MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究

在结合考虑6H SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上,研究了MIS氢敏传感器的敏感机理, 建立了传感器模型,具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响。利用MATLAB对传感器的电流电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真,结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素,并确定了在300 ℃时传感器最佳绝缘层厚度为2~2.35 nm,从而有效地提高了传感器灵敏度。     

ZYJ7+SH6电液转辙机启动时表示二极管的保护

随着大准铁路复线的改造,多数车站都安装了ZYJ7型液压道岔。随之也带来了液压道岔的启动隐患,即当液压道岔启动的瞬间,烧毁道岔表示二级管。针对这一问题结合液压道岔(以ZYJ7+SH6电液转辙机为例)启动及表示电路的实际情况,作者经过多次分析试验,最终提出将ZYJ7+SH6电液转辙机启动及表示电路进行修改;使ZYJ7+SH6电液转辙机的启动及表示电路中,在启动继电器(1DQJ)励磁吸起后,而启动继电器(2DQJ)还未转极完毕这段时间内,禁止向室外供出380V电源,从而解决了ZYJ7+SH6电液转辙机在启动的瞬间,烧毁道岔表示二极管的问题,保证了铁路行车安全和行车效率。     

SiGe开关功率二极管的计算机模拟及优化设计

介绍了新型SiGe开关功率二极管结构及机理，在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计，并对其动态特性进行了模拟。与正反向特性模拟果综合比较得出，取20％的Ge含量和20nm的SiGe层厚时，器件性能最优。     

铁电阴极几何参数对二极管电子发射的影响

主要讨论了触发电场的脉宽和阴极几何参数对铁电二极管电子发射的影响，通过对不同脉宽激励下的电子发射试验发现触发脉冲的最佳工作宽度范围是150—250ns。对不同几何参数铁电阴极片在正脉冲激励下的电子发射研究指出：一般实验条件下(触发电压小于4kV／mm)，触发梯度电场相同时，阴极越厚，条栅电极越细密，发射电流密度越大；极化反转发射中前沿发射方式和后沿发射方式可以共时存在。     

Cl-对N80油套管钢钝化膜半导体性能的影响

利用电化学阻抗谱技术研究了N80油套管钢在0．05mol／L NaHCO3溶液中所成钝化膜的电化学性能，借助于莫特-肖特基曲线分析了成膜电位、测试频率以及Cl^-浓度对钝化膜半导体性能的影响．结果表明：钝化膜呈n型半导体特征；随着成膜电位的增加，膜的容抗和施主密度减小；随着Cl^-浓度的增加，膜的容抗和施主密度增加，膜的点蚀现象加剧．X射线光电子光谱（XPS）分析结果表明，钝化膜主要由Fe的氧化物Fe2O3和FeO组成．     

光通信中纠错码在乘性噪声信道下译码性能分析

针对经典的基于加性高斯白噪声(additive white Gaussian noise, AWGN)模型下的软判决译码算法不适用于光通信乘性噪声信道的问题,分析了雪崩光电二极管（avalanche photodiode,APD）接收机和掺铒光纤放大器（erbium-doped fiber amplifier,EDFA）接收机信道的非对称特性。仿真结果表明,乘性噪声信道的非对称特性可用发送“1”,“0”码的标准差之比来衡量,且两者比值越大,说明信道的非对称性越强。接着分别给出卷积码、Turbo码和低密度奇偶校验码（low-density parity-check,LDPC）码在乘性噪声信道下的译码方法,并仿真了纠错码在非对称高斯模型下的译码性能和在AWGN模型下的译码性能差异。仿真结果表明,译码算法做相应的修正后,纠错码在2种信道模型下皆具有较好的净编码增益,同时在非对称高斯模型下的译码性能要优于在AWGN模型下的译码性能。     

多功能测头光学系统设计

提出了一种用于三坐标测量机的新型多功能测头,介绍了多功能测头光学系统的设计思路,分析了光路中光学元件的作用,计算了光学元件主要参数,并进行了多功能测头的实验验证。大量实验结果表明,该测头经过标定,激光跟踪瞄准重复性测量的不确定度在±1μm以内,激光跟踪瞄准被测曲面倾角可以达到30°,能满足三坐标测量机的使用要求,同时也可以用于其它测长仪器对自由曲面进行快速精确的瞄准以及对零件轮廓的图象法测量。     

基于传输线CMOS肖特基二极管W波段混频器

采用130 nm CMOS工艺,设计一种工作频率在94 GHz的高频无源混频器.该混频器为单平衡式结构,主要采用具有良好高频特性的肖特基势垒二极管与互补型传导传输线(CCS-TL)来实现.电路主要分为三部分:环形波导耦合器(Rat-race coupler),反向并联二极管对,低通滤波器.输入本振信号频率94 GHz,射频信号频率94.1 GHz,输出中频信号频率100 MHz.在电路直流偏置电压为0.5 V,本振信号PLO=0 dBm时,混频器的变频损耗为17 dB,P_(LO)=10 dBm,变频损耗为14.6 dB.经测试LO端口与RF端口的回波损耗分别为-13.4 dB,-16.7 dB,LO与RF的隔离度为26.2 dB.     

高效无源三次倍频器研究与设计

为解决目前市面上毫米波倍频器制作工艺与体积之间的矛盾,设计了一款工艺简单、体积小、效率高、成本低的毫米波无源三倍频器.该倍频器在印制电路板上采用砷化镓变容二极管的反向并联电路结构,能有效抑制偶次谐波,改善输入阻抗特性;并在电路中增加空闲电路,大大提高了倍频信号的输出功率;最后通过仿真软件对倍频器进行优化和仿真,结果表明...     

阴极温度分布对发射本领测量的影响

对阴极电子学中测试用二极管的阴极丝进行了热特性分析.采用数值方法计算了常用基底W、Mo阴极金属丝在不同条件下的温度分布,同时首次给出了这两种材料在宽温区内导热系数、辐射系数的计算公式.对阴极温度的不均匀导致的发射电流偏差进行了计算分析,并首次得到了发射电流误差小于5%的阴极丝最小长度的计算公式.这些公式对圆筒形测试二极管几何参数的选取具有实际的意义.