M/a-Si势垒的静态分析

本文证明:对于任意连续的晶硅(α-S1)隙态密度分布g(E),非晶硅肖特基势垒(M/α-Si)的剖面是V(x)=A(x)(V_(bi)-u)exp(-Lx)+uA(x)=(exp(-2L(x_n-x))+1)/(exp(-2Lx_n)+1)这里u=r/L~2, r=en_e/kk_0, L~2=α~2g(Ei)/kk_0,x_n是势垒宽度.n_0是导带过剩电子密度,k和k_0分别是α-Si的介电常数和真空电容率.如果隙态过剩电子密度N_t>>n_e,则有V(x)=V_(bi)·exp(-Lx)这里V_(bi)是M/a-Si的内建势,而N_t=g(Ei)(E_(fn)-E(fi), N_1+n_e=N?这里E(fn)和E(fi)分别是n型α-Si和本征α-Si的费米能级,N?是电离施主浓度,g(E_i)是E=E_i时g(E)的值,并且在本文中称它为"α-Si有效隙态密度”.     

关于金属表面势垒和逸出功的问题

本文运用量子理论对金属表面势垒及逸出功进行了分析，从而弥补了一般大学物理教材中在此问题上的不足之处。     

N2H4+F的反应机理和动力学研究

采用从头算直接动力学方法预测了N2H4与F原子之间的两条镜像反应通道. UB3LYP/6-31 G(d,p)水平的路径扫描和CCSD(T)/aug-cc-pVTZ方法下的能量修正证实, 这两个等价通道(N2H4 F→N2H3 HF)并非人们认为的氢抽提机制, 而是首先通过形成具有Cs对称性的反应前中间体同步发生反应, 然后在几乎无势垒和高放热的情况下跨越过渡态而生成氢键中间体, 后者进一步降解为N2H3和HF. 采用ICVT/SCT方法计算得出了各通道在220～3000K温度范围的速率常数.     

半导体量子阱共振隧穿特性分析

用双势垒模型研究了半导体异质结量子阱的隧穿特性.利用电子波函数的连接条件,先计算出电子通过一简单方势垒的隧穿几率,再利用转移矩阵方法得到电子通过双势垒的隧穿几率.所得结果能较好地解释半导体量子阱结构中的共振隧穿现象.     

锗亚胺及其相关分子的密度泛函计算研究

在B3LYP/6-311++G(d,p)、B3LYP/6-311++G(3df,2p)和B3P86/6-311++G(3df,2p)水平优化计算了锗亚按、磷杂烯、磷杂锗烯和砷杂硅烯以及标题物质子化正离子的平衡几何构型.用优化计算的平衡几何构型,在B3LYP/6-311++G(3df,2p)//B3LYP/6-311++G(3df,2p)计算了各标题物的旋转势垒.在B3LYP/6-311++G(d,p)//B3LYP/6-311++G(d,p),B3LYP/6-311++G(3df,2p)//B3LYP/6-311++G(3df,2p)和B3P86/6-311++G(3df,2p)//B3P86/6-311++G(3df,2p)计算了各标题物的质子亲和能,质子化反应自由能(ΔG 298)和质子化反应的焓变(ΔH 298).计算结果表明标题物有较强的π键和负值较大的质子亲和能、ΔG 298和ΔH 298,有稳定的质子质子化正离子产物.计算的旋转势垒标表标题物分子有比较强的π键,质子化正离子的π键比对应的中性分子强.     

4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究

采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．     

（HgS／CdS）nHgS线状超品格电子能带结构

建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程，并对(HgS／CdS)nHgS线状超晶格作具体计算，探讨了势阱和势垒宽度对电子能谱的影响。结果表明：沿轴向方向的线状超晶格系统的电子能谱存在能带结构，低能带的宽度要比高能带的宽度小；势阱宽度增大和势垒宽度减小会使带底的位置降低而带宽增大；圆柱半径在40^。A左右时，第一禁带宽度最大。     

MEHMO法计算F+H_2共线反应势能面

用改进的EHMO(MEHMO)法计算了F+H_2共线反应的势能面,本方法在H矩阵的对角元中引入了一项描述不同原子间排斥力的经验项,基组选用F原子的2p_(?)轨道和H原子的1s轨道,参数值B为0.64,在得到的势能面上,于R_(UH)~*=2.54 a.u.和P_(HH)~*=2.18a.u.处出现的位垒高度为15.72kJ/mo1.反应产物和作用物的能量差为-144.21kJ/mo1.本文所得结果与实验测定、从头计算法的结果一致。     

宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制

采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .     

GaAsMMIC压控带通有源滤波器的一个实现

采用负阻电路以及由作者自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管,应用ＧａＡｓＭＭＩＣ技术实现了Ｌ波段大调频范围压控带通滤波器．该滤波器具有２００ＭＨｚ的３ｄＢ带宽,其中心频率调频范围约６００ＭＨｚ,从１．０～１．６４ＧＨｚ,并具有足够的带外抑制比．全部偏置电路均在芯片上,芯片占用面积１．６ｍｍ×１．８ｍｍ．