互连线均匀长度分阶模型的简化与优化

推导了Wang氏表达式的均匀长度分阶（evenlengthorder，ELO）的模型化简公式。应用MatLab在时域和频域的仿真，对一个实际互连线的低阶ELO简化模型与其100阶模型（作为原始模型）进行了比较。比较指标有单位阶跃响应的上升时间、频域波特图的频率带宽、以及传递函数误差的H—inf范教。结果表明，采用传统ELO化简，10阶以下模型与原始模型相比有较大差异．通过应用ELO模型化简公式寻找优化RC参数，优化的ELO化简模型可使上述比较指标与原始模型的差异减到相当小的程度，单位阶跃响应和频率响应均有很大改善。     

SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型

高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一.首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建立的模型,研究器件结构参数对击穿特性的影响规律,定量揭示在高压互连线作用下器件击穿多生在阳极PN结的物理本质,指出通过优化场氧厚度可以弱化高压互连线对器件击穿的负面影响,并给出用于指导设计的理论公式.模型的正确性通过半导体二维器件仿真软件MEDICI进行了验证.     

平面格点的形心问题

在结论n(2)=5,n(3)=9的基础上,使用归纳法得到结论n(2^m,3^n)=4(2^m,3^n-1) 1;m,n=0,1,2,……     

高速IC芯片内互连线频变参数的有效提取方法

采用二维时域有限差分（２Ｄ－ＦＤＴＤ）法精确计算了高速集成电路芯片内互连线的频变等效电路参数,有耗吸收边界条件和非均匀渐变网络技术的提出和应用减少了空间网格的数目,用时间序列预测的方法来预测时域信号或提取传输参数大大减少了ＦＤＴＤ模拟时间,明显提高了计算效率,传输线特性的计算考虑了导体和硅基片损耗,计算结果与其他方法测量结果比较,一致性较好。     

多芯片组件(MCM)互连瞬态响应研究的新方法

提出了一种新的多导体传输线的通用Ｔ型单元模型,并在此模型的基础上提出了一种新方法来研究ＭＣＭ互连线的瞬态响应。将非均匀,耦合,有耗多导体传输线分段,每段由一频域的ＧＴＣ模拟,根据ＧＴＣ的ＡＢＣＤ矩阵得出多导体的ＡＢＣＤ矩阵,接着将其麦克劳林展开式嵌入网络的修改节点方程并求得电路的频域冲击响应,利用指数衰减多项式（ＥＤＰＦ）求得时域冲击响应,最后利用递归卷积法求得任意激励下的电路响应。本算法的效率与     

长尾理论

克里斯·安德森(Chris Anderson)在2004年10月的<连线>(Wired)杂志上发表了一篇文章,首次提出"长尾理论(the long tail)",用来描述诸如亚马孙的商业和经济模式.如今,此篇文章已经成为当代最有影响力的商业文章之一,而"长尾理论"这个词也获得了<商业周刊>(Business Weekly)"2005年最佳创意奖",成为商务人士讨论的焦点.     

关于电磁学实验动手能力的培养

从连线、排除故障、仪器调节三方面论述了如何培养学生实验动手能力,并总结了取得的一些教学成果。     

基于广义逆矩阵指数函数Pade逼近的方法

针对现有仿真分布式传输线的瞬态响应的算法多只适用于特定类型的问题,从描述传输线的频域电报方程出发,提出了一种基于广义逆矩阵指数函数Pade逼近的方法,能快速准确地求得互连线的频域瞬态响应,然后转换到时域,获得时域响应.仿真结果证明了算法的有效性和准确性,并且适用于非均匀耦合频变多导体互连线.     

SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基层上溅射Ta薄膜，采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品，并进行计算机谱图拟合分析，实验结果表明在制备态在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成，在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡。