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71.
利用溶胶-凝胶技术制备PLZT薄膜,对样品进行X射线衍射和高频介电谱测试,结果表明:薄膜为钙钛矿结构,呈现[110]择优取向,100 MHz介电温谱显示该薄膜具有弛豫铁电体特征,介电频谱表明PLZT薄膜具有介电弛豫特征,体现温度弥散特性,通过理论拟合Cole-Cole曲线得到弛豫时间的分布函数,结合弛豫铁电体特性,时介... 相似文献
72.
铌酸锶钡Sr_(1-x)Ba_xNb_2O_6(0.25铁电体,它优良的热释电性能、电光效应以及非线性光学性能日益受到人们的重视.Glass和Bhalla等人分别对化学成分不同的铌酸锶钡单晶(通过著名的“Czochralski”技术生长)的制备及其介电、电光性能作过详细的研究报道,我国在这方面的研究也有一定进展.但是有关铌酸锶钡陶瓷的研究信息相对缺乏.本文用传统电子陶瓷工艺制备了钨青铜结构弛豫型铁电陶瓷Sr_(0.5)Ba_(0.5)Nb_2O_6(以下简称:SBN50),对其介电及场致热释电行为进行详细研究,结合弛豫型铁电体宏畴-微畴转变模型给出一个很好的解释.1 实验1.1 材料制备以分析纯级试剂碳酸锶(SrCO_3)、碳酸钡(BaCO_3)、氧化铌(Nb_2O_5)等为原料,采用传统电子陶瓷工艺制备材料、工艺流程及工艺条件如图1所示. 相似文献
73.
通过对相界附近的Pb(Zn1/3 Nb2 /3 )O3 PbZrO3 PbTiO3 (PZN PZ PT)固溶体的介电性能研究发现 ,在介电峰附近所有样品的介电 温度关系曲线都具有弛豫性相变特征 ;Zr/Ti比的变化对介电温度特性曲线有重要影响 ,随着Zr/Ti比的增加 ,其弛豫程度明显增加 ;菱方相区的样品在测量温度范围内都呈现典型的弛豫型铁电体特征 ;对四方相区的样品而言 ,在低于介电峰值温度的某一临界温度时 ,发生了正常铁电体 弛豫铁电体自发相变 ,利用热激发电流证明了该正常铁电体 弛豫铁电体自发相变的存在 .透射电子显微分析表明四方相样品具有典型的 90°宏畴形貌 ,而菱方相区的样品则具有纳米尺寸的微畴形貌 . 相似文献
74.
75.
采用固体与分子经验电子理论(EET)计算典型铁电晶体铌酸钾(KNbO3,简称KN)的立方相和四方相的价键电子结构,并在此基础上计算了铌酸钾在四方铁电相的自发极化.计算结果与实验值进行了对比,验证了该经验理论处理铁电性的有效性和可行性. 相似文献
76.
在文献[7]的基础上,通过配方调整和工艺研究,获得了中温烧结的PLZT基X7R262瓷料,其主要性能指标达到:ε298K=2600±100;tgδ<40×10-4;ρV>1013Ω·cm;Δε/ε298K<±13%;Eb>12kV/mm;TS=(1373±20)K 相似文献
77.
通过优化B位离子氧化物共烧方法,成功制备出具有纯钙钛矿结构的Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PYN-PZN-PT)三元铁电固溶体陶瓷,有效地抑制PZN基陶瓷制备过程中烧绿石相的形成.选取(0.48-x)PYN-0.52PZN-xPT(x=0.24~0.28),对三元体系的相结构、铁电、压电和介电性能进行了研究.结果表明:烧结得到的陶瓷致密均匀无杂相,晶粒尺寸2~4μm;随着PT含量的增加,物相经历了从三方相到三方和四方相共存的准同型相界(MPB)、再到四方相的结构演变;MPB附近的组分具有优异的性能,性能最好的组分是0.21PYN-0.52PZN-0.27PT,其压电系数d33=550pC/N,室温介电常数ε′=2 070,矫顽场Ec=19.9kV/cm,居里温度TC=260℃;陶瓷样品的介电温谱表现出介电弥散以及介电峰的展宽等类弛豫体的特点. 相似文献
78.
利用传统的陶瓷制备工艺制备了(1-x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-xBaNb2O6无铅压电陶瓷,并对不同含量BaNb2O6的陶瓷的热学性质、微观结构、介电性能以及压电性能进行了研究.通过DSC测试得到陶瓷的预烧温度和烧结温度分别为850℃和1 180℃.XRD结果显示在850℃下合成的陶瓷粉料为单一的钙钛矿结构.随着BaNb2O6含量的增加,材料的弥散性相变使材料又典型铁电体向弛豫铁电体转变,这种行为是由于A离子空位所引起的.BNTBN-x陶瓷的矫顽场也随着BaNbO含量的增加而降低. 相似文献
79.
80.
构造了a型畴和c型畴交替生长的铁电体多层膜结构的自由能函数.推导出了非均匀极化的分布及相变温度和厚度的依赖关系,给出了"a/c”,"c/c”和"a/a”畴型多层膜结构的判据.对介质极化率的计算合理解释了实验中观测到的巨介电响应.对动态性质的探讨中,给出了极化在时间空间上的分布情况.讨论了非线性极化波的扩散方程. 相似文献