温度对La0.5Sr0.5CoO3和Pr0.5Sr0.5CoO3薄膜载流子浓度的影响

采用离子束溅射法在LaAlO3(110)衬底上制备La0.5Sr0.5CoO3和Pr0.5Sr0.5CoO3钙钛矿薄膜,研究了载流子浓度、迁移率与温度的关系.结果表明:在375～667 K温度范围内,La0.5Sr0.5CoO3和Pr0.5Sr0.5CoO3薄膜的载流子浓度、迁移率随温度升高而增大,La0.5Sr0.5CoO3和Pr0.5Sr0.5CoO3薄膜导电机制符合小极化子模型.     

石墨烯霍尔元件

回顾了石墨烯霍尔元件的现状,并展望了其应用前景.石墨烯霍尔元件能够充分发挥石墨烯材料迁移率高和单原子薄层等优势,规避其没有带隙或者小带隙的缺陷,其主要的性能包括灵敏度、线性度、分辨率、温度稳定性等都超过了基于传统半导体材料的霍尔元件,而且制备工艺简单,容易得到高性能的石墨烯磁敏传感器.基于化学气相沉积(CVD)生长并转移到绝缘基底上的石墨烯材料,批量制备出高质量性能均匀的石墨烯霍尔元件.通过低温的器件加工工艺,将石墨烯霍尔元件集成到硅基互补性金属氧化物半导体(CMOS)电路中,实现了高性能混合霍尔集成电路,展示了石墨烯霍尔元件与硅基CMOS集成电路良好的工艺兼容性.     

氢键铁电体中的孤子迁移率

Ａ．Ｇｏｒｄｏｎ首先采用带有非对称双阱势的氢键链模型研究了氢链铁电体的导电性，给出了扭结解和迁移率的表达式，但是对于导电有贡献的扭结孤子应该对应于质子在两个阱底之间的转移。基于这种考虑，修正了Ａ．Ｇｏｒｄｏｎ的结果，重新导出了低能态的扭结解，给出了迁移率的一个新的表达式，当非对称双阱势转化为对称双阱势时，这个表达式恰与以前的研究结果一致，这个表达式表明，相变临界指数是１。     

金刚石膜磁阻效应

在F－S薄膜理论的基础上,考虑了晶格散射和杂质散射,通过求解驰豫近似下的Boltzmann方程,计算了P型单晶半导体金刚石膜（矩形）在球形能带下的电导率及考虑金刚石的轻空穴带、重穴穴带和分裂带为并联电阻模型时的磁阻,给出了磁阻和金刚石膜厚度,磁场强度、迁移率的关系。研究表明：金刚石的轻空穴带、重空穴带和分裂带对磁阻的影响不相同。厚膜的磁阻和块材的磁阻相差不大,磁阻和温度、磁场强度,迁移率有密切关系。     

一种基于电磁带隙谐振结构的K波段压控振荡器(英文)

报道一种工作在K波段的压控振荡器的设计和性能。该压控振荡器采用基于pHEMT工艺的有源器件,用紧凑的边缘通孔电磁带隙谐振结构替代传统的谐振电路,实现压控振荡器的小型化。测试结果表明,该电路工作频段为22.9~25.6 GHz,在23.6 GHz的最大输出功率为10.4 dBm,且在24~25.6 GHz频段的输出功率平坦度小于1 dB。在偏离载频1 MHz处测得的压控振荡器相位噪声约为95 dBc/Hz。整体电路面积为17 mm×7.5 mm。     

石墨烯薄膜的化学气相法制备及光、电特性研究

利用化学气相沉积方法制备了石墨烯薄膜,并研究了其光电特性。以乙醇做反应原料、氩气作为携载气体,在873 K、973 K、1 073 K的温度下合成石墨烯薄膜。应用光学显微镜观察,发现在1 073 K时能够制备大面积均匀、平整光滑的石墨烯薄膜。纳曼光谱分析结果表明:制备的石墨烯薄膜出现2 650 cm-1的石墨烯的特征峰-D强峰,同时该峰强度随温度的升高而迅速增强,说明低温不能使沉积的碳原子有效的石墨化为石墨烯,而较高的温度有助于乙醇分解并石墨化为石墨烯薄膜。在1 073 K时沉积的石墨烯薄膜具有良好的光、电特性,其电子迁移率可以达到104 cm2.(V.s)-1,光透射率达97%,因此,可用于制备石墨烯晶体管、太阳能电池等光电子器件。     

ZnSe及ZnSe基异质结构中电子迁移率随静压之变化

考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子迁移率随压力的变化,提出了非自由基超晶格系统的等效外延层模型.研究表明,内部应变和衬底对系统的电子迁移率随压力变化有重要影响,自由基和非自由基系统中电子迁移率的压力特性有很大区别.     

周期势场中在乘性白噪声驱动下粒子的迁移率

推导了在高阻尼条件下一维周期势中受乘性白噪声驱动的运动粒子迁移率公式，并计算了余弦中闰子在迁移率，结果表明：在余弦势中生白噪声驱动下运动粒子的迁移率比加性白噪声驱动下闰子的迁移率大。     

一维渐近周期势场中电子态的进一步研究

研究了处在一维渐近周期势ｖｎ＝ｖｃｏｓ（Ｑｎ＋ａｎｖ）（０＜λ＜１）中运动的电子态的特性，从理论上分析了Ｑ＝２π／４时，扩展态和局域态存在的条件，解析地得到了迁移率边界的值。然后，进行了数值计算，数值结果与理论结果符合的很好。     

带有非对称双阱势的氢键链中的扭结弧子

阻尼和外场的作用使得带有非对称双阱势的氢键链存在扭结弧子激发．计算了弧子的迁移率并与φ４链的结果作了比较