硅二极管的极限结温与本征温度

本文就P~ N结整流二极管的理论极限结温进行了讨论。指出P~ N结消失的理论极限结温为P~ 的本征温度。     

LD端面泵浦固体激光谐振腔的研究

为了对激光谐振腔体进行优化设计，采用ABCD光学传输矩阵理论．计算得到具有普适性的三镜折叠腔内高斯模式束腰的解析解．对一典型平-平热透镜腔进行计算分析，结果表明；在针对其进行优化设计的泵浦范围内．腔体稳定性很好．激光光斑半径基本不随泵浦功率变化而波动．实验中以808nm尾纤输出的激光二极管端面泵浦Nd：YAG晶体产生连续1064nm激光．激光输出结果与理论模型值能够较好地相符．     

十二相整流器二极管功耗和结壳温升仿真计算

为了在十二相整流器设计中,实现仿真计算二极管功耗和结壳温升,保证其在高温的环境中可靠地工作,对非常规小型散热器,选用大容量二极管在中小电流条件下工作,以降低功耗和热阻,充分保证整流器有较高的过载能力,实现高可靠性的设计,提出了特殊要求的整流器体积可以做得更小,为解决目前十二相整流器设计中功耗和结壳温升问题提出了新的思路.     

Cl-对N80油套管钢钝化膜半导体性能的影响

利用电化学阻抗谱技术研究了N80油套管钢在0．05mol／L NaHCO3溶液中所成钝化膜的电化学性能，借助于莫特-肖特基曲线分析了成膜电位、测试频率以及Cl^-浓度对钝化膜半导体性能的影响．结果表明：钝化膜呈n型半导体特征；随着成膜电位的增加，膜的容抗和施主密度减小；随着Cl^-浓度的增加，膜的容抗和施主密度增加，膜的点蚀现象加剧．X射线光电子光谱（XPS）分析结果表明，钝化膜主要由Fe的氧化物Fe2O3和FeO组成．     

Si上Ge薄膜特性研究

为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的.     

C200H可编程控制器在RGR20型滚揉机上的应用

提出将 OMRON C2 0 0 H可编程控制器用于 RGR2 0型滚揉机 ,给出了一种用二极管扩展输入口的方法。结果表明 ,由于采用可编程控制器作为控制系统的核心 ,该设备具有高可靠性 ,同时也具有参数设置直观、方便 ,操作安全、简单等优点 ,可预存 80个程序 ,以便在生产不同种类的产品时直接调用     

二极管反向恢复时间的一种测定方法

通过对二极管反向恢复过程特性的研究 ,给出了反向恢复时间的测定方法 ,运用高性能等精度计数器实现了快速准确的测量 ,提高了测量精度。     

变容非线性的微观统计分析

本文研究了非线性元件变容二极管的非平衡统计行为。根据物理条件,求解含时间扩散方程的小信号驰动下的是电流响应。通过实验证明,新提出的求解方法的有效性,这一研究结果是进一步研究运动复杂性的微观机制的基础。     

玻封低压稳定管的单步扩散工艺

本文对工作在隧道击穿状态下的低压稳压管Ｉ－Ｖ特性及动态电阻ＲＸ进行了理论分析。提出了用单步扩散平面工艺制作ＤＯ－３５玻封低压稳压管的工艺。制备的样品符合ＧＢ９５９６－８８标准。     

谈计算机“死机“的种种原因

计算机"死机"是让用户头痛的事,计算机的程序突然停止在某种状态无法运行下去.只好重新启动机器,甚至重新启动机器也无效本文指出"死机"有软件方面的原因,有硬件方面的原因,也有软件与硬件是否适配的原因,从而也就指出了解决"死机"的方法.