HN2分子^2B1,^2A1态能级的理论计算

本文通过建立NH2分子的简单结构模型，根据实验测定的激发态、基态势能曲线，建立了该分子体系的哈密顿量和薛定锷方程，通过微机计算了NH2分子^2A1,^2B1态的能级分布，其理论计算结果与实验结果一致。     

对Nilsson能级计算的改进

本文在原Ｎｉｌｓｏｎ能级计算的基础上，进一步考虑了大壳之间的耦合。计算结果表明：在大形变情况下，对Ｎｉｌｓｏｎ能级有明显的修正，而在球形情况下则完全不必考虑大壳之间的耦合     

^188Os低激发能级的研究

＾１８８Ｒｅ衰变的γ射线谱用低本底反康普顿谱仪和三参数γ－γ－Ｔ符合系统进行了研究。初步的数据分析表明８１０，１４３６，１９３６，５５７，１８６７和２０２２ｋｅｖ六条γ射线以及１４３３，１９３６和２０２２ｋｅｖ三条能级是存在的，并且发现了１９８３，１８２８和２５７等新的γ射线，初步确定了一条１９８３ｋｅｖ的新能级。     

有限深球形势阱束缚态能级近似计算

介绍一种计算有限深球形势阱束缚态能级的近似计算方法，并对具体问题进行了这么些人出了有限深球形势阱的能级和波函数与无限深球形势阱的能级和波函数之间的关系。     

微波频率时间标准的研究

在微波，已能用１×１０－１３的准确度确定某个频率；这表示原子的能级差可以这么精确。铯钟是原子时间得以定义的根据。氢钟的谱线极窄，能级图简单，稳定度高（在１０－１３至１０－１５之间）。另一方面，利用宏观物理效应也能做出高准确度、高稳定度的微波频标——超导腔稳频振荡器（ＳＣＳＯ）即为显著的实例。超导腔的质量因数最佳者可达１０１１，ＳＣＳＯ的短期稳定度竟可达６×１０－１６。令人惊叹的成就又开辟了应用前景     

混晶GaAs1—xPx禁带中央附近能级的研究

用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样品中均存在一个呈空穴陷阱的深中心,其光阀值能量分别为 0.95 eV和 0.97 eV,光电容瞬态谱具有非单指数性;且在同一波长的光激发下,非单指数性随激发光强度的增大而增强。对这一深能级中心的结构及其激发过程进行了分析和讨论,提出一种多能级耦合的缺陷中心模型并用二步激发过程解释了实验结果。