SiGe开关功率二极管的计算机模拟及优化设计

介绍了新型SiGe开关功率二极管结构及机理，在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计，并对其动态特性进行了模拟。与正反向特性模拟果综合比较得出，取20％的Ge含量和20nm的SiGe层厚时，器件性能最优。     

SBD势垒高度的影响因素分析

目前,硅材料的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode SBD)的击穿电压普遍很低,严重影响其实际应用。为了解决这个关键性的问题,本文采用实验与理论分析相结合的方式,着重于表面态、界面层对势垒高度的影响进行研究。提取出三个重要参数,表面态密度Di、界面层电容密度Ci和表面态中性能级Φ0。结果表明:势垒高度的高低强烈依赖于这三个特性参数的大小。     

对电桥法测二极管的伏安特性的分析

用万用表的电阻档预测二极管的电阻，能快速地选择电桥平衡时各电阻的大小，提高了实验的成功率。     

快速低漂移光电流放大器的研制

本文结合硅光电二极管的特性通过实例讨论了光电流放大器设计中的一些问题。较详细地论述了运算放大器参数对放大器特性的影响,並从理论上进行了推导计算。对噪声电压的影响也作了一些讨论,得出了测定元件参数的参考方法。最后给出了放大器的测试结果和在光电高温计中的应用情况。     

技术市场

电子连接器新材料，新工艺，自动化；烟气污染源自动监测系统（CEHS）；封装玻封二极管过程中微小气泡的产生问题[编者按]     

SiO2厚度对半导体器件的电子辐射效应的影响

研究了SiO2厚度对光电二极管的电子辐射效应的影响.制备了3种光电二极管,分别采用不同厚度热氧化SiO2作为光敏面钝化膜.以能量为0.8 MeV的电子束为辐射源,对3种光电二极管进行4个剂量的辐射.实验发现,辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段基本不衰减;暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加.另外,薄钝化的二极管光电流衰减最小,同时暗电流增加最显著.     

等效法测二极管伏安特性电路的改进

在分析了等效法测量二极管伏安特性电路存在的不足的基础上,提出电路的改进方法,并实测了2AP9二极管的伏安特性曲线.     

有机蓝光材料、蓝光主体材料的研究进展

有机电致发光二极管,简称OLED,在全彩色平板显示和固态白光照明等领域展示出诱人的前景,引起了人们极大的关注.目前,蓝光材料的关键性能还需要进一步地     

新型高功率因数三相AC—DC变换器的研究

提出一种新型高功率因数三相AC－DC变换器,由一个同步变压器（LIT）、两个三相二极管整流器、一个脉冲宽度调制（PWM）DC－DC变换器组成,输入变换器的交流电流频率固定且不连续,排除了三次、五次、七次谐波。通过LIT和平衡电抗器的电流是高频的,变压器可用小铁芯,分析了其电路拓扑结构、工作原理、并给出实验结果。     

LD及SLD驱动技术研究

论述了实现半导体激光器驱动技术的发展和方案,列出了国内外各大公司研究状况,并分析了实现控制的几种方案.