UHF低噪声双栅GaAs MESFET放大器

本文介绍新颖的L波段双栅GaAs MESFET(砷化镓金属半导体场效应管)器件的特性及等效电路,给出了正确选择其工作状态的原则,着重讨论UHF低噪声双栅GaAs MESFET放大器的设计方法。根据设计制成的放大器具有增益高、噪声系数小、工作稳定、体积小等优点。     

高速CMOS图像传感器及其应用

设计了一种基于新型像素结构的高速低功耗图像传感器芯片.芯片采用提出的梯度掺杂掩埋型光电二极管(PPD)和非均匀掺杂沟道传输管的像素结构,有效地提高了PPD中光生载流子的横向转移速度,降低了光生载流子的残留,减少了图像传感器芯片的拖尾现象.芯片采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列,降低了图像传感器芯片的整体功耗.图像传感...     

基于光子晶体的全光二极管单向透射特性分析

采用时域有限差分技术,分析非线性光子晶体点缺陷不对称结构的单向透射特性.研究发现:当光波从两个不同方向入射,耦合进入缺陷的电场能量不同,入射波存在单向透射特性,从而透射率在跳跃点处的阈值功率不同;此外,入射波在跳跃点处的最大透射率值与入射方向无关.进一步采用耦合模理论验证所得结果,所得结论与数值模拟结果一致.当光波从这种不对称的点缺陷结构两端入射时,所得透射对比度存在一个上限.     

多孔硅反射镜基有机微腔器件的微结构和光电特性研究

从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布Bragg反射镜(PS-DBR)/SiO₂/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分PS-DBR由低成本、高效率的电化学腐蚀方法制备. 场发射扫描电子显微图清晰显示: SBM-OLEDs具有纳米级层次结构和平整的界面. PS-DBR反射谱的阻止带宽160 nm, 且反射率达99%. SBM-OLEDs的反射谱中出现了标志此结构为微腔的共振腔膜. 在绿光和红光波段, 从SBM-OLEDs中都得到了改进的电致发光(EL)谱: 绿光(红光)EL谱的半高宽可由无微腔的83 nm (70 nm)窄化为有微腔时的8 nm (12 nm), 且为单峰发射, 微腔器件EL谱的色纯性有较大提高. 与非微腔器件相比, 发绿光和发红光的微腔在谐振波长处EL的强度分别增强了6倍和4倍. 对微腔器件的电流-亮度-电压(I-B-V)特性和影响器件寿命的因素也进行了讨论.     

两种芘取代咔唑衍生物光电性质的理论研究

采用DFT、HF、CIS和TDDFT方法,研究了两种芘取代咔唑衍生物3,6-芘基-9-(4'-叔丁基苯)咔唑(BPyC)和3,6-芘基-9-(4’-芘基苯)咔唑(TPyC)的结构和光电性质.结果表明,电子激发时,BPyC结构变化较大,TPyC结构变化较小.苯环上的取代基叔丁基或芘基对HOMO能级、能隙、电离能和重组能影响微小,对LUMO能级和电子亲和势影响较大.它们的发射光谱位于蓝光区域.与BPyC相比,TPyC具有更好的热力学稳定性和电荷注入传输性能,有望成为双极材料或蓝光材料.     

基于分类算法的多电平二极管钳位逆变器的通用快速SVM算法研究

针对多电平二极管钳位逆变器的传统SVM算法需要进行大量三角函数运算或查表操作、因而运算效率低的不足,引入基于Kohonen竞争性神经网络的分类算法,提出了一种通用的快速多电平二极管钳位逆变器SVM算法.新算法并不需要对神经网络进行训练,在整个实现过程中不再需要任何三角函数计算或查表操作,而只需要进行简单的加减乘除运算,因而能显著简化算法的实现.对三电平和五电平的二极管钳位逆变器进行时域仿真,结果验证了文中数学分析的正确性和所提算法的可行性,同时表明该算法是一种对多电平二极管钳位逆变器通用的算法,将它应用于不同电平数的逆变器时不需要进行任何修改.     

4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析

在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上,得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值,并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型.通过对肖特基二极管的正向特性在300～500 K的温度范围内的电流-电压曲线模拟,表明温度升高对正向特性的影响比较显著,肖特基二极管适合于高温工作,同时表明热电子发射是其主要运输机理.     

硅光电管光电转换特性的测量分析及应用

<正>近年来硅光电器件在各种仪器仪表上的应用日益增加,为了进一步研究硅光电管的光电转换特性,我们对硅光电二极管和硅光电三极管进行了实验测量.经过分析和研究,发现了有用的特性.可利用这些特性作电阻开关计、测量光强等应用;利用光电转换技术可以开发多种应用产品,用以测量光源的强度分布,物体的反光度、照相底片     

大功率LD泵浦全固态激光器综述

本文概述了大功率LD泵浦全固态激光器的基本原理和基本结构，介绍了大功率LD泵浦全固态激光器的应用领域及目前的应用水平，分析了我国发展LD泵浦全固态激光器的重要意义。     

专利信息

专利名称：聚光罩二极管节能光源（ZL200820012985．X）专利权人：郭元顺本光源是采用独特的“聚光罩”以及先进的“LED开关电源”组合而成的,是国内外领先的节能产品。