生物地理学优化算法的迁移率模型分析

为了提高算法的优化性能,在标准生物地理学优化算法基础上,概括了生物地理学理论的基本平衡定理,探索了在该定理下优化算法的各种迁移率模型的特点及行为,同时对这些迁移率模型进行一些典型基准函数的性能测试.通过函数优化实验可知:不同的迁移率模型将对算法的优化性能产生重要影响,同时符合自然规律的复杂迁移率模型的性能要优于简单的线性迁移率模型的性能;另外,变异率的不同也将对算法性能产生影响,对提高解集的适应度起着一定的作用.通过分析表明生物地理学优化算法是一种具有发展潜力的新型优化算法,并得出当前最有效的迁移率模型.     

基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.     

Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20 nm/40 nm)、1∶5(20 nm/100 nm)和1∶8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃, Ti与Al比为1∶5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触.     

不寻常的石墨烯纤维

 碳纤维因其质量轻、机械强度大以及性能稳定的特点被广泛使用。但仍存在成本高、脆性高等缺点。石墨烯是一种由碳原子构成的单层蜂窝状结构的新材料,是其他维度碳材料的构造基础。     

电场强度对线性丙烯酰胺毛细管电泳特性的影响考察

使用两种不同浓度（4%和6%）的线性聚丙烯酰胺（Linear Polyacrylamide,LPA）作为筛分介质,对片段长度为80bp~584bp 的标准DNA样品进行毛细管电泳,利用激光诱导荧光方法检测信号,荧光染料为溴化乙啶。改变电场强度从100V/cm到375V/cm,得到电泳电流、迁移率、信号强度、半峰宽以及分辨率的变化曲线。实验测得电场强度与电流有很好的线性关系,非线性度参数分别为:0.99944和0.99876。迁移率曲线与电场强度和DNA片段长度成复杂的函数关系,DNA的迁移率依赖于电场强度、筛分介质浓度和片段长度;电场强度对信号强度的影响较小,筛分介质的浓度对区带展宽有影响,因此也影响了信号强度,使用4% LPA比6% LPA区带展宽小,信号强度高,更适合分离片段长度600bp的DNA样品。电场强度对分辨率的影响十分复杂,增大电场强度并不能提高分辨率,为了提高分辨率,优化分离电场强度为125V/cm,理论分析对实验起到了很好的指导作用。     

增强型AIGaN／GaN槽栅HEMT研制与特性分析

成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型A1GaN／GaN HEMT．栅长1μm,源漏间距4μm,槽深10nm的器件在1．5V栅压下饱和电流达到233mA/mm,最大跨导210mS／mm,阈值电压为0．12V,器件在500℃N2气氛中5min退火后阈值电压提高到0．53V．深入研究发现,当器件槽深15nm时,相比槽深10nm器件饱和电流和跨导有所减小,但阈值电压从0．12V提高到0．47V．利用不同刻蚀深度A1GaN／GaN异质结的C-V特性,深入研究了阈值电压、栅控能力与刻蚀深度的关系．     

GaN基场效应器件Monte Carlo模拟

基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景.文章用自洽-耦合蒙特卡罗(Monte Carlo)方法对AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管作了模拟,给出了器件直流特性的Monte Carlo模拟结果,包括器件的粒子分布及器件的等势线分布,最后给出器件在不同栅电压下的直流输出特性.文章的模拟结果对研究GaN基场效应器件有指导意义.     

对自恰求解薛定谔方程和泊松方程的数值迭代方法的研究

本文比较了用在自洽求解薛定谔方程和泊松方程中的改变松弛因子的一般迭代方法和predictor-corrector 迭代方法。数值试验表明,使用一般迭代方法求解时,收敛速度慢或迭代过程中解振荡从而不能得到收敛的结果,而使用predictor-corrector 迭代方法时,会加快方程的收敛速度,提高数值的稳定性。本文最后求解了几个常用于高电子迁移率晶体管的异质结的能带图和电子浓度的分布,并解释其物理意义。     

低温下半导体锗的磁阻测试

本文阐述了在恒定低温(77K)下和恒定磁场下测试半导体磁阻的装置,并分别测得了n-Ge的⊿ρ/ρ_0～B~2和⊿ρ/ρ_0～T~(3)曲线。