首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8275篇
  免费   207篇
  国内免费   427篇
系统科学   51篇
丛书文集   372篇
教育与普及   543篇
理论与方法论   61篇
现状及发展   69篇
综合类   7813篇
  2024年   31篇
  2023年   107篇
  2022年   107篇
  2021年   134篇
  2020年   101篇
  2019年   84篇
  2018年   61篇
  2017年   77篇
  2016年   109篇
  2015年   162篇
  2014年   341篇
  2013年   256篇
  2012年   327篇
  2011年   368篇
  2010年   340篇
  2009年   480篇
  2008年   433篇
  2007年   462篇
  2006年   353篇
  2005年   330篇
  2004年   372篇
  2003年   382篇
  2002年   331篇
  2001年   373篇
  2000年   321篇
  1999年   336篇
  1998年   243篇
  1997年   273篇
  1996年   253篇
  1995年   215篇
  1994年   182篇
  1993年   158篇
  1992年   157篇
  1991年   147篇
  1990年   173篇
  1989年   137篇
  1988年   77篇
  1987年   51篇
  1986年   34篇
  1985年   14篇
  1984年   3篇
  1983年   5篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
  1980年   6篇
排序方式: 共有8909条查询结果,搜索用时 375 毫秒
991.
在三室电池中研究了Pt/CdS+C_2H_5OH/H_2O悬浮体系中光催化剂Pt/CdS微粒上的光生电子e~-通过碰撞向工作电极转移的可能性及影响转移效率的诸因素,建立了泥浆电极法.  相似文献   
992.
雪仕湛 《科学》1992,44(2):48-49
  相似文献   
993.
本文用动光弹方法对不同炮位爆炸加载产生的应力波扩展及其与裂纹相互作用进行了初步探讨,为在岩石爆破中控制裂纹的产生、扩展路径和裂纹面的形成提供了重要依据。用国产多火花型动光弹仪定性地记录了应力波扩展与裂纹及相互作用的瞬态过程。本文在数据处理时,对传统的方法作了改进,结果表明,该方法是可行的、自行编制的程序具有对初始值灵敏度低、计算速度快,迭代次数少等特点。  相似文献   
994.
实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。  相似文献   
995.
996.
(PYH)4[Mo2O3(SO4)(NCS)6]的昂体结构采用x射线衍射法测定。晶体属三斜晶系,空间群p1,a 11.060(1)、b 8.526(2)、c 12.059(1)A,a 95.40(2)°、β 114.08(1)°、γ 97.522(2)°,Z=1,Dobs1.640、Dcalc.1.643 g.cm-3。 衍射强度收集-在ENRAF—NONIUS CAD—4四园衍射仪上,用Mo—Ka射线,θ~2θ扫描方式,在1°<θ<28°的范围内,收集到衍射点5160个,其中独立衍射点4905个。衍射点的心对称部分取平均。强度数据经LP因子、衰减因子和吸收因子校正。 晶体结构系通过直接法和电子密度函数法解出。调用MUNTAN—80直接法程序,从E图上得…  相似文献   
997.
高聚物中光稳定剂自由基的空间分布和迁移的ESR成象研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
何光龙  吕起镐  付乐虞  徐广智 《科学通报》1996,41(13):1191-1194
已有研究工作表明,光稳定剂在对塑料制品起稳定保护作用时除了正常的化学消耗外还存在着物理损耗,致使塑料制品中光稳定剂的浓度降低.显然,化学消耗是使塑料制品稳定所必需的,它依赖于光稳定剂分子中起稳定作用的功能基团的化学活性。物理损耗并不是稳定作用所必需的,但它使体系的光稳定剂浓度迅速降低。物理损耗与光稳定剂的3个物理化学性能相关联,即溶解度(或相容性)、扩散系数及挥发性。很明显,光稳定剂的物理损耗远大于它的化学消耗,如何降低光稳定剂的物理损耗,提高它的利用率是高聚物光稳定剂研究中的重要课题。  相似文献   
998.
999.
以横向光伏效应为工作模式,采用氢化非晶硅(a-Si:H)的快速退火固相晶化工艺,我们成功地研制了一维MIS结构的多晶硅(poly-Si)光位敏探测器(PSDs).测试结果表明:该器件光响应峰位在660nm附近,峰位处光谱灵敏度为1×10-3μA/μW,在20mW/cm2光功率密度下,对780nm的近红外光其平均位敏度约0.28mV/nm,与未经退火的α-Si:H器件相比,光响应最大光位敏度为0.46mV/nm,峰位红移60nm,光谱灵敏度提高了1-2个数量级。  相似文献   
1000.
对球团矿配制成分及焙烧温度按正交设计,测定其晶格常数的变化规律,得到了宏观抗压强度与晶格常数变化的依赖关系。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号