基于Adaline单神经元的非最小相位模型参考自适应控制

本文提出将N拍延迟作为参考模型,基于Adaline单神经元的自适应滤波器作为控制器,实现了非最小相位的模型参考自适应控制,并给出证明和仿真结果,说明了该方法的有效性.     

作用于正倒锥结构上冰力物理模拟试验研究

利用新型非冻结可碎合成模型冰材料,进行了冰排对正倒锥体结构物作用的物理模型试验研究;试验中测量了作用于锥体结构物上的冰力,并观察记录了冰排作用于结构物的破坏过程。综合分析试验结果,发现冰速的变化对冰力没影响。而随锥角、水线直径的增加以及冰排弯曲断裂模式由下弯变为上弯,作用于锥体结构物的冰力显著增加。试验得到的总冰力结果与Croasdale和Ralston的理论预测结果符合较好。     

Markov控制过程基于神经元动态规划的优化算法

论文在Markov性能势理论基础上,研究了Markov控制过程在神经元网络等逼近结构表示的随机平稳策略作用下的仿真优化算法,分析了它们在一个无限长的样本轨道上概率1的收敛性,并给出了一个三－状态受控Markov过程的数值实例。     

单神经元自适应控制器在液位控制中的应用

介绍了单神经元自适应控制器在液位控制中的应用;在控制算法中提出了自调整学习速率和学习初期的分层控制方法。     

胰岛素及胰高血糖素对大白鼠缰核离体脑片神经元单位放电的影响

实验观察了胰岛素、胰血糖素及乙酰胆碱对离体脑片侧缰核神经元单位放电的作用,结果显示胰高血糖素和乙酰胆碱对内侧缰核神经元自发放电起兴奋作用,胰岛素起抑制作用。推测胰岛素和胰高血糖素对缰核神经元活动的影响,可能与参与应激性防御反应过程有关。     

氯化镨和青龙藤对大鼠下丘脑外侧区神经元自发放电的协同兴奋 …

为了了解氯化镨和青龙藤对大鼠下丘脑外侧区神经元自发放电的影响,本实验通过单管玻璃微电极细胞外单位放电记录法,对６３只大鼠ＬＨ放电变化进行了研究。结果表明,腹腔注入ＰｒＣｌ３和ＢＨ,ＬＨ放电以兴奋性单位为主,ＰｒＣｌ３和ＢＨ协作可提高ＬＨ神经元兴奋性。     

腹腔注射结核菌素衍生蛋白小鼠中枢含催产素神经元的形态改变

研究中枢神经系统内含催产素(Oxytocin,OXY)神经元在免疫系统功能增强时的形态学特点．结果证实,在结核菌素衍生蛋白(PPD)诱发的免疫应答的不同阶段,由免疫组化法显示的BALB／c小鼠视前区和下丘脑室旁核OXY免疫反应阳性(OXY-ir)神经元呈现树突明显增粗、树突和胞体上棘状膨体明显增多等形态变化,这表明中枢OXY-ir神经元在受到免疫刺激时发生活跃的结构重塑．     

额叶皮层损伤对大鼠基底前脑胆硷能神经元的影响

为探讨前额叶皮层局限性损伤对大鼠学习、记忆功能及基底前脑胆硷能神经元的影响。用外科手术造成大鼠 1侧前额叶皮层局限性损伤后不同时间 ,用Y型迷宫检测学习、记忆功能 ,用组织化学技术检测基底前脑含乙酰胆硷酯酶 (AchE)活性神经元。结果为前额叶皮层损伤后 1周 ,动物学习、记忆功能有所障碍 ,损伤同侧的基底前脑胆硷能神经元有所减少 ,但均无统计学意义。损伤后 2、3、4周 ,动物学习、记忆障碍明显 ,损伤同侧基底前脑胆硷能神经元明显减少 (P <0 .0 5) ,且两者变化相平行。结论为单侧前额叶皮质局限性损伤不仅可引起动物学习、记忆功能障碍 ,且可引起同侧基底前脑胆硷能神经元丢失 ,两者发展且相平行 ,提示基底前脑胆硷能神经元逆行性变性在动物额叶皮层损伤引起的学习、记忆障碍中起作用。     

前向多层代数神经网络隐层神经元数目估计方法

结合目前估计前向三层神经网络隐层神经元数目的方法,提出一种向量不交关系来确定多层前向代数神经网络隐层神经元的数目,该方法只须估计出第一隐层神经元的数目,其余各层神经数目利用不交关系的算法随之确定,通过多项式代数函数实例表明,该方法具有效。     

不同最佳频率的下丘神经元的声反应特性和方位敏感性

在自由声场刺激条件下 ,从 2 0只昆明小鼠 (Kunming Mus Musculus)下丘 (Inferior Col-liculus,IC)记录到 1 93个神经元 .将这些神经元按其最佳频率 (best frequency,BF) (k Hz)分为(5 ,1 0 ],(1 0 ,1 5 ],(1 5 ,2 0 ]和 (2 0 ,3 1 ]4个频率段 ,观察和分析它们的声反应特性 ,并用最小阈值(minimum threshold,MT)和放电率 (firing rate)标准对这些神经元前听空间俯仰方位(Elevation) 0平面的 7个水平方位 (Azimuth)角 (同侧 90°、60°、3 0°,0°,对侧 3 0°、60°、90°)的敏感性进行了研究 .结果表明 :1、IC神经元的放电率和潜伏期基本随刺激强度的增加而增加和缩短 ,其函数表现为三种基本不同的形式 :单调型、非单调型以及放电率函数的不规则型和潜伏期函数的饱和单调型 .非单调函数神经元数目高于单调函数神经元 .三种函数形式的神经元数目分布与 BF之间无明显相关 ;2、BF较高的 IC神经元的潜伏期与 BF较低的神经元的潜伏期之间未发现显著性差异 ;3、用低 MT和最大放电率指标检测 IC神经元的方位特性发现 ,在神经元的最敏感角度展现出低 MT和高放电率 ,虽然最佳敏感角度的分布随频率段而不同 ,但绝大部分神经元的最敏感角度位于对侧 ,其中以对侧 60°所占比例最大 .用低 MT指标所确定的最佳敏感角度