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991.
用溶胶 -凝胶法制备了光滑的 (Ba0 .95Ca0 .0 5) (Sn0 .0 5Ti0 .95)O3(以下称BCST)薄膜。研究了热处理的升温速率和处理温度对薄膜形貌的影响。SEM测试结果表明快速升温和低温 (刚高出成晶温度 )有利于获得好质量的BCST薄膜。 相似文献
992.
梯度应变对钛酸钡薄膜介电行为的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
考虑膜中应变随位置的变化,应用Pertsev热力学理论,研究了BaTiO3薄膜介电常数随温度的变化。发现衬底与膜间热膨胀系数差和膜的沉积温度显著影响介电常数的值及其峰值温度,介电常数随沉积温度的降低而增大,计算结果与实验数据较好地吻合。 相似文献
993.
文章采用磁控溅射法在15-15Ti钢表面沉积Ti/TiN/SiC功能梯度薄膜,并用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)、场发射扫描电子显微镜(field emission scanning electron microscope,FESEM)和原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)表征薄膜的结构和形貌,并研究了镀膜15-15Ti钢在Pb-Bi合金溶液中的耐腐蚀性能。结果表明,镀膜后的15-15Ti钢在Pb-Bi合金溶液腐蚀后表面无Fe_3O_4氧化层出现,其耐腐蚀性能得到提高。 相似文献
994.
ZHAN Yong-jun 《渝西学院学报(自然科学版)》2007,(2)
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长了NaF薄膜.分别用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构、表面形貌以及薄膜应力进行了表征与分析.AFM测试结果表明,低激光能量密度下制备的薄膜表面均匀、致密,均方根粗糙度(Rms)仅为0.538 nm;XRD分析结果表明,用脉冲激光沉积方法制备的氟化钠薄膜在(222)晶面有明显的择优取向.应力分析薄膜的残余应力为压应力,应力大小随激光能量密度的增加而增加;XPS分析结果表明,热蒸发制备的NaF薄膜氧含量明显高于PLD方法制备的NaF薄膜的氧含量.热蒸发方法制备的薄膜中的氧含主要来源于水中的氧,PID方法制备的薄膜中的氧主要来源于游离态氧,说明PLD方法制备的薄膜不容易潮解. 相似文献
995.
为研究弹性薄膜与基底交界面的薄膜裂纹问题,基于Beuth理论,将薄膜—基底结构的三维模型简化为平面应变模型,利用有限元分析程序计算薄膜裂纹断裂能量释放率Gs,并分析薄膜与基底的弹性错配及厚度比率对Gs的影响。结果表明:β=α/4时,Gs的幅值随着α(-1〈α〈1)的增大而增大。当α为负值时,Gs具有稳定性;反之,Gs具有不稳定性。Gs随着薄膜厚度的增加而增加,当hs/hf〉2时,其变化较小。该研究为工程实践提供了理论参考。 相似文献
996.
本文分析了不同轨道高度以及同一轨道高度不同位置,空间薄膜充气管所受太阳辐射压力及其扭矩大小,以及所受外热流情况.研究发现影响空间薄膜充气管的太阳辐射压力及其产生的扭矩与轨道高度无关,但随轨道位置变化而变化;外热流是轨道高度和位置的函数:随着高度的增加,太阳直接辐射热流不发生变化,但在所有外热流中其数值最大,地球红外辐射热流和地球反照热流则随着轨道的增加而下降,且后者下降的速度更快. 相似文献
997.
采用磁控溅射方法在Si(001)制备ZnO薄膜,利用原子力显微镜对不同退火温度的ZnO薄膜表面形貌进行表征.结果表明:薄膜的微观形貌、表面粗糙度和分形维数取决于退火温度的变化.在退火温度从室温上升到1000℃过程中,薄膜表面粗糙度逐渐降低,700℃降至最小,而后又迅速粗糙.探讨了不同退火温度下薄膜表面的粗糙机理. 相似文献
998.
Si含量和基片温度对Ti-Si-N纳米复合薄膜的影响 总被引:8,自引:1,他引:8
通过多靶磁控反应溅射方法沉积了Ti-Si-N系纳米复合薄膜。采用电子能谱仪(EDS)、X-射线衍射(SRD)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线光电子能谱(XPS)和显微硬度仪分析Ti-Si-N系薄膜的微观结构和力学性能,以及基片温度对薄膜微结构和硬度的影响。结果表明,薄膜中的Si以非晶Si3N4形式抑制TiN晶粒的生长,使之形成纳米晶甚至非晶;薄膜硬度在a(Si)=4.14%时达到最大值(36GPa),继续增加Si的含量,薄膜硬度逐渐降低。基片温度的提高减弱了Si3N4对TiN晶粒长大的抑制作用,因而高的沉积温度使薄膜呈现出硬度峰值略低和硬度降幅减缓的特征。 相似文献
999.
用脉冲激光沉积法,在SrTiO3基板上获得YBa2Cu3O7-δ超导薄膜.对其超导性能、晶体结构、原子尺度的平面形态和均匀性等进行研究.观察到YBa2Cu3O7-δ超导薄膜的原子图像. 相似文献
1000.
文章就铁磁式电压互感器在运行中出现的谐振进行了分析,对谐振出现的原因及预防方法作了初步的探讨,并提出一些预防谐振的处理建议。 相似文献