Na+掺杂LiNbO3∶Pr3+荧光粉的制备及应力传感性能

采用高温固相法制备了Na+掺杂的荧光粉Li_1-xNa_xNbO₃∶Pr3+. 在不改变晶体结构的条件下,掺杂Na+提高了荧光粉Li_1-xNa_xNbO₃∶Pr3+蓝色光激发的发射强度,其最佳掺杂计量比x=0.05. 将荧光粉负载到铝合金板上,对金属板施加拉力时,LiNbO₃∶Pr3+的光致发光强度随应力的增大发生骤增现象. 随着x的增加,骤增现象逐渐消失,因为Na+的掺杂改变了Pr3+周围的不对称性,影响了LiNbO₃∶Pr3+的力诱导发光特性.     

白光LED荧光粉层涂敷的研究

介绍了使用蓝光LED芯片加上YAG荧光粉材料,利用混合相加原理,得到白光,而白光性能的好坏决定于荧光粉层的厚度和均匀性.实验中,根据不同的生产工艺(主要是荧光粉涂敷的不同)生产了六类白光LED.从同一个样品不同方向的色坐标来分析荧光粉的均匀性,最后从工艺的角度来分析,确定结构三为最佳的荧光粉涂敷方法.     

燃烧法制备Na5Eu（MoO4）4红色荧光粉

采用燃烧法制备Na5Eu(MoO4)4红色荧光粉,并通过XRD,TEM研究了粉体的结构和形貌特征.与文献报道的高温固相法合成的粉体相比,在紫外激发波长395 nm下,发出极强的红光同时显示出合适的色度坐标为(x=0.673,y=0.327),因此它可被应用于近紫外InGaN基白光LED芯片.     

水热合成Ba3Sc2F12:Yb3+,Er3+荧光粉的形貌及其上转换发光性能的探究

采用简单温和的水热法合成了Ba_3Sc_2F_(12):14%Yb~(3+),2%Er~(3+)荧光粉,通过控制反应时间和Li~+离子的掺杂量获得了一系列产品,对其物相组成及微观形貌进行了具体的分析,同时基于以上两个因素分别对所制得的产品的发光性能进行了探究,结果表明,反应时间的延长会使得产品晶体的尺寸增大进而使得发光强度增加,Li~+离子的掺杂量为40%时产品的发光强度最大.     

低压FED粉（Gd2—mZnm）O3：Eu^3＋阈值电压特性的研究

低压ＦＥＤ芝人现在存在着一个比较大的问题就是红色荧光粉的阈值电压高，发光效低，本文对一种新型红色压荧光粉（Ｇｄ２－ｍＺｎｍ）Ｏ３：Ｅｕ＾３＋的低阀值电压特性进行了讨论。     

用于FED和VFD的低压蓝色ZnS:Zn,Pb荧光粉的研究(英文)

研究出的低压蓝色ZnS：Zn，Ph荧光粉的色座标为x－0．145，y＝0．166这种荧光粉相近的亮度面，远远大于ZnS：Zn的亮度，当与粒径的二分之一的In2O3混合时，其临界电压可从80V下降到8V，这种荧光粉可用于FED和VFD中．     

稀土硼酸盐黄色荧光粉的合成

合成了一种稀土硼酸盐黄色荧光粉，研究了它的发光强度随组成的变化规律，讨论了影响荧光粉发光亮度的各种因素，其中稀土原料的纯度对荧光粉的发光亮度有很大影响。测定了荧光粉的结构，发射光谱和激发光谱，考察了应用性能，结果表明，它符合灯用荧光粉的各项指标要求。     

白光LED用YAG:Ce3+荧光粉的增红

目前白光LED在红光波段发射较弱,导致其显色指数偏低,本文在最常用的白光LED荧光粉Y3Al5O12:Ce3 (YAG:Ce3 )中掺入Gd3 、Pr3和Sm3 ,来增强红光波段的发射,从而提高显色指数.用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、光谱分析仪及荧光粉相对亮度测试仪对样品进行表征,研究了Gd3 、Pr3 和Sm3 对荧光粉性能的影响,并对其增红机理进行了初步的探讨.结果表明:Gd3 、Sm3 及Pr3 的加入都增强了光谱的红区发射,Gd3 使光谱发生红移;Sm3 则在光谱上增加了峰值分别位于566、600和616nm的三个弱发射峰;Pr3 在光谱的红区发射区叠加了一个峰值在610nm的尖锐发射峰;Gd3 、Sm3 及Pr3 的加入,使样品相对亮度及发光强度都下降了一定程度.     

尿素水解法合成细粒径高亮度Y2O3：Eu红色荧光粉

采用尿素均相沉淀法合成超细Y2O3：Eu红色荧光粉，用各种方法对其中间物和最终产物进行表征，讨论了合成条件对Y2O3：Eu粒径、发光性能的关系，观察到均相沉淀法合成的Y2O3：Eu比常规固相反应法合成的Y2O3：Eu激活剂Eu^3 的临界浓度高得多，获得了平均粒径小于1μm，发光亮度与现商用品(d50=5．5μm)相当的亚微米级Y2O3：Eu红色荧光粉。     

红色荧光粉Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)的制备及发光性能

采用高温固相反应成功地制备出Mn~(4+)激活的Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)红色荧光粉,并对它的结构及发光性能进行了测试表征.实验结果表明:合成的样品能被270~570 nm的紫外光和蓝光有效地激发,产生很强的红光发射.样品的主发射峰位于660 nm左右,这对应于Mn~(4+)的2E2→4A2跃迁.通过Mn~(4+)掺杂浓度的调控,优化了Mg_2TiO_4∶Mn~(4+)的发光性能.最后将优化后的Mg_2TiO_4∶0.002 5Mn~(4+)荧光粉和YAG涂覆于~465 nm发射的Ga N芯片上,制作成暖白光发光二极管(LED).该LED器件表现出很强的暖白光发射.