立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

基于耦合电感低输入电流纹波高增益DC/DC变换器

针对如何提高增益和变换效率,并降低耦合电感型变换器的输入电流纹波问题,提出一种基于耦合电感 低输入电流纹波高增益DC/DC 变换器。通过引入无源零波纹电路,降低输入电流纹波,从而减小输入电流应 力; 同时,通过合理设计耦合电感变比,可实现变换器的高增益特性。通过理论分析和仿真实验结果表明, 该变换器的输入电流纹波大幅降低,并且所有开关管均实现了软开关,大大降低了开关损耗。同时,该变换器 各器件电压应力均远低于输出电压,有利于采用低耐压元件以降低导通损耗,提高变换器的性能。     

具有电能质量监测功能的智能开关设计

设计了一种具有电能质量监测功能的智能开关设备.该智能开关设备不仅具有微机保护功能,还具有波形畸变率、三相不平衡、电压波动、电压跌落等电能质量参数监测功能,是一种将电能质量监测和开关设备结合起来而组成的智能开关设备.介绍了设计方案和具体实现方法,着重阐述了硬件系统的原理和具体电路,解决了当线路发生短路故障而失压时的工作电...     

铁磁质磁滞回线的动态测量

本文介绍了如何利用示波器观察和测量铁磁质的动态磁滞回线、剩磁、矫顽力等．并通过实验说明了铁磁质的磁化特性不仅与材料自身性质有关．还与磁化场的波形及频率有关．     

一类(0,p(D))三角插值多项式的逼近和饱和

研究了一类(0,p(D))三角插值算子的逼近和饱和问题，确定了饱和类和饱和阶．     

一种新颖的在低速时具有高性能的感应电机V/f控制法

提出了一种新颖的感应电机开环速度控制法,在任一频率,它不但能使电机输出高的力矩,而且使稳态速度误差几乎等于零。该控制法是基于恒V/f模式,仅需要使用廉价的电流传感器通过测量定子电流就能补偿定子电阻压降和转差频率,通过仿真验证了提出这种新颖的控制方法是可行的。     

广东科学中心工程高新技术应用研究

广东科学中心是目前我国规模最大的公益性科普教育基地,其建筑和施工采用了一些高新技术,包括风洞试验、隔震减震、饱和软土地基处理、结构健康监测等,针对应用时的结构特点及工程条件,从系统工程和工程项目管理理论出发探讨相应的解决方法及对策,对今后类似工程新技术的应用提供参考.     

CMOS集成电路闩锁效应的形成机理和对抗措施研究

以反相器电路为例。介绍了CMOS集成电路的工艺结构；采用双端pnpn结结构模型，较为详细地分析了CMOS电路闩锁效应的形成机理；介绍了在电路版图级、工艺级和电路应用时如何采用各种有效的技术手段来避免、降低或消除闩锁的形成。这是CMOS集成电路得到广泛应用的根本保障。     

氮化合物对饱和烃氧化性能的影响

采用液相氧化法和循环动态吸氧法了喹啉及吲哚和烃氧化性的影响。循环动态吸氧实验结果表明,低氮浓度的氮化合物能促进进饱和烃的氧化,高氮浓度的氮化合物能提高饱和烃氧化的诱导期,但在诱导期的前后阶段内,氮化合物对饱和烃氧化的影响程度不一致,液相氧化实验结果表明,催化剂的形态是影响饱和烃氧化的重要因素,吲哚与金属铜具有协同促进饱和烃氧化的作用,而吲哚与环烷酸铜则有很好的抑制饱和烃氧化的效果。当有硫化合物共存且硫氮原子比不同时,喹啉和甲基基硫醚分别是影响饱和烃氧化最显著的因素,所以氮化合物对饱和烃氧化的作用受氮化合物浓度,氧化反应时间,催化剂的形态及硫,氮之间的相互作用等复杂因素的影响。     

3mm宽带波导结型隔离器

报道一个具有宽带特性的3mm波导结型隔离器,其性能为插入损耗小于0.8dB,反向隔离大于20dB,绝对带宽为3.5GHz(92.5-96GHz)。对影响器件的性能因素进行了讨论,并指出实验结果似乎与旋转门环行器设计理论不一致。