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51.
52.
压力下半导体GaAs的电子表面态 总被引:1,自引:0,他引:1
使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示,采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本征表面态的影响,数值结果表明,随压力增加电子表面态能级明显向上移动,且电子趋近表面。 相似文献
53.
本文用116Sn(11B,3n)124Cs熔合蒸发反应和束γ测量研究了124Cs核的能级结构,观测了124Cs核的高自旋态能带结构及其基态的跃迁,在此基础上建立了124Cs核的能级纲图。本实验经过分析,观测到了124Cs的高自旋带间结构及基态之间的跃迁关系,从而确定了晕带与亚晕带之间的连接关系。 相似文献
54.
本文详细介绍了采用复数傅立叶展开方法的应用,计算不满足空间反演对称性周期势场中粒子的能量本征值和概率密度分布特征。结果表明不对称势场中阱底并不是粒子基态稳定存在区域,最高概率密度分布位于平缓阱壁。 相似文献
55.
在已获得的C6 0 分子取向几率与温度关系的基础上 ,考虑C6 0 晶体两种最优取向构成的双能级系统 ,探讨了C6 0 晶体的各种热力学函数在 2 6 0K温度下的表现形式 .着重分析了 87K附近二阶相变两侧热力学函数的变化规律 .根据已报道的C6 0 晶体在有序相两端点温度 87K和 2 6 0K的取向分布实验结果 ,将较高能级分子取向 (38°)的几率转化成分数值 1 6和 3 8.由热力学基本原理 ,得到了两端点温度的 38°取向分子的三维排列结构 ,并对其随温度的转变作了初步的探讨 . 相似文献
56.
57.
刘守渔 《西华师范大学学报(哲学社会科学版)》1994,15(4):370-372
用3个量子数L,S,J来判定原子态在外磁场中能级是否分裂.分析了原子态在弱磁场中不发生分裂的根本原因,比通过计算朗德因子g的判定方法简便. 相似文献
58.
带有质量四极矩的静态黑洞视界附近的Dirac能级 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了一类带有质量四极矩的非Schwarzschild静态黑洞视界附近的Dirac能级,计算出了粒子正,负能级以及禁区宽度的表达式,用计算机计算并绘制了Dirac能级图。 相似文献
59.
利用非线性量子自陷理论研究苯的特征能级庞小峰,游寿泉,游寿星(西南民族学院)(四川乐山教育学院)(四川大学)根据最近发展起来的非线性量子自陷理论可用来计算高分子和小分子振动能谱及其动力学特征 ̄[1~9],我们利用分立的量子化自陷方程研究了苯(C_6H... 相似文献
60.
卢正启 《上饶师范学院学报》1994,(5)
本文试图从粒子的自旋,轨道角动量耦合角度出发,分析原子、原子核、电子偶素、夸克偶素及固体中的激子束缚态能级的高低及其它们基态的性质。尤其定性地说明了原子物理中的洪特定则。 相似文献