电磁场下量子点中的电子态

借用合流超几何函数，利用变分和解析相结合的方法求解了电磁场下量子点中的电子能态。     

带有电荷磁荷色荷的任意加速黑洞的量子热效应

研究了带有电荷、磁荷和色荷的一类任意加速黑洞的量子热效应,得到局部事件视界方程、温度函数以及Hawking热辐射谱。Kinnersley黑洞和静态荷电磁黑洞均是本文的特例。     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

自组装Ge量子点热扩散效应的XAFS研究

利用荧光X射线吸收精细结构（X-ray absorption fine structure，XAFS）方法研究了分子束外延生长的自组装Ge／Si（001）量子点的扩散效应．原子力显微镜结果表明，在550℃的生长温度下形成了面密度为5．2×10^11 cm^-2的高密度小尺寸量子点．XAFS结果表明，生长的Ge量子点样品覆盖Si层后在550℃温度退火，对Ge／Si之间的热扩散混合的影响较小．随着退火温度升高到800℃，Ge原子的第一近邻配位壳层中的Ge-Si配位的无序度由4．0×10^-5 nm^2降低到2．9×10^-5 nm^2，配位数由3．3升高到3．8，这表明Ge量子点样品中的Ge原子的近邻主要为Si配位原子，高温退火显著增加了Ge原子在Si层中的扩散．     

用瞬态光致发光研究非对称双量子阱隧穿过程

半导体量子阱超晶格结构的载流子除了具有平行于阱层界面的纵向运动(纵向输运)外,还具有垂直于界面方向的横向运动(横向输运)。横向运动需要穿过势垒阻挡层,因此又称为载流子的隧道穿透效应(Tunneling,简称隧穿)。自从1973年Esaki和Tsu等人的开创性工作以来,特别是量子阱超晶格材料的问世,     

量子Monte Carlo的一种新算法——直接计算相关能

分子相关能的计算至今仍是量子化学研究的难题之一.量子 Monte Carlo(QMC)方法近来已引起人们的广泛注意,因为它有两个独特的优点:(1)它能将“r_(ij)”显含于波函数中而又不使计算过于复杂;(2)体系的各种观察值及其它一些人们感兴趣的性质,如相关函数、“Coulomb”隙、“Firmion”隙等可以很容易地研究.QMC 包括三个部分:变分 Monte Carlo(VMC)方法、扩散 Monte Carlo(DMC)方法和格林函数 Monte Carlo(GFMC)方法,     

F H_2(0)→H HF(υ)一维共线反应几率的LCAC-SW法数值计算

用排列通道线性组合散射波方法（ＬＣＡＣ－ＳＷ方法）计算了一维共线反应Ｆ＋Ｈ２（０）→Ｈ＋ＨＦ（υ）的反应几率。在采用一较小基组（振动能级数目ｎｖｉｂ（Ｈ２）＝８，ｎｖｉｂ（ＨＦ）＝１２，分布高斯基函数数目ｎｇａｓ＝１０）的情况下，得到了与Ｋｕｐｐｅｒｍａｎｎ的精确量子计算数值比较一致的结果。算得Ｆ＋Ｈ２（０）→Ｈ＋ＨＦ（υ＝２）交换反应几率ＰＲ０２在Ｅ≈０．０１４ｅＶ附近有一尖峰出现     

单模染料激光的一种新模型的统计性质

本文提出了一个描述单模染料激光光强随机变化的模型.该模型主要考虑了“饱和项”的色噪声和自发辐射量子色噪声的影响.运用“有效FPE”方法,得到该模型的有效FPE及光强定态几率分布P_(st)(Ⅰ).考虑稳定性条件和几率收敛条件,在两种极限条件下分析了两个不同Ⅰ_0值对应的类一级相变.通过计算机模拟,得到了P_(st)(Ⅰ)类型随参数的演化情况.