周期势垒的反射系数

应用特征矩阵方法计算周期势垒的反射系数，所得结论与文献结果一致，但计算方法较为简单，并且便于计算机处理     

Si中30°部分位错弯结-重构缺陷运动特性的分子模拟

通过基于EDIP（Environment—Dependent Interatomic Potential）势函数的分子动力学模拟，得到了左弯结-重构缺陷（LC）和右弯结-重构缺陷（RC）在1个周期内通过稳定状态之间的相互转化来实现运动的具体过程，同时给出了LC和RC在不同温度和剪应力作用下的运动速度曲线．通过NEB（Nudged Elastic Band）方法结合紧束缚势函数，计算出了LC和RC在1个周期内的迁移势垒，验证了分子动力学结果的正确性．计算结果表明，含有重构缺陷（RD）的LC和RC相对于左弯结和右弯结具有较快的运动速度，验证了之前得出的RD对30°部分位错的运动具有加速作用的结论，并且通过对弯结运动过程中微观结构的分析，从微观尺度上对这一结论进行了解释．     

Si中30°部分位错弯结-重构缺陷运动特性的分子模拟

通过基于EDIP(Environment-Dependent Interatomic Potential)势函数的分子动力学模拟,得到了左弯结-重构缺陷(LC)和右弯结-重构缺陷(RC)在1个周期内通过稳定状态之间的相互转化来实现运动的具体过程,同时给出了LC和RC在不同温度和剪应力作用下的运动速度曲线.通过NEB(Nudged Elastic Band)方法结合紧束缚势函数,计算出了LC和RC在1个周期内的迁移势垒,验证了分子动力学结果的正确性.计算结果表明,含有重构缺陷(RD)的LC和RC相对于左弯结和右弯结具有较快的运动速度,验证了之前得出的RD对30°部分位错的运动具有加速作用的结论,并且通过对弯结运动过程中微观结构的分析,从微观尺度上对这一结论进行了解释.     

一类偶对称势垒透射系数的数值解法

把薛定谔方程的散射态和驻波态联系起来，发展了一种用来求解一些偶对称势垒透射系数的数值方法．对于一些势垒，透射系数的精确解析表达式是无法得到，而利用该方法既可以精确地求出透射系数，又可以求出偶宇称和奇宇称波函数的位相．对于双势垒，利用透射系数可以准确地给出束缚态能级．作为例子，我们利用该方法求解了一种单势垒和一种双势垒的透射系数和对应的偶宇和奇宇称波函数的位相．这些结果清楚了显示了微观粒子在受到势垒散射时的运动性质．     

ZnO、SnO_2及其复合UPF的工作温度对表面电阻的影响

本文介绍ＺｎＯ、ＳｎＯ２及其复合ＵＰＦ的工作温度对其薄膜表面电阻的影响，并根据表面吸附模型和理论对其结果加以分析．所研究的薄膜样品采用直流气体放电活化反应蒸化沉积技术制备．     

PN结的电容效应

对突变结和缓变结这两种设想的模型,利用泊松方程证明了PN结的势垒电容与一平行板电容等效,并得出计算公式。     

提高PtSi—SBIRCCD量子效率和转移效率的方法研究

本文阐述了提高PtSi肖特基势垒红外CCD(PtSi-SBIRCCD)的量子效率和转移效率的方法。探测器采用具有抗反射层的优化薄PtSi光腔结构,提高了量子效率。为了提高转移效率,CCD移位寄存器采用埋沟CCD,并且发现,降低埋沟中的杂质浓度是提高器件在77K液氮工作温度下的转移效率的一种有效方法。     

双势阱中能级分裂的物理机理探析

利用转移矩阵的方法研究双势阱中不同区域内波矢量之间的耦合机理,以更直观的图像,从新的角度解释和分析了能态分裂的特性和物理机理.研究结果表明:当势垒宽度较小时,电子容易遂穿到达另一势阱中;随着遂穿几率越大,波函数之间的耦合越强,能态的分裂越容易,反之波函数之间的耦合越弱,能态分裂越难.     

多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运

本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验吻合.