冲击线圈式(RCC式)变换器开关电源的设计

介绍RCC式开关电源的工作原理,并结合实际按给定参数对开关电源进行了设计,指出了其特点和应用范围.     

低功耗肖特基整流器件用200mm高均匀性硅外延层生长工艺研究

200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大,易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。本文利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性<1.0 %,电阻率不均匀性<1.1 %,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。     

碱基分子中单电子作用势判断化学键强弱的研究

碱基是遗传物质DNA和RNA的基本结构单元,与基因突变、癌症及遗传疾病许多健康问题息息相关.使用MELD精密从头计算及自编程序,计算了常见碱基分子腺嘌呤、鸟嘌呤、胸腺嘧啶、胞嘧啶和尿嘧啶中沿各化学键方向上的单电子作用势,并根据单电子作用势势垒——Dpb对各化学键的强弱进行了比较.结果表明,N—H键的Dpb值明显高于C—H键的Dpb值,且胸腺嘧啶分子的C7—H键的Dpb相对于其他分子的C—H键明显偏低.由于Dpb可以用来表征化学键的强弱,因此,碱基分子中N—H键要强于C—H键,且胸腺嘧啶中的C7—H键最弱,在DNA中易被自由基或其他基团进攻,该结论与实验结果一致,为进一步探讨碱基分子的相关性质奠定了基础.     

高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究

高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.     

冲击电流作用下氧化锌压敏电阻极性效应分析

为了能够精确测量MOV（氧化锌压敏电阻）的静态参数,利用HAEFELY PSURGE 30.2冲击波形模块在8/20 μs冲击电流下分别对MOV样品进行正负极性冲击,测量冲击后MOV的静态参数并描绘出压敏电压的变化曲线以及小电流区的伏安特性曲线。根据MOV内部双肖特基势垒模型,结合离子迁移理论,提出了MOV在冲击电流作用后同样存在极性效应,并且在负向测量时伏安特性曲线蜕变较严重;在正负极性交替冲击下,极性效应逐渐消失,但伏安特性曲线同样存在蜕变;在不同极性冲击下的压敏电压呈先上升后下降的趋势。这为今后精确地表征MOV蜕变程度提供了新的方法。     

Au／MoO3和Pt／MoO3薄膜光致变色反应的研究

报道了金属Ａｕ或Ｐｔ与ＭｏＯ３薄膜形成的肖特基结对ＭｏＯ３薄膜光致变色的增幅作用。纯粹的ＭｏＯ３薄膜只对紫外光有响应，但经过阴极极化处理后，薄膜就有产生可见光变色效应。为了提高变色效率，在薄膜表面蒸镀一层金属Ａｕ（或Ｐｔ），ＭｏＯ３薄膜的紫外和可见光致变色能力都有大幅度提高。这可用金属Ａｕ或Ｐｔ与ＭｏＯ３之间形成的特殊结构－肖特基结来解释。Ｐｔ与ＭｏＯ３的Ｆｅｒｍｉ能级差大于Ａｕ与ＭｏＯ３的Ｆｅｒ     

一维势垒问题中的变换矩阵表述

证明可以用两个普遍适用的矩阵———在常数势区域传播波函数的矩阵和使波函数越过势不连续处的矩阵 ,对一系列势垒问题建立起 1种精确的变换矩阵表述 .用这种方法在讨论一些简单问题时可以很方便地得到一些标准的结果 ,而且很容易将讨论推广到两个 ,甚至多个势垒 (例如 ,Kronig_Penney势 )的情况 ,有利于拓宽我们的研究领域 .     

平面波通过强度不相等的两个δ势垒时的共振散射与亚稳态的描述

对平面波通过强度不相等的两个δ势垒（阱）的定态薛定锷方程作了理论计算，得到了此问题的解。然后讨论了解的物理含义，着重分析了入射波产生共振透射的条件及其亚稳态的描述方法。     

四维GHS黑洞的隧道效应

把 Parikh 和 Wilczek 有关黑洞辐射的工作推广到四维GHS (garfinkle- horowitz-strominger)黑洞对带质量、电荷的粒子的 Hawking辐射. 在黑洞辐射过程中时空能量和电荷是守恒的. 计算结果支持信息守恒, 黑洞的辐射谱不是严格的黑体谱, 而是存在修正.     

重离子熔合反应的动力学势垒

用改进的量子分子动力学模型研究了与入射能量相关的重离子熔合反应^86Kr＋^100Mo的动力学势垒．在库仑势垒附近。随着入射能的降低可以观察到动力学势垒的最低值，这个最低动力学势垒与绝热势垒非常接近；另一方面，动力学势垒随着入射能的增加而升高，最终接近于静态势垒（非绝热势垒）．发现颈部的形成和体系的动力学形变是促使动力学势垒降低的主要原因．基于动力学势垒的研究，对于重离子熔合反应的势垒贯穿给出了一种全新的解释．