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211.
杂草中具重金属超积累特征植物的筛选   总被引:40,自引:1,他引:40  
针对目前植物修复中Cd单一污染和Cd-Pb-Cu-Zn复合污染的超富集植物缺乏研究,采用田间盆栽模拟试验方法,对东北沈阳地区20科54种田间杂草植物进行其重金属耐性及积累能力的初步系统研究.结果发现:蒲公英(Taraxacum mongolicum)、龙葵(Solanum nigrum)和小白酒花(Conyza canadensis)对Cd单一及Cd-Pb-Cu-Zn复合污染耐性均较强,对Cd有较高的积累能力,具有超富集植物的基本特征,进一步研究的价值很大.重金属元素间存在着协同和拮抗效应,在进行超富集植物筛选时,单一元素试验应与复合元素试验相结合,同时建议在利用某种重金属超富集植物进行修复实践之前,也应该进行类似的评估,以确保修复效果.田间盆栽模拟试验具有方法简单,接近植物生长环境条件,便于植物种识别鉴定等优点,是筛选重金属富集植物的一种尝试.  相似文献   
212.
王飞  徐可为 《自然科学进展》2003,13(12):1334-1337
用高真空磁控溅射在Si片上沉积纯Cu膜,通过纳米压入实验得到薄膜硬度和弹性模量,模型和数值计算相结合得到薄膜屈服强度.结果表明溅射偏压对薄膜屈服强度影响较大,可以使薄膜在比较厚的情况下得到和数百纳米厚的薄膜相似的高屈服强度.其主要原因是溅射偏压改变了薄膜的晶粒取向和晶粒尺寸.  相似文献   
213.
把超晶格“折沟道”对粒子的作用等效为形状相似的弱周期调制。利用正弦平方势把粒子运动方程化为具有外周期弱调制的非线性微分方程,导出了退道系数与晶格形变的关系。利用多尺度法研究了系统的主共振和子共振。  相似文献   
214.
采用误差变量的线性组合对超混沌系统进行单向反馈控制,解析地证明了实现同步的可能性,从Lyapunov理论角度分析了对四维超混沌LC振子采用单变量单向耦合的可行性,求出同步所需控制器要满足的条件,当驱动系统参数做周期变化时,应用文中的控制器很好地实现了两个超混沌系统的同步.  相似文献   
215.
报道了用断裂力学的三点弯曲实验测试Ni膜与Ti基体之间的膜基界面结合能G,并与剥离实验结果以及Miedema模型计算结果进行了对比.结果表明:断裂力学方法测得的界面结合能G随基体的表面粗糙度R a 值的增大而增大,而与薄膜厚度无关;断裂力学方法测得的本征界面结合能与Miedema模型计算结果一致,而与剥离实验结果有差距,但仍具有可比性.文中还讨论了用断裂力学三点弯曲实验方法测量膜基界面结合能的适用范围.  相似文献   
216.
合成了两种新型Cu(II)-邻菲咯啉-丁二酸三元配合物, 即[Cu(phen)2L](H2L)*5H2O(1)和[(phen)2CuLCu(phen)2]L*10H2O(2), 它们均属三斜晶系, 空间群为P1(no.2), 晶胞参数分别为(1)a=10.282(3), b=12.141(3), c=14.233(4) (A),α=78.55(2)°,β=76.50(2)°,γ=84.29(2)°,V=1 690.7(9) (A)3,Z=2,R=0.102 1,wR2=0.138 7;(2) a=12.943(2),b=14.436(2),c=17.974(3) (A),α=75.128(9)°,β=69.030(9)°,γ=69.02(1)°,V=289 6.2(9) (A)3,Z=2,R=0.097 6,wR2=0.224 0. 结构分析表明,每个Cu原子与分属于2个邻菲咯啉配体的4个N原子和来自丁二酸根的2个O原子形成配位数为6的畸变八面体CuN4O2. 配合物(1)中配位分子间通过芳环堆积作用形成平行[011]方向的一维超分子链,超分子链之间通过结晶水分子的氢键作用形成二维层,并进而堆积形成一维隧道和三维骨架,丁二酸分子和其余结晶水分子位于隧道内. 配合物(2)中丁二酸根桥联的双核配阳离子借助芳环堆积作用形成平行于(010)面的正电性二维层, C4H4O42-离子和结晶水分子位于正电层之间并形成负电性二维网络层.  相似文献   
217.
黄芪和丹参清除自由基能力的研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
用电子顺磁共振(EPR)技术分别检测黄芪、丹参生药提取液对超氧阴离子自由基和脂质自由基的清除能力,结果显示一定含量的黄芪和丹参对超氧阴离子自由基和脂质自由基均有不同程度的清除作用,其中黄芪对脂质自由基的清除作用大于丹参,丹参对超氧阴离子自由基的清除能力强于黄芪。  相似文献   
218.
改进的多孔硅生长模型和计算机模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.  相似文献   
219.
HLB值及其在乳液聚合研究中的应用   总被引:9,自引:0,他引:9  
文章介绍了表面活性剂的亲水亲油平衡值(HLB值)的概念、获取方法,并介绍了其在乳液聚合研究中选择乳化剂及控制复合乳化剂配比用量方面的一些应用。  相似文献   
220.
以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,采用相同方法在LaNiO3/Si(100)上制备了Pb(Zr0.3,Ti0.7)薄膜,对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3薄膜的结晶性,表面形貌和电性能进行了研究。  相似文献   
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