煤工尘肺结核患者肺部细菌感染及耐药性研究

研究淮南矿区煤工尘肺结核患者肺部产超广谱β-内酰胺酶细菌感染及其耐药情况.对从煤工尘肺结核肺部感染患者痰标本分离的132株革兰阴性杆菌进行ESBLs检测,并对产ESBLs细菌进行药物敏感性检测.共计检出产ESBLs细菌31株,占全部测试菌株的23.48%,其中主要包括肺炎克雷伯菌15株,大肠埃希菌13株.产ESBLs细菌对氨苄西林均高度耐药;对头孢噻肟、头孢他定等第三代头孢菌素类也高度耐药;而头孢西丁对产ESBLs肺炎克雷伯菌及大肠埃希菌有较强的抗菌效果,但产ESBLs铜绿假单孢菌和阴沟肠杆菌对头孢西丁的耐药率却高达100%;除铜绿假单胞菌外的产ESBLs细菌对亚胺培南的敏感率极高;奈替米星、阿米卡星及氧氟沙星、环丙沙星对产ESBLs细菌抗菌作用较弱.淮南矿区煤工尘肺结核患者肺部产ESBLs细菌感染以产ESBLs肺炎克雷伯菌和大肠埃希菌引起的肺部感染为主要要致病菌,亚胺培南可作为治疗产ESBLs细菌(铜绿假单胞菌除外)的首选药物,临床应采取措施以预防产ESBLs细菌肺部感染的发生.     

氮化铜薄膜的结构与组成分析

采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优[111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为[100]、[111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少.     

一种制备纳米多孔金膜的方法

提出了一种制备纳米多孔金膜的新方法.将金和铜的合金进行热退火处理,然后利用稀酸进行腐蚀,制备纳米多孔薄膜;比较了合金配比和稀酸种类对薄膜形貌的影响;并利用扫描电子显微镜(SEM)和X-射线光电子谱(XPS)对薄膜的形貌和组分进行了表征.     

热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响

利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟（ITO）薄膜，在相同条件下制备了两种不同溅射时间（30、10min）的样品，样品在400℃的大气中进行1h退火处理．利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱，并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度；用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质，包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率．实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响，退火样品在可见光区域的透过率明显提高，且光学吸收边向长波方向移动；然而，退火前薄膜的电学性能更好．     

等截面单跨超静定梁固端弯矩的一种解法

以力法为基础,用简支梁作为基本结构,通过简支梁弯矩图的面积及其形心位置推导得出固支梁固端弯矩计算的一般公式,并指出该公式在其它单跨超静定梁计算中的应用。     

含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.     

广义非线性超弹性杆波动方程的行波解

研究了广义非线性超弹性杆波动方程ut-utxx 12g′(u)ux=γ(2uxuxx uuxxx)行波解的存在性,这里t∈(0, ∞),x∈(-∞, ∞),g(u)是关于u的多项式.通过讨论方程的极限零点和非极限零点,获得了保证其行波解存在惟一性的充分条件.     

论人性的扭曲——《呼啸山庄》主要人物性格分析

小说《呼啸山庄》中主人公在性格上都具有19世纪资本主义社会的时代烙印。希斯克里夫的冷酷、残暴但对凯塞琳的执着的爱,凯塞琳在“自我”与“超我”之间抉择的困惑以及第二代哈里顿与凯茜的特征都体现了小说背景时代人生的扭曲与挣扎。人物性格突出了“爱”与“恨”的关系,恨是爱的异化,爱是恨的复归,同时也向人们揭示了人间爱的永恒主题。     

纳米晶LaFeO3 薄膜的制备与不同气氛处理后的光电子能谱

利用sol\|gel工艺, 在硅衬底上制备了纳米晶LaFeO₃薄膜. 测试了在乙醇蒸气和NO₂气氛下处理后的光电子能谱(XPS), 结果表明, 纳米晶LaFeO₃ 薄膜吸附乙醇后, 表面吸附氧含量明显降低, 铁含量略有下降; 吸附氧化性气体NO₂后, 表面吸附氧和铁含量明显增高, 且存在三价铁离子向四价铁离子转化的趋势. 通过测试和分析表明, LaFeO₃ 的敏感机理不仅与表面吸附氧相关, 还与表面三价铁离子的变价有关.     

Bi2Ti2O7薄膜的制备及在栅场效应管中的应用

采用化学溶液沉积法，用价格低廉的原料成功地制备了Bi₂Ti₂O₇介质膜.制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的SiO₂绝缘栅场效应管相比，前者具有较高的跨导和较低的开启电压.