α-T_3模型中的Klein隧穿和电导

指出了α-T_3模型是近年来出现的二维材料模型,其中用参数α来描述六边形中央的格点与蜂巢晶格上格点的耦合强度.利用紧束缚近似导出了α-T_3模型低能哈密顿量,计算了粒子通过电势垒的透射概率的表达式,采用图解法分析了透射概率及电荷输运电导在各种条件下的规律.     

四终端铁磁/半导体/铁磁异质结的自旋输运性质

提出了含有δ势垒的四终端铁磁/半导体/铁磁异质结模型,研究了该模型透射概率的性质.结果表明:透射概率随半导体长度的增加产生周期性振荡,且与δ势垒强度及电子的自旋方向相关,Rashba自旋轨道耦合强度、外磁场对透射概率均有影响.     

ZnO 玻璃系压敏电阻配方研究

研究了 Zn O玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响 .发现玻璃料的添加量 w玻璃料 一般在 8.0 %～ 1 0 .0 %时效果最佳 .Sb2 O3的引入可生成 Zn7Sb2 O1 2 尖晶石相 ,抑制晶粒的生长 ,并使压敏场强E和非线性系数 α值增加 .Co和 Mn的添加使界面态密度增加 ,引起势垒升高 ,使非线性特性显著提高     

熔合势垒形状的唯像研究

根据唯像理论构造了一个势垒顶部出现凹槽的熔合势垒模型,来解决利用现有势垒模型计算出的熔合截面数据与实验数据不相符的问题.使用多级势近似方法计算了不同反应体系的熔合反应截面,发现当势垒厚度和凹槽的位置合适时,计算出的熔合截面数据和实验数据高度符合.该研究为进一步澄清熔合反应中熔合势垒的形状、重离子垒下熔合机制等相关研究提供参考.     

势垒边界对共振透射的影响

利用转移矩阵方法讨论势垒中粒子概率振荡峰的个数与入射能量、势垒宽度的关系及其势垒边界对共振透射的影响。计算结果表明边界只是改变了共振透射的位置,并没有改变振荡峰的个数与入射能量、有效势垒宽度的关系。     

4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应

以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致.     

肖特基势垒和欧姆接触

用能带结构的观点分析了金属和半导体相接触的机理，并简要介绍了肖特基二极管的构造及应用。     

GaAs MSM—PD的实验研究

本文报道一种双肖特基势垒叉指电极型快速光探测器，其光敏面１５０×１５０μｍ２，指长１４０μｍ，指定１０μｍ，指间隔１０μｍ．实验结果表明：该探测器的光灵敏度为０．７０Ａ／Ｗ，暗电流为ｎＡ量级（ＵＤＣ＝１０Ｖ），其响应时间小于４０ｐＳ．     

多重双势垒结构中电子共振隧道效应的理论研究

研究了一维多重双势垒结构中电子共振隧穿效应，给出了透射系数和共振隧穿条件的解析表达式，数值计算并解释了随双势垒内外讲宽度差△ｄ变化的共振隧穿透射能谱，与对应的多重单势垒结构相比，这种多重双势垒结构显示出一些有趣的性质．