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261.
本文研究了GeO_2-K_2CO_3和MoO_3掺杂的(Na_(0.3)K_(0.7))NbO_3铁电半导体陶瓷的PTC效应。导出了存在粒间相情况下铁电体表面势垒表示式,这是对Heywang模型的一种修正,利用修正的Heywang模型对(Na,K)NbO_3半导体陶瓷的PTC效应进行了解释。 相似文献
262.
氧化物半导瓷中晶界势垒的起源 总被引：9，自引：1，他引：8
提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势起源的新观点，认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散，与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系，并用此理论解释了许多实验现象。 相似文献
263.
林鸿生 《中国科学技术大学学报》1993,(3)
在均匀连续分布的隙态密度假设下,用指数势垒模型来描述a-Si:H的表面势垒,在此基础上理论计算拟合了实验上观测到的载流子表观扩散长度与偏置光强度的依赖关系,改善了Moore的有关SPV实验的解释。 相似文献
264.
用Ｌ－Ｊ势计算晶体中Ｃ６０分子的旋转势垒刘奉岭王泽新姜云生（山东师范大学化学系，２５００１４，济南；第一作者３６岁，男，副教授）常温下Ｃ６０以固体形式存在，其结构是面心立方即ＦＣＣ结构．室温下，晶格质点上的Ｃ６０分子已在作高速旋转．到目前为止，对晶... 相似文献
265.
表面电荷转移效应研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文报道笔者从光吸收谱上观察、分析分子吸附在银表面出现电荷转移跃迁的结果,并从表面势垒角度定性解释了电荷转移跃迁几率与吸附状态的关系以及Cl~-离子对吸附状态的影响。 相似文献
266.
267.
268.
对八个含方酸结构的菁染料所构成的Schottky势垒型的太阳能电池,研究了其结构与光电参量之间的关系,並与无机材料太阳能电池的光电参量作了类比,以探索提高光电转换效率的途经。 相似文献
269.
张怀来 《南京邮电大学学报(自然科学版)》1984,(2)
本文介绍新颖的L波段双栅GaAs MESFET(砷化镓金属半导体场效应管)器件的特性及等效电路,给出了正确选择其工作状态的原则,着重讨论UHF低噪声双栅GaAs MESFET放大器的设计方法。根据设计制成的放大器具有增益高、噪声系数小、工作稳定、体积小等优点。 相似文献
270.