全文获取类型
收费全文 | 4831篇 |
免费 | 90篇 |
国内免费 | 290篇 |
专业分类
系统科学 | 5篇 |
丛书文集 | 258篇 |
教育与普及 | 361篇 |
理论与方法论 | 22篇 |
现状及发展 | 74篇 |
综合类 | 4491篇 |
出版年
2024年 | 20篇 |
2023年 | 55篇 |
2022年 | 41篇 |
2021年 | 58篇 |
2020年 | 58篇 |
2019年 | 72篇 |
2018年 | 25篇 |
2017年 | 43篇 |
2016年 | 58篇 |
2015年 | 71篇 |
2014年 | 144篇 |
2013年 | 150篇 |
2012年 | 206篇 |
2011年 | 222篇 |
2010年 | 231篇 |
2009年 | 271篇 |
2008年 | 271篇 |
2007年 | 260篇 |
2006年 | 207篇 |
2005年 | 247篇 |
2004年 | 197篇 |
2003年 | 218篇 |
2002年 | 165篇 |
2001年 | 211篇 |
2000年 | 192篇 |
1999年 | 172篇 |
1998年 | 172篇 |
1997年 | 197篇 |
1996年 | 173篇 |
1995年 | 150篇 |
1994年 | 127篇 |
1993年 | 127篇 |
1992年 | 117篇 |
1991年 | 81篇 |
1990年 | 92篇 |
1989年 | 51篇 |
1988年 | 29篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 14篇 |
1985年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
1947年 | 1篇 |
排序方式: 共有5211条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
Ni2MnGa铁磁形状记忆材料 总被引:1,自引:0,他引:1
铁磁形状记忆合金 (FSMA)是在一定温度范围马氏体相稳定同时又具铁磁性的一类特殊的形状记忆合金。Ni2MnGa铁磁形状记忆合金近年来成为呈现磁场驱动大应变的新型驱动材料 ,这些应变来自磁场诱发马氏体孪晶的重排 ,而不是磁场对奥氏体至马氏体相变的作用。孪晶变体的重排在宏观上呈现为正或切应变 ,一非化学计量比Ni2 MnGa单晶于室温加 0 .4T磁场能产生6 %的应变 ,Ni Mn Ga单晶在高至 15 0Hz的交变磁场仍可得到 2 .5 %的应变。本文阐述了与这种磁控形状记忆效应相关的孪晶界迁动的磁学和晶体学理论。马氏体相的大磁晶各向异性能使磁化沿c轴方向有利 ,穿过孪晶界c轴刚好转动 90度 ,同时 ,这个孪晶界也构成了约 90度的畴界。在各向异性的情况下 ,孪晶界的迁动仅有相邻孪晶变体的Zeeman能差驱动 ,μ0 ΔMis·Hi。磁场和外应力对应变的影响通过对一简单的自由能表达式取极小值来表示 ,自由能表达式包括Zeeman能、磁晶各向异性能和外应力以及在某些情况下需考虑的内部弹性能 ,模型的所有参数可通过应力 应变曲线和磁化曲线测量得到。铁磁形状记忆合金的磁场诱发应变可类比传统热弹性形状记忆效应 ,与更为人们所熟知的磁致伸缩现象不同。 相似文献
72.
使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290~310℃,N2气流量为200~350mL/min和H2气流量为450~600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。 相似文献
73.
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式. 相似文献
74.
以硝酸锂和乙酸钴为原料,玻璃为基片,通过超声喷雾热分解法制备了锂钴氧化物薄膜,并讨论了制备条件对形成薄膜如Li与Co摩尔比对薄膜晶型、不同溶剂对雾化效果、热分解温度对产物晶型和薄膜外观、反应时间对膜厚等的影响,经X-射线衍射分析和电镜测试,给出了制备较好晶型结构LiCoO2薄膜的条件. 相似文献
75.
76.
77.
用高真空磁控溅射在Si片上沉积纯Cu膜,通过纳米压入实验得到薄膜硬度和弹性模量,模型和数值计算相结合得到薄膜屈服强度.结果表明溅射偏压对薄膜屈服强度影响较大,可以使薄膜在比较厚的情况下得到和数百纳米厚的薄膜相似的高屈服强度.其主要原因是溅射偏压改变了薄膜的晶粒取向和晶粒尺寸. 相似文献
78.
79.
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%. 相似文献
80.
以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,采用相同方法在LaNiO3/Si(100)上制备了Pb(Zr0.3,Ti0.7)薄膜,对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3薄膜的结晶性,表面形貌和电性能进行了研究。 相似文献