中C＝0键选择加氢的因素

综述了影响C 0键选择加氢的几个因素     

用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术

对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术，整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术，以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述，强调在器件研究开始时应考虑封装问题，具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定。     

ACBK·SG的合成及性质研究

报道了ＡＣＢＫ·ＳＧ的合成，研究了ＡＣＢＫ·ＳＧ的性质及用其富集、分离痕量金属离子的行为。     

三硫氰酸根三氨合镍(Ⅱ)银(Ⅰ)的晶体结构

Ｎｉ（ＮＨ３）３Ａｇ（ＳＣＮ）３晶体的空间群是Ｐｂｎ２１，其晶胞参数为：ａ＝９．４４２（１），ｂ＝１７．３４４ （５），ｃ＝２２．４８４（２）Ａ；Ｚ＝１２（ρｏｂｓ.＝２.１５ｇ·ｃｍ－３，ρｃａｌｃ.＝２．１２ｇｃｍ－３）．晶胞内有 三套对称性独立的Ｎｉ和Ａｇ．其中两个Ａｇ原子由Ｓ原子形成四面体配位，且这两个四面体通过共棱 联系．第三个Ａｇ原于由Ｓ原于形成四角锥五配位．四角锥与两个共棱四面体通过共点联成无穷骨 架．在晶体中，每个Ｎｉ原子分别由三个ＳＣＮ的Ｎ原子和三个ＮＨ３的Ｎ原子按八面体配位，其中有 两个Ｎｉ原子的配位体按顺式排布，第三个 Ｎｉ原子的配位体却是反式排布的。硫氰酸根作为桥配位 体将两类金属原子联在一起．     

s-p-d-f杂化轨道(Ⅰ)

Ⅰ引言现代的化学键理论,在处理分子结构问题上,已取得了很多成就。目前,电子配对法和分子轨道法是处理分子结构问题常用的两种方法,其中电子配对法的假定与化学家所熟知的价键概念相一致,所以用的比较普遍。在解释分子的几何构型和共价键的方向性方面,电子配对法的杂化轨道理论,显德更为重要。Pculing。首先造出「等性键函数」,后来,Slater。Hultgren、Eimball、Kuhn、Duffey、Torkington 等人做了很多的补充与推广。我国化学家唐敖庆教授,在这方面亦有特殊的贡献。     

罗沙隧道洞口爆破振动研究

以罗沙隧道为研究背景,进行了高地应力下硬岩隧道洞口爆破开挖振动监测试验。对振动数据进行了归一化处理,得到了关于硬岩隧道洞口爆破振动的萨氏经验公式;为爆破开挖设计优化提供了参考价值。在爆破振动速度研究中,爆破振动速度的最大水平径向分量大于最大水平切向分量,最大水平切向分量又大于最大垂直分量,与软岩隧道得到的规律是相反的。达到洞口位置时,爆破振动速度呈现出明显的增加,坡表表面呈现出明显的振动放大效应,这与在软岩隧道中得到的规律是一致的。     

Sr3AlO4F晶体中掺杂Ba2+,Ca2+离子占据不同Sr2+格位倾向性的第一性原理研究

通过比较第一性原理计算总能量得出碱金属离子Ba2+和Ca2+取代占据氟氧化物晶体Sr3AlO4F中两种不同Sr格位时,Ba2+倾向占据10配位的Sr(1)位,而Ca2+倾向占据8配位的Sr(2)位,与实验分析结果一致.基于上述优化结构,通过键价求和计算和畸变指数分析,得出Sr3AlO4F中Sr(1)格位离子严重未饱和成键,倾向于被较大Ba2+离子取代占据;而Sr(2)格位离子略微过饱和成键,倾向于被较小Ca2+离子取代占据.     

DFT/B3LYP方法探索C6H5(CH3)2SiOH的结构和化学键特性

二甲基苯基硅醇易通过蒸馏的方法进行分离提纯,进而制备高纯硅,但其化学键特性的实验数据较为缺乏,笔者运用密度泛函理论DFT/B3LYP方法,采用6-311++G**基组进行计算,首先对二甲基苯基硅醇的初始构型进行完全开放的几何构型全优化,之后结合能量分析、电荷分析和自然键轨道分析(NBO)考察了二甲基苯基硅醇平衡构型的分子性质,得出二甲基苯基硅醇分子的化学键特性：1）苯基和甲基对羟基上的O-H键影响甚微,但使Si-O键有所增强;2）Si与苯环上C原子间的键强度较弱,Si-O键相对较强,O-H键最弱;3）苯环上C原子间电子离域化程度相对较高,O的孤对电子流向Si-C反键轨道,可略为削弱Si-C键强度。填补了其化学键特性方面的空白,为涉及二甲基苯基硅醇的化学反应提供了理论基础。     

C6H5X·Y-（X，Y=F，Cl，Br，I）中氢键和卤键的理论研究

通过MP2／aug—cc—pVDZ理论方法计算研究了C6H5X·Y-（x,Y=F,Cl,Br,I）体系中的氢键和卤键．计算表明所有的卤代苯都能与卤素离子形成氢键相互作用,氢键强度顺序为：C6H,F〈C6H5C1〈C6H5Br〈C6H5I;F-〉Cl-〉Br-〉I-．C6H5Cl,C6H5Br,C6H5I能与卤素离子形成卤键相互作用,卤键强度顺序为：C6H5Cl〈C6H5Br〈C6H5I;F-〉Cl-〉Br-〉I-．分析结果可以发现体系中的卤键强度差异要大于氢键,说明在此体系中卤键具有比氢键更大的选择性．     

埋氧层及铝层对SOI／玻璃静电键合的影响

介绍了SOI／Pyrex玻璃静电键合的实验过程和实验现象,利用电流表对静电键合电流进行测量。发现埋氧层厚度越厚,键合电流越小,键合波扩散速度越小。提高键合电压,能有效增大键合电流及加快键合速度。实验也表明玻璃表面溅射铝层对键合产生较大影响。理论分析了产生这些现象的原因,得出埋氧层厚度和键合电压与静电力的关系式。还提出从阳极引一探针电极到SOI器件层,提高玻璃耗尽层与器件层之间电压,实现厚埋氧层SOI片与玻璃键合的方法。