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801.
高灵敏度云纹干涉法   总被引:2,自引:0,他引:2  
将折射率介质应用于云纹干涉法,大大提高了测量灵敏度。当试件栅频率为600线/mm时,虚栅频率可达到6000线/mm,利用其±5级衍射光进行干涉,灵敏度为0.16μm。  相似文献   
802.
本文利用我们耦合的H2O-N2相互作用等效势模型,计算了该系统在300K—1000K温度范围内的H2O分子被N2分子碰撞加宽的纯转动跃迁谱线宽度系数。计算结果与仅有的实验结果符合较好,表明我们的方法是有效的,结果是可靠的。  相似文献   
803.
激光晶体中折射率涨落的谱密度,能通过前向光散射实验和求解辐射传输方程去计算.本文提出一种在弱涨落情况下的分析计算方法.  相似文献   
804.
本文利用“等效电流变换”法则,采用多种方法计算电介质极化后所产生的电场,又利用“等效电流变换”及泊松变换法则,计算真实电荷的电场,从而使分析和计算静电场的方法显著增加。  相似文献   
805.
本文首先提出了修正的曼耐尔假设,从而克服了曼耐尔假设的一个明显的缺陷。进而以此为基础,推导了机械零件所承受的各种变载荷的等效载荷计算公式,并对其正确使用提出下必要的要求。文中还进行了等效载荷的实例计算和试验验证。结果表明;本文提出的公式有一定精确度,可以在实际中使用。  相似文献   
806.
本文讨论了关于物体惯性质量概念的两种——牛顿的和马赫的观点,应用“准马赫原理”来论证引力质量和惯性质量的等效性。  相似文献   
807.
给出 特武德机类问题中的等效转动惯量的定义,使问题的求解十分简便。  相似文献   
808.
磁场直拉硅单晶生长   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了磁场直拉硅单晶生长. 采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体, 向硅熔体所在空间引入Cusp磁场. 当坩埚边缘磁感应强度达到0.15 T时, 熔硅中杂质输运受扩散控制. 熔硅自由表面观察到明显的Marangoni对流; 硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善; 控制Marangoni对流, 可灵活控制硅单晶中的氧浓度. 把磁场拉晶同硅单晶的等效微重力生长联系起来, 推导出了引入磁感应强度和对应等效微重力等级的关系式: g=v0/veff·g0, 并针对坩埚的两种特征尺寸, 进行了直拉硅单晶等效微重力等级的计算.  相似文献   
809.
"国家科技基础条件平台"英文术语的等效对应研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
“国家科技基础条件平台”这一中文术语酝酿和正式提出已经近两年。但这一术语的英文名称问题却一直未能正式予以确认。“国家科技基础条件平台”建设工作走向世界是一个必然的过程 ,因此 ,该术语的英文名称问题应该尽早确定下来。一、“国家科技基础条件平台”建设作为中文术语的地位趋于确定   2 0 0 2年 7月 31日 ,科技部做出启动我国科技基础条件平台建设的重大决定 ,并成立国家科技基础条件平台建设领导小组。财政部 2 0 0 3年第 1号文件专项批准 1亿元人民币、科技部整合 5 .5亿元人民币启动国家科技基础条件平台建设的规划设计和试…  相似文献   
810.
用高渗制剂可提高光学相干层析成像(OCT)的探测深度.然而单一高渗制剂由于个体敏感性差异而效果不够稳定,为此提出了使用混合高渗制剂涂敷在被测表面以增透并提高其稳定性.使用自行建立的OCT系统对涂敷100%丙三醇和饱和葡萄糖混合制剂、100%丙三醇和50%丙三醇前后的被测样本成像并记录参数.实验结果显示可降低表层组织散射强度,提高探测深度(约为原探测深度的2倍)和组织结构的可读性,并初步验证混合高渗剂(σ=0.038)较单一高渗制剂(σ=0.084)具有更均一的人体敏感性.  相似文献   
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