基于小波变换的列车走行部故障诊断

走行部是保证列车行车安全的关键部件。基于小波变换原理，根据走行部故障振动信号的特点，选用调制高斯函数作为基本小波。试验表明，该方法对突变信号的描述更为精确，对由走行部局部损伤引起的振动信号突变十分敏感。是一种可靠而有效的故障诊断新方法。     

决策树分类算法研究

决策树分类算法是数据挖掘研究中的一个以样本数据集为基础的归纳学习方法，它着眼于从一组无次序、无规则的样本数据集中推理出决策树表示形式的分类规则，提取描述样本数据集的数据模型。讨论了决策树分类算法的基本原理，给出了算法的特性并通过一个实例给出了具体的使用方法。     

EAST中性束注入器加速极电源设计

文章介绍了80 kV,80A EA ST托卡马克装置中性束注入器加速极电源的设计方案,该方案利用脉阶调制技术,引入一种新颖的80个不可控直流电源模块串联的解决方案;加速极电源的输出电压取决于投入的模块数,通过开关可调节输出电压在0%~100%额定电压范围内阶梯变化;与传统的整流加串联真空调整管方案相比较,该方案具有多方面的优点。     

基于余弦调制构造M带紧支撑双正交小波

作为经典两带小波的拓展,基于完全重构 (PR) 滤波器理论研究了任意M带小波的性质,提出了基于余弦调制的提升结构构造M带紧支撑双正交小波的新算法.与通常的非线性优化方法相比,所提出的算法需要优化的参数更少,稳定性和鲁棒性更好,且可以用离散余弦变换(DCT)的快速算法实现.数值实验结果表明,这种方法不但实现简单快捷,而且所得到的多带小波性能比现有方法有显著改进.     

无线局域网中补码键控技术的研究

介绍了一种无线局域网的调制方法——补码键控．给出了无线局域网中补码键控的实现过程，通过应用Matlab对其进行了Matlab仿真试验，证明了该方法的可行性与优越性。     

采用相位调制的三级阶梯波逆变器门驱信号发生器

相位调制在抑制输出谐波和输出自动稳压的敏感性方面比幅度调制有明显的优点．本文报告了一个三电平逆变器的门驱信号发生器，6个信号分成二组并严格对称．一组用于驱动逆变器功率电路的正半周，一组用于驱动逆变器功率电路的负半周，合成一个完整．三电平逆变输出，每个开关的切换角，即相位可调．文中还报告了一种具体的逆变器实验电路及其测试结果．     

船舶运动航向自适应非线性控制的仿真研究

针对参数未知的船舶航向非线性控制系统数学模型，考虑船舶操舵伺服机构特性的情况下，船舶航向控制问题成一个虚拟控制系数未知的非匹配不确定非线性控制问题。引入Nussbaurrl函数，并采用逆推(backstepping）技术，成功地解决了上述困难，设计了船舶航向自适应非线性控制器；借助Lyapunov函数证明了所设计控制器使最终的闭环非匹配不确定船舶运动非线性系统中的所有信号有界，系统的实际航向自适应地保持设定航向。以大连海事大学“育龙”轮为例进行仿真研究，结果证明所设计的控制器是有效的。     

用基于rao-Wilton-glisson基函数的矩量法分析线天线

针对常用的线电流模型在对直径/波长比较大以及横截面形状复杂的线天线的矩量法分析中的缺点,运用基于面电流模型的RWG(rao wilton glisson)基函数的矩量法对几种典型截面形状的线天线进行分析。线天线的截面可以是任何形状,既可以是空心管也可以是实心柱。文中还介绍了运用数学映射进行网格剖分的方法并通过数值计算对高斯曲线振子以及实心和空心七元Yagi Uda天线在不同直径和横截面形状情况下的增益和输入阻抗进行了分析。数值结果表明,在天线直径较大的情况下,天线的输入阻抗和增益与横截面形状的关系较大,并且空心与实心的差别也较大。     

Sagnac干涉仪中差分相位调制的单光子干涉

介绍一种稳定的长距离单光子干涉仪，即光纤Sagnac单光子环形干涉仪，其平衡结构有效地补偿了由于光纤长度随时间缓变带来的相位涨落和光纤本身形状随时间缓变引起的偏振态涨落．在Sagnac环形干涉仪中通过分时相位调制实现了1550nm波长27km单光子干涉，对比度大于90％．进一步的讨论表明该单光子干涉仪可用于长距离稳定的单光子路由和量子保密通信．     

深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应

用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_0.15Ga_0.85N/GaN MODFET 的直流特性. 模拟器件的栅极长度L_g为0.2 μm, 沟道长度LDS为0.4 mm. 在模拟得到的I_DS-V_DS输出特性曲线中, 发现了微分负阻效应, 即V_GS为固定值时, 当V_DS逐渐增加, 并达到某一阈值时, I_DS会随着VDS的增大而减小. 对GaN体材料的速度-电场特性和对器件的二维电子气沟道内的电场和速度分布的分析表明, 沟道内电子平均漂移速度的负阻效应导致了输出特性的微分负阻效应, 二维电子气沟道内的瞬态输运对微分负阻特性也有一定影响. 这种效应只有在超短沟道MODFET中才能发生.