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31.
本文研制了一种测力—落刀装置,对积屑瘤和鳞剌的某些问题进行了试验研究。结果表明:在积屑瘤存在的区域内,由于刀具实际前角的增加,以及切屑与积屑瘤的接触长度小于自然接触长度,从而导致了切削力的降低。积屑瘤不是整体稳定不变的,也不是高频地整体脱落后再重新生长。而是基体比较稳定,头部产生高频的分裂、成长,其分裂的部分留在工件表面成为鳞剌,同时,引起了切削力的较大波动。切削力动态分量越大,相应的鳞剌高度越高。 相似文献
32.
Banach空间积-微分方程整体解的存在性 总被引:2,自引:2,他引:0
利用上下解的单调迭代方法,采用适当的迭代程序,在较弱的条件下,获得了Banach空间积-微分方程初值问题整体解的存在性结果. 相似文献
33.
用加热分解α-G2S3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。 相似文献
34.
层状岩体垒积序列差异性SCW-R/S分形模型 总被引:1,自引:1,他引:0
依据已有的一些力学分析结果、模型模拟结果和地质体中构造变形破坏的特征,指出层状岩体垒积序列差异性是控制地质体在法向上构造变形破坏的内因.并建立了定量描述它的SCW-R/S分形模型,使得不同地质体的差异性具有定量可比性;同时初步推测了它与构造变形间的表观关系. 相似文献
35.
多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用HFCVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)衬底上淀积3C-SiC(111)薄层。用XRD、VASE、XPS等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能。XRD显示薄层具有明显的择优取向特征。VASE测量出薄层的折射率为2.686,光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构。XPS深度剖面曲线表明薄层中Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其能谱证明C1s与Si2p成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC。 相似文献
36.
设G是K1,s-free图,如果对每一个顶点v∈V(G),有:K(G[N(V)])≥s一2,(s≥3),那么每一局部导出子图均包含一个Hamiltion路。 相似文献
37.
引进Hopf模代数的概念,研究了Hopf模代数的结构,证明了Hopf模代数等价于Smash积,从而给出了Smash积的一种新的刻划。 相似文献
38.
魏家林 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》1998,21(3):199-202
引入了广义smash积的概念,讨论了它的性质,推广了Y.Doi有关方面所作的工作,改进了Y.Doi的一个同构定理。 相似文献
39.
宋占杰 《河北师范大学学报(自然科学版)》1998,22(1):28-29
给出了(xij)n×n=(1/n)n×n为VanderWaerden猜想对应多元函数的一个极小值点的改进证明. 相似文献
40.
一类二重积分的简便算法 总被引:1,自引:0,他引:1
对于积分区域具有对称性的二重积分,考虑被积函数关于对称区域的奇偶性,可使计算得到简化。 相似文献